【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件的制造方法以及导热片
本公开涉及半导体器件的制造方法以及导热片。
技术介绍
近年来,随着多层布线板的布线的高密度化、对半导体封装的布线的高密度化、电子部件的搭载密度的增大、半导体元件自身的高集成化所导致的单位面积的发热量的增大等,期望提高半导体封装的散热性。其中,在CPU(中央处理装置,CentralProcessingUnit)、功率器件等发热量大的半导体器件中,要求优异的散热性。这些半导体器件具有通过在发热体、铝、铜等散热体之间夹持润滑脂、导热片等导热材料并使其密接而进行散热的结构(例如,参照专利文献1~4)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开平05-247268号公报专利文献2:日本特开平10-298433号公报专利文献3:日本专利第4743344号专利文献4:日本专利第5316254号
技术实现思路
专利技术要解决的课题近年来,伴随着半导体封装的高性能化,半导体芯片以及半导体封装的大型化不断发展。由于该大型化,在使用润 ...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的制造方法,包括如下工序:/n对于彼此之间配置有导热片的散热体与多个发热体,在所述导热片的厚度方向上施加压力,使所述散热体与所述多个发热体经由所述导热片而粘接,所述导热片在150℃下的压缩应力为0.10MPa时的压缩弹性模量为1.40MPa以下。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体器件的制造方法,包括如下工序:
对于彼此之间配置有导热片的散热体与多个发热体,在所述导热片的厚度方向上施加压力,使所述散热体与所述多个发热体经由所述导热片而粘接,所述导热片在150℃下的压缩应力为0.10MPa时的压缩弹性模量为1.40MPa以下。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其中,
根据通过稳态法测定的热阻求出的所述导热片的热导率为7W/(m·K)以上。
3.如权利要求1或2所述的半导体器件的制造方法,其中,
所述导热片的25℃下的粘接力为5.0N·mm以上。
4.如权利要求1~3中任一项所述的半导体器件的制造方法,其中,
所述压力为0.05MPa~10.00MPa。
5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法,其中,
所述压力为0.10MPa~0.50MPa。
6.如权利要求1~5中任一项所述的半...
【专利技术属性】
技术研发人员:小舩美香,矢岛伦明,
申请(专利权)人:昭和电工材料株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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