一种背板组件、制程方法和显示装置制造方法及图纸

本申请提供一种背板组件、制程方法和显示装置，背板组件包括基板、第一金属层、透明金属氧化层、缓冲层以及有源层，基板具有相对设置的第一面和第二面，第一金属层设置在所述第一面，透明金属氧化层设置在所述第一金属层远离所述基板的一面，所述透明金属氧化层和所述第一金属层形成源漏极、遮光层以及焊盘，缓冲层设置在透明金属氧化层远离所述基板的一面，且覆盖所述第一面，所述缓冲层设有过孔，所述过孔位置与所述源漏极对应，有源层设置在缓冲层远离所述基板的一面，所述有源层包括沟道区以及沟道区两侧的非沟道区，所述沟道区通过所述过孔与所述源漏极连接。本申请实施例能够节省至少一道掩膜工艺，降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种背板组件、制程方法和显示装置
本申请涉及显示
，具体涉及一种背板组件、制程方法和显示装置。
技术介绍
Min和MicroLED(统称为：MLED)显示技术在近两年进入加速发展阶段，可以使用在中小型高附加价值显示器应用领域。相较OLED屏幕，MLED显示可以在成本、对比度、高亮度和轻薄外形上表现出更佳性能。在MLED显示技术中，背板技术作为关键技术。目前Micro-LED背板技术工艺比较复杂，大大增加背板成本，不利于micro-LED显示技术的量产。
技术实现思路
本申请实施例提供一种背板组件、制程方法和显示装置，能够减少背板的工序，降低背板的生产成本。本申请提供一种背板组件，包括：基板，具有相对设置的第一面和第二面；第一金属层，设置在所述第一面；透明金属氧化层，设置在所述第一金属层远离所述基板的一面，所述透明金属氧化层和所述第一金属层形成源漏极、遮光层以及焊盘；缓冲层，设置在透明金属氧化层远离所述基板的一面，且覆盖所述第一面，所述缓冲层设有过孔，所述过孔位置与所述源漏极对应；有源层，设置在缓冲层远离所述基板的一面，所述有源层包括沟道区以及沟道区两侧的非沟道区，所述沟道区通过所述过孔与所述源漏极连接。在一些实施例中，还包括绝缘层和第二金属层，所述绝缘层设置在所述有源层远离所述基板的一面，所述第二金属层设置在所述绝缘层远离所述基板的一面。在一些实施例中，还包括第一钝化层和第三金属层，所述第一钝化层设置在所述第二金属层远离所述基板的一面，且覆盖所述有源层和缓冲层，所述第一钝化层具有接触孔，所述第三金属层设置在所述第一钝化层远离所述基板的一面，所述第三金属层通过接触孔与所述有源层的非沟道区连接。在一些实施例中，还包括芯片，所述第三金属层远离所述基板的一面设有凹陷，所述凹陷位于所述接触孔内，所述芯片设置在所述第三金属层远离所述基板的一面，且位于所述凹陷内。在一些实施例中，还包括第二钝化层和黑矩阵，所述第二钝化层设置在所述第一钝化层远离所述基板的一面，所述第二钝化层部分覆盖所述第三金属层，所述黑矩阵设置在所述第二钝化层远离所述基板的一面。在一些实施例中，所述透明金属氧化层为氧化铟锌或者氧化铟锡。本申请实施例还提供一种背板组件的制程方法，包括：提供一基板，所述基板具有相对设置的第一面和第二面；在所述第一面设置第一金属层；在所述第一金属层远离所述基板的一面设置透明金属氧化层；将所述透明金属氧化层和所述第一金属层通过图案化形成源漏极、遮光层以及焊盘；在所述透明金属氧化层远离所述基板的一面设置缓冲层，所述缓冲层覆盖所述第一面，所述缓冲层设有过孔，所述过孔位置与所述源漏极对应；在所述缓冲层远离所述基板的一面设置有源层，所述有源层包括沟道区以及沟道区两侧的非沟道区，所述沟道区通过所述过孔与所述源漏极连接。在一些实施例中，所述在透明金属氧化层远离所述基板的一面设置缓冲层，包括：在所述透明金属氧化层远离所述基板的一面沉积缓冲过渡层；将所述缓冲过渡层进行图案化处理；对图案化处理后的缓冲过渡层进行退火处理以形成缓冲层，其中，退火的温度为300-400℃，退火时间为2-3小时。在一些实施例中，所述在缓冲层远离所述基板的一面设置有源层之后，包括：在所述有源层远离所述基板的一面设置第一钝化层，所述第一钝化层设置有接触孔；在所述第一钝化层远离所述基板的一面设置第三金属层，所述第三金属层通过接触孔与所述有源层连接；在所述第三金属层远离所述基板的一面设置芯片。本申请实施例还提供一种显示装置，包括以上实施例所述的背板组件。本申请实施例所提供的背板组件、制程方法和显示装置，背板组件包括基板、第一金属层、透明金属氧化层、缓冲层以及有源层，基板具有相对设置的第一面和第二面，第一金属层设置在所述第一面，透明金属氧化层设置在所述第一金属层远离所述基板的一面，所述透明金属氧化层和所述第一金属层形成源漏极、遮光层以及焊盘，缓冲层设置在透明金属氧化层远离所述基板的一面，且覆盖所述第一面，所述缓冲层设有过孔，所述过孔位置与所述源漏极对应，有源层设置在缓冲层远离所述基板的一面，所述有源层包括沟道区以及沟道区两侧的非沟道区，所述沟道区通过所述过孔与所述源漏极连接。本申请实施例通过所述透明金属氧化层和所述第一金属层同时充当源漏极、遮光层，该方案能够节省一道掩膜工艺，同时通过透明金属氧化层可以降低非沟道区和源漏极搭接的接触电阻，并且充当焊盘，可以进一步节省后续阳极一道掩膜工艺。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请实施例提供的背板组件的结构示意图。图2为本申请实施例提供的背板组件的另一个结构示意图。图3为本申请实施例提供的背板组件的制程方法的流程示意图。图4为本申请实施例提供的背板组件的制程方法的场景示意图。图5为本申请实施例提供的显示装置的结构示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。需要说明的是，在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。本申请实施例提供一种背板组件、制程方法和显示装置，以下对背板组件做详细介绍。请参阅图1，图1为本申请实施例提供的背板组件的结构示意图。其中，背板组件10包括基板11、第一金属层12、透明金属氧化层13、缓冲层14以及有源层15，基板11具有相对设置的第一面11a和第二面11b，第一金属层12设置在所述第一面11a，透明金属氧化层13设置在所述第一金属层12远离所述基板11的一面，所述透明金属氧化层13和所述第一金属层12形成源漏极101、遮光层102以及焊盘103，缓冲层14设置在透明金属氧化层13远离所述基板11的一面，且覆盖所述第一面11a，所述缓冲层14设有过孔141，所述过孔141位置与所述源漏极101对应，有源层15设置在缓冲层14远离所述基板11的一面，所述有源层15包括沟道区151以及沟道区151两侧的非沟道区152，所述沟道区151通过所述过孔141与所述源漏极101连接。需要说明的是，基板11的材料可以为玻璃，当本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背板组件，其特征在于，包括：/n基板，具有相对设置的第一面和第二面；/n第一金属层，设置在所述第一面；/n透明金属氧化层，设置在所述第一金属层远离所述基板的一面，所述透明金属氧化层和所述第一金属层形成源漏极、遮光层以及焊盘；/n缓冲层，设置在所述透明金属氧化层远离所述基板的一面，且覆盖所述第一面，所述缓冲层设有过孔，所述过孔位置与所述源漏极对应；/n有源层，设置在所述缓冲层远离所述基板的一面，所述有源层包括沟道区以及沟道区两侧的非沟道区，所述沟道区通过所述过孔与所述源漏极连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种背板组件，其特征在于，包括：
基板，具有相对设置的第一面和第二面；
第一金属层，设置在所述第一面；
透明金属氧化层，设置在所述第一金属层远离所述基板的一面，所述透明金属氧化层和所述第一金属层形成源漏极、遮光层以及焊盘；
缓冲层，设置在所述透明金属氧化层远离所述基板的一面，且覆盖所述第一面，所述缓冲层设有过孔，所述过孔位置与所述源漏极对应；
有源层，设置在所述缓冲层远离所述基板的一面，所述有源层包括沟道区以及沟道区两侧的非沟道区，所述沟道区通过所述过孔与所述源漏极连接。


2.根据权利要求1所述的背板组件，其特征在于，还包括绝缘层和第二金属层，所述绝缘层设置在所述有源层远离所述基板的一面，所述第二金属层设置在所述绝缘层远离所述基板的一面。


3.根据权利要求2所述的背板组件，其特征在于，还包括第一钝化层和第三金属层，所述第一钝化层设置在所述第二金属层远离所述基板的一面，且覆盖所述有源层和缓冲层，所述第一钝化层具有接触孔，所述第三金属层设置在所述第一钝化层远离所述基板的一面，所述第三金属层通过接触孔与所述有源层的非沟道区连接。


4.根据权利要求3所述的背板组件，其特征在于，还包括芯片，所述第三金属层远离所述基板的一面设有凹陷，所述凹陷位于所述接触孔内，所述芯片设置在所述第三金属层远离所述基板的一面，且位于所述凹陷内。


5.根据权利要求4所述的背板组件，其特征在于，还包括第二钝化层和黑矩阵，所述第二钝化层设置在所述第一钝化层远离所述基板的一面，所述第二钝化层部分覆盖所述第三金属层，所述黑矩阵设置在所述第二钝化层远离所述基板的一面。

【专利技术属性】
技术研发人员：罗传宝，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44