一种SiC衬底加工用纳米金刚石抛光液及其制备方法技术

技术编号:27924926 阅读:34 留言:0更新日期:2021-04-02 14:02
本发明专利技术公开一种SiC衬底加工用纳米金刚石抛光液及其制备方法,属于超精密研磨抛光技术领域,所述抛光液由以下重量份数的原料组成:水50‑85份;金刚石微粉0.5‑15份;分散剂0.1‑5份;悬浮剂0.1‑5份;润滑剂1‑40份;消泡剂0.001‑0.1份,金刚石微粉粒度10‑1000nm,所述金刚石微粉中,耐磨磨粒/圆形磨粒颗粒数比值为1‑15:1,其中,圆度Fc>0.950为圆形磨粒;0.900≤Fc≤0.950为耐磨磨粒。所述抛光液通过控制金刚石微粉的形貌构成,在耐磨磨粒提高抛光效率的同时,借助圆形磨粒修复表面损伤层和粗糙度,从而实现对抛光划伤的控制。

【技术实现步骤摘要】
一种SiC衬底加工用纳米金刚石抛光液及其制备方法
本专利技术属于超精密研磨抛光领域,具体涉及一种SiC衬底加工用纳米金刚石抛光液及其制备方法。
技术介绍
SiC作为第三代半导体材料的典型代表,已经形成了全球的材料、器件和应用产业链。因在高温、高频、抗辐射、大功率应用中性能卓越,故其被广泛应用于国防军备、5G移动通信、能源互联网、新能源汽车、轨道交通等核心产业。半导体产业内新一代的“黄金赛道”,带动能源革命的“绿色能源器件”等美誉,更是催化了“得SiC者得天下”的热点。抛光的目的是去除前道研磨的划伤、凹坑等机械损伤层并降低的工件表面粗糙度。机械损伤层深度与表面粗糙度的大小与前道采用研磨液中磨料的粒度相关。通常,需要去除前道研磨液中磨料粒度的3倍厚度,才可以彻底去除前道加工引起的机械损伤层。即,若前道使用3um金刚石研磨液研磨,则后道抛光需要去除9um的余量,方可完全消除研磨引起的机械损伤层。通常抛光使用纳米SiO2抛光液,纳米SiO2莫氏硬度约6.8,SiC衬底片莫氏硬度约9.5,磨料硬度远低于工件硬度,抛光效率低下,故抛光时间往本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SiC衬底加工用纳米金刚石抛光液,其特征在于,由以下重量份数的原料组成:/n水 50-85份;金刚石微粉0.5-15份;分散剂0.1-5份;悬浮剂0.1-5份;润滑剂1-40份;消泡剂0.001-0.1份, 金刚石微粉粒度10-1000nm,耐磨磨粒/圆形磨粒颗粒数比值为1-15:1,其中,圆度Fc>0.950为圆形磨粒;0.900≤Fc≤0.950为耐磨磨粒。/n

【技术特征摘要】
1.一种SiC衬底加工用纳米金刚石抛光液,其特征在于,由以下重量份数的原料组成:
水50-85份;金刚石微粉0.5-15份;分散剂0.1-5份;悬浮剂0.1-5份;润滑剂1-40份;消泡剂0.001-0.1份,金刚石微粉粒度10-1000nm,耐磨磨粒/圆形磨粒颗粒数比值为1-15:1,其中,圆度Fc>0.950为圆形磨粒;0.900≤Fc≤0.950为耐磨磨粒。


2.根据权利要求1所述SiC衬底加工用纳米金刚石抛光液,其特征在于,所述分散剂选自柠檬酸钠、乳酸钠、三乙醇胺、烷基氧化铵、脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚、烷基醇酰胺中的一种或两种以上任意比例的混合物。


3.根据权利要求1所述SiC衬底加工用纳米金刚石抛光液,其特征在于,所述悬浮剂为羟乙基纤维素、羧甲基纤维素钠、膨润土、海藻酸钠、聚丙烯酸钠、聚丙烯酰胺、聚氨酯树脂、卡波树脂、改性聚脲中的一种或两种以上任意比例的混合物。


4.根据权利要求1所述S...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐明艳代克豁国燕冯兵强马亚飞
申请(专利权)人:郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
类型:发明
国别省市:河南;41

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