一种晶圆尖峰退火监控方法技术

本发明专利技术公开了一种晶圆尖峰退火监控方法，所述监控方法具体包括如下步骤：将退火后的晶圆放置到电阻值测量装置上进行晶圆的电阻测量，所述电阻测量方法为线性扫描，得出关于所述晶圆中心线对称的一组电阻值数据；将所述电阻值数据进行数据处理，所述数据处理方法为中心对称加和平均；根据所述处理后的数据绘制离散分布图，偏离点的位置即为退火不均匀点，以实现对所述晶圆退火的监控，所述偏离点为偏离所述离散分布图整体趋势的点；该监控方法旨在有效监控晶圆退火的均一性，并根据监控数据进行设备的调整。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆尖峰退火监控方法
本专利技术涉及半导体制造工艺监控方法领域，尤其是涉及一种晶圆尖峰退火监控方法。
技术介绍
随着半导体工业的发展，集成电路向体积小、速度快和低功耗方向发展。尤其是当半导体器件的特征尺寸不断按比例缩小，其掺杂元素在退火后的横向和纵向扩散程度也要求相应减小，且结深要浅。为了控制掺杂元素的扩散以及得到较浅的结深，业界普遍采用的退火工艺为尖峰退火。尖峰退火工艺是利用加热的热源将晶圆快速升到900～1200℃的温度，然后快速降温，整个过程约1.5秒。对于尖峰退火工艺，业界主流设备采用晶圆托环支撑晶圆，请参阅图1，图1为现有技术中托环的温度分布中心点(O2点)与晶圆中心点(O1点)重合的示意图。执行尖峰退火工艺过程时，机械手臂先传送晶圆到托环的目标位置，加热单元对晶圆正面进行加热，同时，晶圆托环以一定的速度带动晶圆旋转，以确保退火的均匀性。然而，影响托环温度分布的因素有：托环的结构形状、带动托环转动的传动装置的结构形状、晶圆的退火时间、晶圆直径、晶圆厚度和托环的转动速度等，所以托环的温度分布规律是随着不同的加工工艺而本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆尖峰退火监控方法，其特征在于，所述监控方法具体包括如下步骤：/n步骤S1：将退火后的晶圆放置到电阻值测量装置上进行晶圆的电阻测量，所述电阻测量方法为线性扫描，得出关于所述晶圆中心线对称的一组电阻值数据X1、X2......Xn-1、Xn；/n步骤S2：将所述电阻值数据X1、X2......Xn-1、Xn进行数据处理，所述数据处理方法为中心对称加和平均，处理后的数据为：(X1+Xn)/2、(X2+Xn-1)/2......(Xn-1+X2)/2、(Xn+X1)/2；/n步骤S3：根据所述处理后的数据绘制离散分布图，偏离点的位置即为退火不均匀点，以实现对所述晶圆退火的监控，所述偏离点为...

【技术特征摘要】
1.一种晶圆尖峰退火监控方法，其特征在于，所述监控方法具体包括如下步骤：
步骤S1：将退火后的晶圆放置到电阻值测量装置上进行晶圆的电阻测量，所述电阻测量方法为线性扫描，得出关于所述晶圆中心线对称的一组电阻值数据X1、X2......Xn-1、Xn；
步骤S2：将所述电阻值数据X1、X2......Xn-1、Xn进行数据处理，所述数据处理方法为中心对称加和平均，处理后的数据为：(X1+Xn)/2、(X2+Xn-1)/2......(Xn-1+X2)/2、(Xn+X1)/2；
步骤S3：根据所述处理后的数据绘制离散分布图，偏离点的位置即为退火不均匀点，以实现对所述晶圆退火的监控，所述偏离点为偏离所述离散分布图整体趋势的点。


2.如权利要求1所述的晶圆尖峰退火监控方法，其特征在于，还包括步骤S4：根据所述离散分布图中的偏离点对机械手臂进行调整，改变所述晶圆的倾斜，若无偏离点则无需调整。


3.如权利要求2所述的晶圆尖峰退火监控方法，其特征在于，所述机械手臂与所述晶圆之间设置有陶瓷纤维垫片。


4.如权利要求1所述的晶圆尖峰退火监控方法，其特征在于，所述晶圆的尖峰退火加热...

【专利技术属性】
技术研发人员：段宗强，谢威，张立，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31