无触点交流稳压器制造技术

技术编号:12236665 阅读:114 留言:0更新日期:2015-10-23 18:45
本实用新型专利技术公开了一种无触点交流稳压器,包括:具有多个抽头的自耦变压器;耦接于自耦变压器的多个双向可控硅;输入、输出电压采样电路,分别耦接于自耦变压器的一次侧和二次侧,用以检测自耦变压器的输入、输出电压,并输出相应的输入、输出电压采样信号;电流过零信号采样电路,用以检测自耦变压器一次侧的输入电流是否过零,并在该输入电压过零时输出相应的电流过零信号;输出电流检测电路,耦接于检测自耦变压器的二次侧,用以检测自耦变压器的输出电流,并输出相应的电流检测值;主控电路。本实用新型专利技术具有使用寿命长、可靠性高的特点。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种交流稳压器,更具体地说,它涉及一种无触点交流稳压器
技术介绍
普通交流稳压器都存在触点接触和碳刷接触问题,随着大电流的通过,在触点接触面存在电弧的问题,影响了交流稳压器的使用寿命,降低了可靠性。碳刷架与调压变压器之间为机械传动,因此碳刷架磨损较大。而且碳刷架磨损到一定程度,则需要更换,导致交流稳压器的寿命较短。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足,本技术的目的在于提供一种无触点交流稳压器,具有使用寿命长、可靠性高的特点。为实现上述目的,本技术提供了如下技术方案:一种无触点交流稳压器,包括:具有多个抽头的自耦变压器;耦接于所述自耦变压器的多个双向可控娃;输入、输出电压米样电路,分别親接于自親变压器的一次侧和二次侦!|,用以检测自親变压器的输入、输出电压,并输出相应的输入、输出电压米样信号;电流过零信号采样电路,用以检测自耦变压器一次侧的输入电流是否过零,并在该输入电压过零时输出相应的电流过零信号;输出电流检测电路,耦接于检测自耦变压器的二次侧,用以检测自耦变压器的输出电流,并输出相应的电流检测值;主控电路,响应于所述输入电压采样信号、输出电压采样信号以及电流过零信号,并通过切换多个双向可控硅的开断以改变自耦变压器的匝数比,从而调整自耦变压器的输出电压,以及当电流检测值大于预设值时,切断自耦变压器的输出。进一步的,所述主控电路包括:MCU控制芯片,响应于该输入电压采样信号、输出电压采样信号以及电流过零信号输出相应的译码信号;译码电路,响应于该译码信号以输出该选择信号;可控硅控制电路,接收该电流检测值,并且在该电流检测值小于预设值时,响应于该选择信号控制相应的双向可控硅开断,以及在该电流检测值大于预设值时,通过断开相应的双向可控硅以切断自耦变压器的输出。进一步的,所述输入电压采样电路包括:依次串联的第一至第四电阻,第四电阻的一端接地;一第一二极管,其阴极耦接于第一电阻,阳极耦接于自耦变压器的一次侧;依次串联的第五、第六电阻,第五电阻的一端耦接于自耦变压器的一次侧;一第二二极管,其阴极耦接于所述第六电阻,阳极接地;一 NPN三极管,其基极耦接于第二二极管的阴极,发射极接地,集电极通过一第七电阻耦接于5V电平。进一步的,所述输出电压采样电路包括:依次串联的第一至第四电阻,第四电阻的一端接地;一第一二极管,其阴极耦接于第一电阻,阳极耦接于自耦变压器的二次侧;一第一电解电容,与第四电阻并联。进一步的,所述电流过零信号采样电路包括:一第一电阻,其一端耦接于自耦变压器一次侧的零线;一第一二极管,其阴极耦接于第一电阻的另一端,阳极接地;一第一电容,其一端耦接于第一电阻的该一端,另一端耦接于第一二极管的阳极;一运算放大器,其反相端耦接于第一二极管的阴极,同相端通过一第二电阻接地,输出端耦接于MCU主控电路;一第二二极管,其阴极接地,阳极通过一第三电阻耦接于运算放大器的同相端;一第四电阻,其一端耦接于第二二极管的阳极,另一端耦接于5V电平;一第五电阻,其一端耦接于运算放大器的输出端,另一端耦接于5V电平。进一步的,所述输出电路检测电路包括:电流互感器,其一次侧耦接于自耦变压器的二次侧;整流桥,其输入端耦接于电流互感器的二次侧;稳压滤波电路,其输入端耦接于整流桥的输出端,以输出该电流检测值。进一步的,还包括冷风机监控电路,用于实时输出代表冷风机转速的转速信号;所述冷风机监控电路包括:一第一二极管,其阳极耦接于第一 NMOS管的漏极,阴极耦接于12V电平,冷风极的正极耦接于该12V电平;依次串联的第一、第二电阻,第一电阻的一端耦接于5V电平;一第一电容,其一端耦接于第二电阻,另一端接地;其中,冷风机内部的霍尔传感器的输出端耦接于第一、第二电阻之间。与现有技术相比,本技术的优点是:利用双向可控硅,实现零电流切换,并利用双向可控硅导通压降在过零时会变零的特点,来判断自耦变压器一次侧的主线路电流是否过零,并切换相应的双向可控硅导通和判断,从而避免了可控硅承受大电流的冲击,延长了可控硅的寿命,同时也延长了交流稳压器的使用寿命,提高了可靠性。【附图说明】图1为本技术实施例中自耦变压器以及双向可控硅的电路图;图2为本技术实施例中输入、输出电压采样电路的电路图;图3为本技术实施例中MCU主控芯片以及译码电路的电路图;图4为本技术实施例中输出电流检测电路的电路图;图5为本技术实施例中图6至图9为本技术实施例中第一至第八可控硅触发电路的电路图;图10为本技术实施例中电流过零信号采样电路的电路图;图11为本技术实施例中冷风机监控电路的电路图;图12为本技术实施例中工作电源电路的电路图。附图标记:100、输入电压采样电路,200、输出电压采样电路,300、电流过零信号采样电路,400、输出电流检测电路,510、过载保护电路,520、可控硅触发电路600、冷风机监控电路,700、工作电源电路。【具体实施方式】参照图1至图12对本技术的实施例做进一步说明。一种无触点交流稳压器,包括具有多个抽头的自耦变压器、耦接于自耦变压器的多个双向可控硅、输入电压采样电路、输出电压采样电路、电流过零信号采样电路、输出电流检测电路、温度检测电路、以及主控电路。在本实施例中,该自耦变压器的一次侧的中间具有4个与一次侧的高端耦接的抽头,二次侧的中间具有2个与二次侧的高端耦接的抽头,每一个抽头上均串联有一个双向可控硅(Ql、Q2、Q3、Q4、Q7、Q8),自耦变压器的一次侧和二次侧的高、低端均串联有一个双向可控硅(Q5、Q6、Q9、)。参照图2,输入电压采样电路包括电阻R1?R7、二极管D1?D2和NPN三极管Q10。其中,电阻R1?R4依次串联,电阻R4的一端接地,二极管D1的阴极耦接于电阻R1,阳极耦接于自耦变压器的一次侧,电阻R5的一端耦接于自耦变压器的一次侧,二极管D2的阴极耦接于电阻R6,阳极接地。NPN三极管Q10的基极耦接于二极管D2的阴极,发射极接地,集电极通过电阻R7耦接于5V电平。因此,自电阻R3和R4之间产生输入电压采样信号V_line,自NPN三极管Q10的集电极产生输入电压过零信号V-ZERO。参照图2,输出电压采样电路包括电阻R8?R11、二极管D3和电解电容C1。其中,电阻R8?R11依次串联,电阻R11的一端接地,二极管D3的阴极耦接于电阻R8,阳极耦接于自耦变压器的二次侧,电解电容C1与电阻R11并联。因此,自电解电容C1的正极产生输出电压米样信号Vo。本实施例中,主控电路包括MCU控制芯片,响应于该输入电压采样信号、输出电压采样信号、温度信号以及电流过零信号输出相应的译码信号;译码电路,响应于该译码信号以输出该选择信号;可控硅控制电路,接收该电流检测值,并且在该电流检测值小于预设值时,响应于该选择信号控制相应的双向可控硅开断,以及在该电流检测值大于预设值时,通过断开相应的双向可控硅以切断自耦变压器的输出。参照图3,MCU主控芯片U1的型号为STC12LE5410AD,译码电路包括两片三八译码器U2和U3,其型号为M74HC138M1R,MCU主控芯片U1和三八译码器U2、U3的引脚连接关系参照附图即可,本实施例不再赘述。参照图4,输出电流检测本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无触点交流稳压器,其特征是,包括:具有多个抽头的自耦变压器;耦接于所述自耦变压器的多个双向可控硅;输入、输出电压采样电路,分别耦接于自耦变压器的一次侧和二次侧,用以检测自耦变压器的输入、输出电压,并输出相应的输入、输出电压采样信号;电流过零信号采样电路,用以检测自耦变压器一次侧的输入电流是否过零,并在该输入电压过零时输出相应的电流过零信号;输出电流检测电路,耦接于检测自耦变压器的二次侧,用以检测自耦变压器的输出电流,并输出相应的电流检测值;主控电路,响应于所述输入电压采样信号、输出电压采样信号以及电流过零信号,并通过切换多个双向可控硅的开断以改变自耦变压器的匝数比,从而调整自耦变压器的输出电压,以及当电流检测值大于预设值时,切断自耦变压器的输出。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:钱晓滨
申请(专利权)人:乐清一元电气科技有限公司
类型:新型
国别省市:浙江;33

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