一种复合半导体肖特基二极管及弱能量收集用整流电路制造技术

本发明专利技术涉及一种复合半导体肖特基二极管及弱能量收集用整流电路，肖特基二极管包括：SiGeOI衬底；复合层，复合层为在SiGeOI衬底顶层SiGe的第一区域的上表面先生长Sn层，然后对Sn层及其下部的顶层SiGe激光再晶化后形成；第一金属电极，设置于复合层的上表面；第二金属电极，设置于SiGeOI衬底的第二区域的上表面。本发明专利技术的方案通过将Si合金化引入Ge形成SiGeOI衬底与第二金属电极形成金半接触，降低SBD开启电压，满足2.45GHz弱能量密度情况下SBD开启需求，有利于提升整流效率；同时，通过在SiGe中引入Sn层形成复合层，使SBD的串联电阻变小，有效提升SBD的整流效率。

【技术实现步骤摘要】
一种复合半导体肖特基二极管及弱能量收集用整流电路
本专利技术属于无线传输
，具体涉及一种复合半导体肖特基二极管及弱能量收集用整流电路。
技术介绍
根据我国环境射频能量分布评估，2.45GWi-Fi频段内的射频信号为环境中的主要射频信号源，比如生活中到处可见的Wi-Fi路由器、笔记本电脑和平板电脑等无线终端，因此收集并应用这些能量成为当前业内研究发展的一个重要方向。但此频段内射频信号的射频功率密度较低，仅为<-20dBm，在如此弱能量密度输入条件下，即使采用整流效率优于MOS的肖特基二极管(SchottkyBarrierDiode，以下简称SBD)作为弱能量收集用整流电路的核心元器件，其整流效率仍然很低，甚至无法开启工作，需要配合外围电路被动开启。现有技术中，在外围电路被动开启配合下，基于安捷伦公司HSMS-2850Ge半导体肖特基二极管(SBD)的微波无线弱能量密度收集系统的整流效率最高，当能量密度为-10dBm时，整流效率可达20％，但当能量密度为-20dBm时，整流效率不足10％。如此低的整流效率，无法真正实现2.45G本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种复合半导体肖特基二极管，其特征在于，包括：/nSiGeOI衬底(001)；/n复合层(003)，所述复合层(003)为在所述SiGeOI衬底顶层SiGe的第一区域的上表面先生长Sn层，然后对所述Sn层及其下部的顶层SiGe激光再晶化后形成；/n第一金属电极(004)，设置于所述复合层(003)的上表面；/n第二金属电极(005)，设置于所述SiGeOI衬底顶层SiGe的第二区域(002)的上表面。/n

【技术特征摘要】
1.一种复合半导体肖特基二极管，其特征在于，包括：
SiGeOI衬底(001)；
复合层(003)，所述复合层(003)为在所述SiGeOI衬底顶层SiGe的第一区域的上表面先生长Sn层，然后对所述Sn层及其下部的顶层SiGe激光再晶化后形成；
第一金属电极(004)，设置于所述复合层(003)的上表面；
第二金属电极(005)，设置于所述SiGeOI衬底顶层SiGe的第二区域(002)的上表面。


2.根据权利要求1所述的复合半导体肖特基二极管，其特征在于，所述顶层SiGe、所述复合层(003)的厚度均为300nm～500nm。


3.根据权利要求1所述的复合半导体肖特基二极管，其特征在于，所述SiGeOI衬底(001)为[110]晶向Si0.1Ge0.9OI衬底。


4.根据权利要求1所述的复合半导体肖特基二极管，其特征在于，所述复合层(003)的材料为Si0.1Ge0.8Sn0.1。


5.根据权利要求1所述的复合半导体肖特基二极管，其特征在于，所述复合层(003)内注...

【专利技术属性】
技术研发人员：左瑜，
申请(专利权)人：西安科锐盛创新科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61