一种用于抛光多晶硅的化学机械抛光液制造技术

本发明专利技术公开了一种用于抛光多晶硅的化学机械抛光液，包括研磨颗粒、水、一种或多种的氧化剂和降低硅片表面粗糙度的非离子表面活性剂；以重量百分比浓度计，包括研磨颗粒0.1‑30％，氧化剂0.1‑20％，非离子表面活性剂0.001‑5％。本发明专利技术可以在碱性条件下显著改变多晶硅的去除速率，较低的硅表面粗糙度，调节多晶硅与二氧化硅的选择比，并明显提高多晶硅的平坦化效率和抛光残留物的去除。

【技术实现步骤摘要】
一种用于抛光多晶硅的化学机械抛光液
本专利技术涉及一种化学机械抛光液，具体涉及一种用于抛光多晶硅的化学机械抛光液。
技术介绍
在集成电路制造中，互连技术的标准在提高，一层上面又沉积一层，使得在衬底表面形成了不规则的形貌。现有技术中使用的一种平坦化方法就是化学机械抛光(CMP)，CMP工艺就是使用一种含磨料和化学物质的混合物和抛光垫去抛光一硅片表面。在典型的化学机械抛光方法中，将衬底直接与旋转抛光垫接触，用一载重物在衬底背面施加压力o在抛光期间，垫片和操作台旋转，同时在衬底背面保持向下的力，将磨料和化学活性的溶液(通常称为抛光液或抛光浆料)涂于垫片上，该抛光液与正在抛光的薄膜发生化学机械反应开始进行抛光过程。对于多晶硅的抛光，目前主要应用于两种芯片，一种是DRAM，一种是Flash.后者应用中往往在对多晶硅的抛光中会涉及到对二氧化硅的抛光。在以往的主要利用以二氧化硅为研磨颗粒的碱性浆料来抛光多晶硅层和二氧化硅层的情况下，多晶硅的除取速率往往比二氧化硅的除去速率高得多，易导致多晶硅的过量去除而产生凹陷，影响随后的工艺。US2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于抛光多晶硅的化学机械抛光液，其特征在于：包括研磨颗粒、水、一种或多种的氧化剂和降低硅片表面粗糙度的非离子表面活性剂；/n以重量百分比浓度计，包括研磨颗粒0.1-30％，氧化剂0.1-20％，非离子表面活性剂0.001-5％。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于抛光多晶硅的化学机械抛光液，其特征在于：包括研磨颗粒、水、一种或多种的氧化剂和降低硅片表面粗糙度的非离子表面活性剂；
以重量百分比浓度计，包括研磨颗粒0.1-30％，氧化剂0.1-20％，非离子表面活性剂0.001-5％。


2.根据权利要求1所述的用于抛光多晶硅的化学机械抛光液，其特征在于：以重量百分比浓度计，包括研磨颗粒0.2-30％，氧化剂0.5-10％，非离子表面活性剂0.05-2％。


3.根据权利要求1所述的用于抛光多晶硅的化学机械抛光液，其特征在于：研磨颗粒颗径为30-150nm。


4.根据权利要求1所述的用于抛光多晶硅的化学机械抛光液，其特征在于：研磨颗粒颗径为30-120nm。


5.根据权利要求1所述的用于抛光多晶硅的化学机械抛光液，其特征在于：研磨颗粒选自...

【专利技术属性】
技术研发人员：张建，冯继恒，尹淞，鲁晨泓，
申请(专利权)人：芯越微电子材料嘉兴有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33