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本申请的各个实施例针对一种用于形成具有厚器件层和厚绝缘体层的绝缘体上半导体(SOI)衬底的方法。在一些实施例中，该方法包括形成覆盖处理衬底的绝缘体层，以及在牺牲衬底上外延形成器件层。将牺牲衬底接合到处理衬底，使得器件层和绝缘体层位于牺牲衬底...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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