低波动无触点稳压器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低波动无触点稳压器，包括：原极串联连接的变压器ＴＢ１、变压器ＴＢ２、变压器ＴＢ３和变压器ＴＢ４，变压器ＴＢ１并联可控硅ＳＣＲ１、串联可控硅ＳＣＲ２，变压器ＴＢ２并联可控硅ＳＣＲ３、串联可控硅ＳＣＲ４，变压器ＴＢ３并联可控硅ＳＣＲ５、串联可控硅ＳＣＲ６，变压器ＴＢ４并联可控硅ＳＣＲ７串联可控硅ＳＣＲ８，可控硅ＳＣＲ２、可控硅ＳＣＲ４、可控硅ＳＣＲ６、可控硅ＳＣＲ８串联连接在可控硅ＳＣＲ１２和可控硅ＳＣＲ１４之间，变压器的次级的另一端连接在可控硅ＳＣＲ１１和可控硅ＳＣＲ１３之间；四个变压器的变压之比为１∶２∶２∶２；控制各个可控硅导通或关闭的控制芯片连接所述可控硅，决定全部或部分变压器导通或断开，所述各个变压器还并联消除励磁的阻容。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及稳压器，特别是指一种低波动无触点稳压器。
技术介绍
在补偿式无触点稳压器的电压调整是有"级，，调整，不同的有"级，，就有不同的调整效果。现有的稳压器调整采用的级别为1、 3、 6、 9 或l、 2、 4、 8,该种类级别的稳压器，存在调节幅度较大，稳压效果 较差的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本技术在于提供一种低波动无触点稳压器，以解 决上述现有的稳压器调节幅度大，稳压效果差的问题。为解决上述问题，本技术提供一种低波动无触点稳压器，包 括原极串联连接的变压器TB1、变压器TB2、变压器TB3和变压器 TB4，变压器TBI并联可控硅SCR1、串联可控硅SCR2，变压器TB2 并联可控硅SCR3、串联可控硅SCR4，变压器TB3并联可控硅SCR5、 串联可控硅SCR6,变压器TB4并联可控硅SCR7串4关可控硅SCR8, 可控硅SCR2、可控硅SCR4、可控硅SCR6、可控硅SCR8串联连接 在可控硅SCR12和可控硅SCR14之间，变压器的次级的另一端连接 在可控硅SCR11和可控硅SCR13之间；可控硅SCR12、可控硅SCR14 与可控硅SCR11和可控硅SCR13形成并联后连接火线和零线；变压 器TB1、变压器TB2、变压器TB3和变压器TB4的变压之比为1: 2: 2: 2;控制各个可控硅导通或关闭的控制芯片连接所述可控硅，决定 全部或部分变压器导通或断开，所述各个变压器还并^:消除励;兹的阻 容。本技术中稳压器，可实现多级的电压补偿，且浮动小、精度高，稳压效果好。附图说明图1是实施例中稳压器的示意图。具体实施方式为清楚说明本技术中的技术方案，下面给出优选的实施例并 结合附图详细说明。参见图1,该稳压器包括原极串联在一起的四个变压器TB1、 TB2、 TB3、 TB4,每个变压 器的次级并联励磁的阻容Q、并联可控硅，再串联可控硅。变压器TBI并联可控硅SCR1、串联可控硅SCR2，变压器TB2 并if关可控硅SCR3、串联可控硅SCR4，变压器TB3并4关可控硅SCR5、 串联可控硅SCR6,变压器TB4并联可控硅SCR7、串联可控硅SCR8, 可控硅SCR2、可控硅SCR4、可控硅SCR6、可控硅SCR8串联连接 在可控硅SCR12和SCR14之间，变压器的次级的另 一端连接在可控 硅SCR11和SCR13之间；可控硅SCR12、 SCR14与可控硅SCR11和 SCR13形成并联后连接火线L和零线N。各个变压器之间的电压比为1: 2: 2: 2。假设，稳压调整精度为 5.5V,则变压器TBI输出电压为5.5V，变压器TB2、变压器TB3和 变压器TB4为11V,该稳压器连接控制芯片，由控制芯片控制可控硅 的导通，从而实现各个级别的调节，根据稳压精度的要求，确定单位 电压调整量；根据要求的输入电压范围，确定调整电压的"级"数。 例如当稳压精度为5.5V,输入电压范围为±44V时，单位电压调整 量为5.5V,调整电压的"级"数为7级。我们就按照1, 2， 2, 2的 编码规整确定每只补偿变压器的调整量，电压补偿量各为5.5V, 11V, IIV， IIV。补偿变压器的工作状态如表1。变压器^\1 x 5.52x 5.53 x 5.54 x 5.55 x 5.56 x 5.57 x 5.5I (5.5V)▲▲▲▲II ( 11V)▲▲▲▲II ( 11V)▲▲▲▲n ( 11V)▲表1控制芯片控制时，如果需要补偿5.5V电压，则控制可控硅SCR1 断开、导通可控硅SCR2,断开可控硅SCR4、可控硅SCR6、可控硅 SCR8;导通可控硅SCRll、可控硅SCR14，断开可控石圭SCR12、可 控硅SCR13。从而实现5.5V的电压补偿，其它级别的电压补偿可参 见表1。稳压器上还连接防止励磁电流的可控硅SCR15,可控硅SCR15 的一端连接在火线L上，另 一端连接可控硅SCRll、可控硅SCR13。本技术中稳压器，可实现多级的电压补偿，且浮动小、精度 高，稳压效果好。对于本技术各个实施例中所阐述的稳压器，凡 在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进 等，均应包含在本技术的保护范围之内。权利要求1、一种低波动无触点稳压器，其特征在于，包括原极串联连接的变压器TB1、变压器TB2、变压器TB3和变压器TB4，变压器TB1并联可控硅SCR1、串联可控硅SCR2，变压器TB2并联可控硅SCR3、串联可控硅SCR4，变压器TB3并联可控硅SCR5、串联可控硅SCR6，变压器TB4并联可控硅SCR7串联可控硅SCR8，可控硅SCR2、可控硅SCR4、可控硅SCR6、可控硅SCR8串联连接在可控硅SCR12和可控硅SCR14之间，变压器的次级的另一端连接在可控硅SCR11和可控硅SCR13之间；可控硅SCR12、可控硅SCR14与可控硅SCR11和可控硅SCR13形成并联后连接火线和零线；变压器TB1、变压器TB2、变压器TB3和变压器TB4的变压之比为1∶2∶2∶2；控制各个可控硅导通或关闭的控制芯片连接所述可控硅，决定全部或部分变压器导通或断开。2、根据权利要求1所述的低波动无触点稳压器，其特征在于， 所述各个变压器还并联消除励磁的阻容。专利摘要本技术公开了一种低波动无触点稳压器，包括原极串联连接的变压器TB1、变压器TB2、变压器TB3和变压器TB4，变压器TB1并联可控硅SCR1、串联可控硅SCR2，变压器TB2并联可控硅SCR3、串联可控硅SCR4，变压器TB3并联可控硅SCR5、串联可控硅SCR6，变压器TB4并联可控硅SCR7串联可控硅SCR8，可控硅SCR2、可控硅SCR4、可控硅SCR6、可控硅SCR8串联连接在可控硅SCR12和可控硅SCR14之间，变压器的次级的另一端连接在可控硅SCR11和可控硅SCR13之间；四个变压器的变压之比为1∶2∶2∶2；控制各个可控硅导通或关闭的控制芯片连接所述可控硅，决定全部或部分变压器导通或断开，所述各个变压器还并联消除励磁的阻容。文档编号G05F1/12GK201251718SQ20082015243公开日2009年6月3日 申请日期2008年8月28日 优先权日2008年8月28日专利技术者坚 吕, 泮金德 申请人:上海华润特种变压器成套有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低波动无触点稳压器，其特征在于，包括：原极串联连接的变压器ＴＢ１、变压器ＴＢ２、变压器ＴＢ３和变压器ＴＢ４，变压器ＴＢ１并联可控硅ＳＣＲ１、串联可控硅ＳＣＲ２，变压器ＴＢ２并联可控硅ＳＣＲ３、串联可控硅ＳＣＲ４，变压器ＴＢ３并联可控硅ＳＣＲ５、串联可控硅ＳＣＲ６，变压器ＴＢ４并联可控硅ＳＣＲ７串联可控硅ＳＣＲ８，可控硅ＳＣＲ２、可控硅ＳＣＲ４、可控硅ＳＣＲ６、可控硅ＳＣＲ８串联连接在可控硅ＳＣＲ１２和可控硅ＳＣＲ１４之间，变压器的次级的另一端连接在可控硅ＳＣＲ１１和可控硅ＳＣＲ１３之间；可控硅ＳＣＲ１２、可控硅ＳＣＲ１４与可控硅ＳＣＲ１１和可控硅ＳＣＲ１３形成并联后连接火线和零线；变压器ＴＢ１、变压器ＴＢ２、变压器ＴＢ３和变压器ＴＢ４的变压之比为１∶２∶２∶２；控制各个可控硅导通或关闭的控制芯片连接所述可控硅，决定全部或部分变压器导通或断开。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：泮金德，吕坚，
申请(专利权)人：上海华润特种变压器成套有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]