氧化物半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

目的在于提供可抑制氧化物半导体装置的特性劣化的技术。氧化物半导体装置具备：n型氧化镓外延层、p型氧化物半导体层和氧化物层。p型氧化物半导体层在n型氧化镓外延层的上方配设，具有与镓不同的元素作为主成分，具有p型的导电性。氧化物层在n型氧化镓外延层与p型氧化物半导体层之间配设，氧化物层的材料为与氧化镓不同的材料并且为与p型氧化物半导体层的材料至少一部分不同的材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氧化物半导体装置及其制造方法
本专利技术涉及氧化物半导体装置及其制造方法。
技术介绍
电力电子学(powerelectronics、简称电力电子学)是迅速且高效率地进行电的直流、交流或频率等的转换等的技术。电力电子学是在以往的电力工学的基础上，将近年来的以半导体为基础的电子工学和控制工学融合而成的技术。这样的电力电子学如今可以说几乎必然应用于动力用、产业用、运输用甚至家庭用等用电的地方。近年来，不仅在日本而且在世界范围，电能在总能量消耗中所占的比率，即电力化率都呈上升趋势。作为其背景，近年来，在电的利用方面可列举出开发便利性和节能性优异的设备，电的利用率提高。担负着这些的基础的技术便是电力电子学技术。电力电子学技术也可以说是无论成为转换对象的电的状态(例如频率、电流或电压的大小等)如何，都将输入转换为适于利用的设备的电的状态的技术。电力电子学技术的基本要素是整流部和逆变器。而且，成为它们的基础的是半导体、以及应用了半导体的二极管或晶体管等半导体元件。在目前的电力电子学领域中，作为半导体整流元件的二极管在以电气设备为首的各本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氧化物半导体装置，具备：/nn型氧化镓层；/np型氧化物半导体层，其在所述n型氧化镓层的上方配设，具有与镓不同的元素作为主成分，具有p型的导电性；/n第1电极，其与所述p型氧化物半导体层电接合；和/n氧化物层，其在所述n型氧化镓层与所述p型氧化物半导体层之间配设，材料为与氧化镓不同的材料并且为与所述p型氧化物半导体层的材料至少一部分不同的材料。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180822 JP 2018-1554471.一种氧化物半导体装置，具备：
n型氧化镓层；
p型氧化物半导体层，其在所述n型氧化镓层的上方配设，具有与镓不同的元素作为主成分，具有p型的导电性；
第1电极，其与所述p型氧化物半导体层电接合；和
氧化物层，其在所述n型氧化镓层与所述p型氧化物半导体层之间配设，材料为与氧化镓不同的材料并且为与所述p型氧化物半导体层的材料至少一部分不同的材料。


2.根据权利要求1所述的氧化物半导体装置，其中，还具备：
第2电极，其与所述n型氧化镓层的下表面电接合，
所述第1电极与所述n型氧化镓层的上表面也电连接。


3.根据权利要求1或权利要求2所述的氧化物半导体装置，其中，相互分离的多个所述p型氧化物半导体层埋设在所述n型氧化镓层的上表面。


4.根据权利要求1至权利要求3中任一项所述的氧化物半导体装置，其中，所述p型氧化物半导体层的材料为包含Cu的金属氧化物。


5.根据权利要求1至权利要求4中任一项所述的氧化物半导体装置，其中，所述氧化物...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤田洋平，绵引达郎，宫岛晋介，滝口雄贵，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，国立大学法人东京工业大学，
类型：发明
国别省市：日本;JP