一种BOE蚀刻液制造技术

本发明专利技术公开了一种BOE蚀刻液，按照质量百分比包括以下组分，氢氟酸2％～15％、氟化铵5％～45％、硝酸2％～9％、醋酸0.5％～2％、超纯水26％～90％和渗透剂0.5％～3％；所述的蚀刻液中注入有氢气。本发明专利技术通过在蚀刻剂中通入微量氢气，对蚀刻液起到催化作用，提高了蚀刻液对氧化硅层表面的润湿性，降低BOE蚀刻液表面张力；蚀刻进入的孔径可达到1.0um。

【技术实现步骤摘要】
一种BOE蚀刻液
本专利技术属于蚀刻液
，尤其涉及一种BOE蚀刻液。
技术介绍
随着世界半导体行业制造行业向中国大陆的逐步转移，国内对缓冲氧化蚀刻剂的需求量逐年增长。缓冲氧化蚀刻剂主要用于微电子行业，可作为清洗剂、蚀刻剂，在半导体工业中常用于蚀刻无光刻胶护罩的氧化层。其主要成分为氢氟酸和氟化铵的酸性氟化铵蚀刻液，又称为BOE蚀刻液。蚀刻剂的表面张力是影响蚀刻速率和蚀刻质量的关键因素之一。亲水性是指分子能够透过氢键和水分子形成短暂键结的物理性质。疏水性指的是一个分子(疏水物)与水互相排斥的物理性质。亲疏水性可以用浸润性来统称，而液体的浸润性可以用表面张力来表征。为了提高蚀刻剂的浸润性能，降低表面张力需要对蚀刻液的表面张力开展研究。表面张力很大，对半导体硅片蚀刻层的润湿性很差，在实际的工程应用中容易导致蚀刻图案严重变形。而较低的表面张力能增大蚀刻液的渗透性，蚀刻入微小的孔径。在硅片蚀刻常用氟化铵和氢氟酸的组合液对硅片进行蚀刻，但没有经过任何处理的组合液在实际蚀刻过程中通常会出现铺展速度较慢，并且其渗透复杂微观表面的能力差等问题本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种BOE蚀刻液，其特征在于，按照质量百分比包括以下组分，氢氟酸2％～15％、氟化铵5％～45％、硝酸2％～9％、醋酸0.5％～2％、超纯水26％～90％和渗透剂0.5％～3％；所述的蚀刻液中注入有氢气。/n

【技术特征摘要】
1.一种BOE蚀刻液，其特征在于，按照质量百分比包括以下组分，氢氟酸2％～15％、氟化铵5％～45％、硝酸2％～9％、醋酸0.5％～2％、超纯水26％～90％和渗透剂0.5％～3％；所述的蚀刻液中注入有氢气。


2.根据权利要求1所述的BOE蚀刻液，其特征在于，按照质量百分比包括以下组分，氢氟酸8％、氟化铵29％、硝酸5％、醋酸1％、超纯水55％和渗透剂2％；所述的蚀刻液中注入有氢气。


3.根据权利要求1所述的BOE蚀刻液，其特征在于，所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：董俊卿，徐倩，卢景煜，
申请(专利权)人：浙江森田新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33