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目的在于提供可抑制氧化物半导体装置的特性劣化的技术。氧化物半导体装置具备：n型氧化镓外延层、p型氧化物半导体层和氧化物层。p型氧化物半导体层在n型氧化镓外延层的上方配设，具有与镓不同的元素作为主成分，具有p型的导电性。氧化物层在n型氧化镓外...该专利属于三菱电机株式会社;国立大学法人东京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社;国立大学法人东京工业大学授权不得商用。