绝缘体上半导体（SOI）衬底及其形成方法、集成电路技术

本申请的各个实施例针对一种用于形成具有厚器件层和厚绝缘体层的绝缘体上半导体(SOI)衬底的方法。在一些实施例中，该方法包括形成覆盖处理衬底的绝缘体层，以及在牺牲衬底上外延形成器件层。将牺牲衬底接合到处理衬底，使得器件层和绝缘体层位于牺牲衬底和处理衬底之间，并且去除牺牲衬底。去除包括对牺牲衬底执行蚀刻，直到到达器件层。因为器件层是通过外延形成的并且转移到处理衬底，所以器件层可以形成为具有较大的厚度。此外，因为外延不受绝缘体层的厚度的影响，所以绝缘体层可以形成为具有较大的厚度。本发明专利技术的实施例还涉及绝缘体上半导体(SOI)衬底及其形成方法、集成电路。

【技术实现步骤摘要】
绝缘体上半导体(SOI)衬底及其形成方法、集成电路
本专利技术的实施例涉及绝缘体上半导体(SOI)衬底及其形成方法、集成电路。
技术介绍
集成电路传统上形成在体半导体衬底上。近年来，绝缘体上半导体(SOI)衬底已经作为体半导体衬底的替代出现。SOI衬底包括处理衬底、位于处理衬底上面的绝缘体层和位于绝缘体层上面的器件层。其中，SOI衬底导致减小的寄生电容、减小的漏电流、减小的闩锁以及改进的半导体器件性能(例如，较低的功耗和较高的切换速度)。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种绝缘体上半导体(SOI)衬底，包括：处理衬底；器件层，位于所述处理衬底上面；以及绝缘体层，将所述处理衬底与所述器件层分隔开，所述绝缘体层在第一界面处与所述器件层接触，并且在第二界面处与所述处理衬底接触，其中，所述绝缘体层包括具有吸气剂浓度轮廓的吸气剂材料，所述吸气剂浓度轮廓具有在所述第一界面处的第一峰值浓度、在所述第二界面处的第二峰值浓度以及在所述第一界面和所述第二界面之间的位置处的谷浓度，所述谷浓度小于所述第一峰值浓度和所述第二峰值浓度中的每个。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种绝缘体上半导体(SOI)衬底，包括：/n处理衬底；/n器件层，位于所述处理衬底上面；以及/n绝缘体层，将所述处理衬底与所述器件层分隔开，所述绝缘体层在第一界面处与所述器件层接触，并且在第二界面处与所述处理衬底接触，其中，所述绝缘体层包括具有吸气剂浓度轮廓的吸气剂材料，所述吸气剂浓度轮廓具有在所述第一界面处的第一峰值浓度、在所述第二界面处的第二峰值浓度以及在所述第一界面和所述第二界面之间的位置处的谷浓度，所述谷浓度小于所述第一峰值浓度和所述第二峰值浓度中的每个。/n

【技术特征摘要】
20190930 US 62/907,976;20200730 US 16/943,1981.一种绝缘体上半导体(SOI)衬底，包括：
处理衬底；
器件层，位于所述处理衬底上面；以及
绝缘体层，将所述处理衬底与所述器件层分隔开，所述绝缘体层在第一界面处与所述器件层接触，并且在第二界面处与所述处理衬底接触，其中，所述绝缘体层包括具有吸气剂浓度轮廓的吸气剂材料，所述吸气剂浓度轮廓具有在所述第一界面处的第一峰值浓度、在所述第二界面处的第二峰值浓度以及在所述第一界面和所述第二界面之间的位置处的谷浓度，所述谷浓度小于所述第一峰值浓度和所述第二峰值浓度中的每个。


2.根据权利要求1所述的绝缘体上半导体衬底：
其中，所述器件层设置在所述处理衬底的上表面上方；并且
其中，所述绝缘体层覆盖所述处理衬底的上表面以将所述处理衬底的上表面与所述器件层分隔开，覆盖所述处理衬底的下表面，并且覆盖所述处理衬底的侧壁。


3.根据权利要求2所述的绝缘体上半导体衬底，其中，所述第二界面对应于所述处理衬底的上表面与所述绝缘体层接触的点，并且所述第一峰值浓度小于所述第二峰值浓度。


4.根据权利要求2所述的绝缘体上半导体衬底，其中，所述第二界面对应于所述处理衬底的上表面与所述绝缘体层接触的点，并且所述第一峰值浓度等于所述第二峰值浓度。


5.根据权利要求4所述的绝缘体上半导体衬底，其中，所述吸气剂材料以第一浓度存在于所述器件层中，并且以第二浓度存在...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴政达，谢佳达，巫国维，张煜群，曾映绫，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71