半导体器件的制造方法以及导热片技术

一种半导体器件的制造方法包括如下工序：对于彼此之间配置有导热片的散热体与多个发热体，在所述导热片的厚度方向上施加压力，使所述散热体与所述多个发热体经由所述导热片而粘接，所述导热片在150℃下的压缩应力为0.10MPa时的压缩弹性模量为1.40MPa以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件的制造方法以及导热片
本公开涉及半导体器件的制造方法以及导热片。
技术介绍
近年来，随着多层布线板的布线的高密度化、对半导体封装的布线的高密度化、电子部件的搭载密度的增大、半导体元件自身的高集成化所导致的单位面积的发热量的增大等，期望提高半导体封装的散热性。其中，在CPU(中央处理装置，CentralProcessingUnit)、功率器件等发热量大的半导体器件中，要求优异的散热性。这些半导体器件具有通过在发热体、铝、铜等散热体之间夹持润滑脂、导热片等导热材料并使其密接而进行散热的结构(例如，参照专利文献1～4)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平05－247268号公报专利文献2：日本特开平10－298433号公报专利文献3：日本专利第4743344号专利文献4：日本专利第5316254号
技术实现思路
专利技术要解决的课题近年来，伴随着半导体封装的高性能化，半导体芯片以及半导体封装的大型化不断发展。由于该大型化，在使用润滑脂作为导热材料的情况下，容易发生热循环时的泵出，难以确保充分的散热性。而且，近年来，增加了将CPU、GPU(GraphicsProcessingUnit，图形处理单元)等集成电路、HBM(highbandwidthmemory，高带宽存储器)等存储器等多个发热体搭载在基板上而构成的半导体器件的需求。在使用润滑脂作为散热体与多个发热体之间的导热材料的情况下，需要在各发热体上涂覆润滑脂并使其与散热体粘接，因此工序繁琐。另外，在各发热体的高度不同的情况下，通过润滑脂无法追随高低差，难以使多个发热体与散热体充分粘接。在使用导热片作为导热材料的情况下，在以往的制造方法中也无法追随多个发热体的高低差，有时无法获得充分的散热性。鉴于该状况，本公开的课题在于，提供一种能够制造散热性优异的半导体器件且工序被简化的半导体器件的制造方法、以及能够制造散热性优异的半导体器件的导热片。用来解决课题的手段上述用于解决课题的手段以下的方式包含。＜1＞一种半导体器件的制造方法，包括如下工序：对于彼此之间配置有导热片的散热体与多个发热体，在所述导热片的厚度方向上施加压力，使所述散热体与所述多个发热体经由所述导热片而粘接，所述导热片在150℃下的压缩应力为0.10MPa时的压缩弹性模量为1.40MPa以下。＜2＞如＜1＞所述的半导体器件的制造方法，其中，根据通过稳态法测定的热阻求出的所述导热片的热导率为7W/(m·K)以上。＜3＞如＜1＞或＜2＞所述的半导体器件的制造方法，其中，所述导热片的25℃下的粘接力为5.0N·mm以上。＜4＞如＜1＞～＜3＞中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，所述压力为0.05MPa～10.00MPa。＜5＞如＜4＞所述的半导体器件的制造方法，其中，所述压力为0.10MPa～0.50MPa。＜6＞如＜1＞～＜5＞中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，所述多个发热体为种类不同的多个发热体。＜7＞如＜1＞～＜6＞中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，所述多个发热体中的至少一个发热体的与所述导热片对置的面的面积为100mm2以上。＜8＞如＜1＞～＜7＞中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，所述多个发热体设于基板，所述基板的设置有所述多个发热体的面的面积为1000mm2以上。＜9＞如＜1＞～＜8＞中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，所述多个发热体的个数为三个以上。＜10＞一种导热片，其在150℃下的压缩应力为0.10MPa时的压缩弹性模量为1.40MPa以下，配置于半导体器件的散热体与多个发热体之间，用于粘接所述散热体与所述多个发热体。＜11＞如＜10＞所述的导热片，其中，根据通过稳态法测定的热阻求出的热导率为7W/(m·K)以上。专利技术效果根据本公开，可提供一种能够制造散热性优异的半导体器件且工序被简化的半导体器件的制造方法、以及能够制造散热性优异的半导体器件的导热片。附图说明图1表示本公开的一实施方式中的半导体器件的概略剖面图。图2表示对发热体的翘曲量进行说明的图。图3表示实施例中的基板上的半导体芯片的配置的俯视图。具体实施方式以下，对用于实施本专利技术的方式进行详细说明。但是，本专利技术并不限定于以下的实施方式。在以下的实施方式中，除了特别明示的情况以外，其构成要素(也包括要素步骤等)不是必须的。对于数值及其范围也相同，并不限制本专利技术。在本公开中，关于“工序”这一用语，除了与其他工序独立的工序之外，即使在不能与其他工序明确区分的情况下，只要可以实现该工序的目的，则也包括该工序。在本公开中，在使用“～”表示的数值范围中，“～”的前后所记载的数值分别作为最小值以及最大值而被包含。在本公开中阶段性地记载的数值范围中，一个数值范围中记载的上限值或者下限值也可以置换为其他阶段性的记载的数值范围的上限值或者下限值。另外，在本公开中所记载的数值范围中，其数值范围的上限值或者下限值也可以置换为实施例所示的值。在本公开中，各成分也可以包含多种相应的物质。在组合物中存在多种与各成分对应的物质的情况下，只要没有特别说明，各成分的含有率或者含量是指组合物中存在的该多种物质的合计的含有率或者含量。在本公开中，也可以包含多种属于各成分的粒子。在组合物中存在多种与各成分对应的粒子的情况下，只要没有特别说明，各成分的粒径是指组合物中存在的该多种粒子的混合物的值。在本公开中，关于“层”这一用语，在观察存在该层的区域时，除了形成于该区域的整体的情况之外，还包括仅形成在该区域的一部分的情况。在本公开中，“层叠”这一用语表示将层层叠，可以是结合两个以上的层，也可以是能够拆装两个以上的层。在本公开中参照附图对实施方式进行说明的情况下，该实施方式的构成并不限定于附图所示的构成。另外，各图中的部件的大小是概念性的，部件间的大小的相对关系并不限定于此。《半导体器件的制造方法》本公开的半导体器件的制造方法包括如下工序：对于彼此之间配置有导热片的散热体与多个发热体，在所述导热片的厚度方向上施加压力，使所述散热体与所述多个发热体经由所述导热片而粘接，所述导热片在150℃下的压缩应力为0.10MPa时的压缩弹性模量为1.40MPa以下。根据本公开的半导体器件的制造方法，能够使多个发热体一并与散热体粘接，并能够简化工序。〔发热体〕本公开中的发热体是经由导热片粘接散热体而进行散热的对象物。作为发热体，可列举半导体芯片、半导体封装等。发热体的大小没有特别限制。例如，各发热体的与导热片对置的面的面积可以为100mm2以上，可以为200mm2以上，也可以为400mm2以上。各发热体的与导热片对置的面的面积例如可以为1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制造方法，包括如下工序：/n对于彼此之间配置有导热片的散热体与多个发热体，在所述导热片的厚度方向上施加压力，使所述散热体与所述多个发热体经由所述导热片而粘接，所述导热片在150℃下的压缩应力为0.10MPa时的压缩弹性模量为1.40MPa以下。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体器件的制造方法，包括如下工序：
对于彼此之间配置有导热片的散热体与多个发热体，在所述导热片的厚度方向上施加压力，使所述散热体与所述多个发热体经由所述导热片而粘接，所述导热片在150℃下的压缩应力为0.10MPa时的压缩弹性模量为1.40MPa以下。


2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，
根据通过稳态法测定的热阻求出的所述导热片的热导率为7W/(m·K)以上。


3.如权利要求1或2所述的半导体器件的制造方法，其中，
所述导热片的25℃下的粘接力为5.0N·mm以上。


4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，
所述压力为0.05MPa～10.00MPa。


5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其中，
所述压力为0.10MPa～0.50MPa。


6.如权利要求1～5中任一项所述的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：小舩美香，矢岛伦明，
申请(专利权)人：昭和电工材料株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP