一般电阻硅产品的蚀刻液及其蚀刻方法技术

本发明专利技术涉及一种一般电阻硅产品的蚀刻液，由氟化氢铵、硝酸钾、硫酸、过硫酸铵、聚乙二醇、磷酸和丙二醇嵌段聚醚水溶液组成。根据一般电阻硅产品的特性，改善传统以高浓度、高腐蚀性的氢氟酸和硝酸、醋酸、水配制的蚀刻液，利用氟化氢铵和硫酸适量配比时可以按照一定速率产生一定量的HF，和少量硝酸钾、过硫酸铵、磷酸配比后进行蚀刻。减少不完全或不均匀的蚀刻中产生的斑点或色差现象。反应均匀缓和，且粗糙度和蚀刻前一致，不加大粗糙度。

【技术实现步骤摘要】
一般电阻硅产品的蚀刻液及其蚀刻方法
本专利技术属于半导体制备
，涉及一种用于一般电阻硅产品的蚀刻液及其蚀刻方法。
技术介绍
半导体现占据着全世界经济大部分，并对经济增长有着巨大的影响力。半导体技术正以日新月异的速度发展着，现12寸晶圆半导体生产工序在中国国内生产，并且中国无论与世界上任何一个半导体生产制造国家相比，都当之无愧是现今世界上最大的半导体消费国。但随着半导体技术的发展，日益扩大化的晶圆也开始需要高集成高精密的回路，以硅晶圆为原材的半导体切片生产工序中对回路集成有影响的设备配件需采用与晶圆原材相同的硅原材。同时要求扩大化，高精密与高度洁净。半导体制造过程中的等离子蚀刻工序，是利用物理离子的冲击来形成记忆回路的过程，是半导体制造工序中核心的工序。等离子蚀刻技术是根据等离子、体气体、真空腔的变换形成蚀刻的性能也是不同的。蚀刻工序使用的核心配件等离子蚀刻硅环，所处于晶圆外围，起到使晶圆所接触的等离子体更稳定均匀，扩大等离子体范围的作用，因此在生产过程中不仅要掌握硅原材精加工技术，还要了解原材的电性特征，选用合适的原材进行本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一般电阻硅产品的蚀刻液，其特征在于，其蚀刻液由以下物质的水溶液组成：氟化氢铵、硝酸钾、硫酸、过硫酸铵、聚乙二醇、磷酸和丙二醇嵌段聚醚。/n

【技术特征摘要】
1.一般电阻硅产品的蚀刻液，其特征在于，其蚀刻液由以下物质的水溶液组成：氟化氢铵、硝酸钾、硫酸、过硫酸铵、聚乙二醇、磷酸和丙二醇嵌段聚醚。


2.根据权利要求1所述的一般电阻硅产品的蚀刻液，其特征在于，按质量百分比计，蚀刻液由以下物质组成：





3.根据权利要求1所述的一般电阻硅产品的蚀刻液，其特征在于，按质量百分比计，蚀刻液由以下物质组成：





4.根据权利要求1所述的一般电阻硅产品的蚀刻液，其特征在于，按质量百分比计，蚀刻液由以下物质组成：





5.根据权利要求1-4任一项所述的一般电阻硅产品的蚀刻液，其特征在于，所述硫酸为质量浓度大于等于70％的硫酸。...

【专利技术属性】
技术研发人员：王燕清，
申请(专利权)人：重庆臻宝实业有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;50