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本发明涉及一种复合半导体肖特基二极管及弱能量收集用整流电路，肖特基二极管包括：SiGeOI衬底；复合层，复合层为在SiGeOI衬底顶层SiGe的第一区域的上表面先生长Sn层，然后对Sn层及其下部的顶层SiGe激光再晶化后形成；第一金属电极，...
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