覆铜积层板及覆铜积层板的制造方法技术

本发明专利技术提供一种覆铜积层板，其维持树脂膜与导体层的密接性并且抑制皱褶的产生。本发明专利技术是一种覆铜积层板(1)，其具备：由热塑性树脂构成的基膜(10)、通过干镀法在基膜(10)的表面成膜的基底金属层(21)、以及在基底金属层(21)的表面成膜的铜层(22)。基底金属层(21)的平均膜厚为0.3～1.9nm。由于基底金属层(21)的平均膜厚为0.3nm以上，因此能够维持基膜(10)与导体层(20)的密接性。由于基底金属层(21)的平均膜厚为1.9nm以下，因此能够抑制基底金属层(21)在成膜中膜的温度上升，并能够抑制皱褶的产生。

【技术实现步骤摘要】
覆铜积层板及覆铜积层板的制造方法
本专利技术涉及覆铜积层板及覆铜积层板的制造方法。更详细而言，本专利技术涉及用于挠性印刷电路板(FPC)等的制造的覆铜积层板及该覆铜积层板的制造方法。
技术介绍
在液晶面板、笔记本电脑、数字相机、移动电话等电子设备中，使用在树脂膜的表面形成有线路图案的挠性印刷电路板。挠性印刷电路板由将铜箔积层于树脂膜而成的覆铜积层板来制造。电子设备处理的信息量逐年增加。因此，安装在电子设备的挠性印刷电路板有处理高频信号的需求。挠性印刷电路板的树脂膜中使用的绝缘树脂中有热固化性树脂与热塑性树脂。其中，热塑性树脂依据种类能够赋予低介电常数、低介电损耗的性质。由这种热塑性树脂构成的膜适用于高频用的挠性印刷电路板。专利文献1中公开了一种镀覆积层体，其是将基底层与铜层积层于作为热塑性树脂膜的液晶聚合物膜而成的。基底层是用溅射法成膜为厚度2～30nm的由镍、铬、包含镍的合金或包含铬的合金构成的层。通过设置基底层，能够提高树脂膜与导体层的密接性。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2014-233891号公报。
技术实现思路
然而，由于热塑性树脂膜不具有热固化性树脂膜程度的耐热性，因此在基底层的成膜中有时膜的温度变高、膜会变化而产生皱褶。从而生产性会降低。鉴于上述情况，本专利技术的目的在于提供一种维持树脂膜与导体层的密接性并且抑制皱褶产生的覆铜积层板以及该覆铜积层板的制造方法。第1专利技术的覆铜积层板的特征在于，具备：由热塑性树脂构成的基膜、通过干镀法在前述基膜的表面成膜的基底金属层、以及在前述基底金属层的表面成膜的铜层，前述基底金属层的平均膜厚为0.3～1.9nm。第2专利技术的覆铜积层板的特征在于，在第1专利技术中，前述基底金属层的平均膜厚为0.3～1.5nm。第3专利技术的覆铜积层板的特征在于，在第1或第2专利技术中，前述基底金属层由合金构成，该合金包含从由镍、铬、钒、钛、钼及铜组成的组中选出的至少2种元素。第4专利技术的覆铜积层板的特征在于，在第1～第3专利技术的任一项中，前述基膜的整体或表层为由液晶聚合物、聚醚醚酮、聚萘二甲酸乙二酯、氟树脂、热塑性聚酰亚胺或环烯烃聚合物构成的膜。第5专利技术的覆铜积层板的制造方法的特征在于，包括：通过干镀法在由热塑性树脂构成的基膜的表面将基底金属层成膜的工序；以及，在前述基底金属层的表面将铜层成膜的工序，前述基底金属层的平均膜厚为0.3～1.9nm。第6专利技术的覆铜积层板的制造方法的特征在于，在第5专利技术中，前述基底金属层的平均膜厚为0.3～1.5nm。第7专利技术的覆铜积层板的制造方法的特征在于，在第5或第6专利技术中，前述基底金属层由合金构成，该合金包含从由镍、铬、钒、钛、钼及铜构成的组中选出的至少2种元素。第8专利技术的覆铜积层板的制造方法的特征在于，在第5～第7专利技术的任一项中，前述基膜的整体或表层是由液晶聚合物、聚醚醚酮、聚萘二甲酸乙二酯、氟树脂、热塑性聚酰亚胺或环烯烃聚合物构成的膜。依据本专利技术，由于基底金属层的平均膜厚为0.3nm以上，因此能够维持基膜与导体层的密接性。另外，由于基底金属层的平均膜厚为1.9nm以下，因此能抑制基底金属层在成膜中膜的温度上升，并能抑制皱褶的产生。附图说明图1是本专利技术的一个实施方式的覆铜积层板的剖面图。其中，附图符号的说明如下：1:覆铜积层板；10:基膜；20:导体层；21:基底金属层；22:铜层。具体实施方式下面，基于附图说明本专利技术的实施方式。如图1所示，本专利技术的一个实施方式的覆铜积层板1由基膜10与在基膜10的表面成膜的导体层20构成。导体层20由基底金属层21与铜层22构成。基底金属层21与铜层22依序积层在基膜10的表面。如图1所示，导体层20可仅在基膜10的单面成膜，导体层20也可在基膜10的两面成膜。基膜10由热塑性树脂构成。作为热塑性树脂，优选具有低介电常数、低介电损耗的性质。此时，使用覆铜积层板1制造的挠性印刷电路板适合高频用。作为热塑性树脂，并无特别限定，可列举：液晶聚合物(LCP)、聚醚醚酮(PEEK)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、氟树脂(PTFE、PFA、FEP、ETFE、PCTFE)、热塑性聚酰亚胺(PI)、环烯烃聚合物(COP)。因此，作为基膜10，其整体能够使用由前述热塑性树脂构成的膜。另外，作为基膜10，也可使用芯材由热固化性聚酰亚胺等热固化性树脂构成且表层由前述热塑性树脂构成的膜。热塑性树脂中，在不损及基膜10以及覆铜积层板1的物性的范围内，可包含其他成分。例如，聚醚砜、聚醚酰亚胺、聚酰胺、聚碳酸酯、聚苯醚等聚合物、抗氧化剂、抗静电剂等添加剂也可含于热塑性树脂中。另外，出于提升作为膜的处理性等目的，可在热塑性树脂中掺合二氧化硅、粘土等无机材料、纤维等填充材料。对基膜10的厚度并无特别限定，但优选为10μm以上。若基膜10的厚度为10μm以上，则基底金属层21在成膜时不易产生皱褶。基膜10优选进行脱水处理。经脱水处理去除树脂所含的水分。由此，能够抑制因树脂所含的水分而导致基膜10与基底金属层21的密接性下降。基膜10与基底金属层21相接的表面优选进行表面改质处理。表面改质处理通过例如等离子体处理、离子束照射、紫外线照射来进行。经由表面改质处理，树脂表面成为清洁状态，并且脆弱的层被去除。另外，通过将极性基团导入树脂表面，能够提高与基底金属层21的界面的密接力。基底金属层21通过干镀法在基膜10的表面成膜。作为干镀法，并无特别限定，可列举：真空蒸镀法、溅射法、离子镀法。这些中优选溅射法。例如能够使用卷对卷方式的溅射装置在基膜10的表面将基底金属层21成膜。更详细而言，将长条状的基膜10装设在溅射装置内的放卷辊及收卷辊之间。在将溅射装置内抽真空后，导入氩气并维持在0.13～1.3Pa左右。在此状态下，一边以1～20m/分钟左右的速度搬运基膜10，一边对阴极供给电力并进行溅射放电，在基膜10的表面连续地使基底金属层21成膜。基底金属层21由合金形成，该合金包含从由镍、铬、钒、钛、钼及铜组成的组中选出的至少2种元素。基底金属层21中可存在溅射靶所含的1重量％以下的无法避免的杂质。一般而言，溅射靶与成膜的金属薄膜的组成几乎相同。若使用具有所期望组成的溅射靶作为基底金属层21，则能够使具有相同组成的基底金属层21成膜。基底金属层21的平均膜厚优选设为0.3～1.9nm。在通过溅射法将基底金属层21成膜时，能够通过基膜10的搬运速度及溅射条件调整基底金属层21的平均膜厚。若将基底金属层21的平均膜厚设为0.3nm以上，则能够维持基膜10与导体层20的密接性。相对于此，若基底金属层21的平均膜厚小于0.3nm，则在进行线路加工时，蚀刻液会渗透，线路部会浮起，因此线路剥离强度会降低。另外，若将基底金属层21的平均膜厚设为1.9nm以下，则能够抑制基底金属层21在成膜中的膜的温本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种覆铜积层板，其特征在于，/n具备：由热塑性树脂构成的基膜；/n通过干镀法在所述基膜的表面成膜的基底金属层；以及/n在所述基底金属层的表面成膜的铜层，/n所述基底金属层的平均膜厚为0.3～1.9nm。/n

【技术特征摘要】
20191002 JP 2019-1823531.一种覆铜积层板，其特征在于，
具备：由热塑性树脂构成的基膜；
通过干镀法在所述基膜的表面成膜的基底金属层；以及
在所述基底金属层的表面成膜的铜层，
所述基底金属层的平均膜厚为0.3～1.9nm。


2.如权利要求1所述的覆铜积层板，其中，所述基底金属层的平均膜厚为0.3～1.5nm。


3.如权利要求1所述的覆铜积层板，其中，所述基底金属层由合金构成，该合金包含从由镍、铬、钒、钛、钼及铜组成的组中选出的至少2种元素。


4.如权利要求1所述的覆铜积层板，其中，所述基膜的整体或表层是由液晶聚合物、聚醚醚酮、聚萘二甲酸乙二酯、氟树脂、热塑性聚酰亚胺或环...

【专利技术属性】
技术研发人员：永田纯一，丹波裕规，
申请(专利权)人：住友金属矿山株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP