阵列基板及其制造方法技术

本公开提供一种阵列基板及其制造方法，该阵列基板的制造方法，包括：提供衬底基板；在衬底基板的第一表面形成第一有源层，第二有源层；在所述第二有源层的远离所述衬底基板的一侧形成第二栅极；在所述第二栅极的远离所述衬底基板的一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层还覆盖所述第一有源层；对所述第一绝缘层图案化以在所述第二栅极的两侧形成第一通孔以暴露所述第二有源层；在所述第一通孔中以及所述第一绝缘层的远离所述衬底基板的表面上沉积第一金属层；对所述第一金属层图案化，去除所述第一金属层位于所述第一有源层上方的至少一部分，以暴露所述第一绝缘层；利用图案化的第一金属层作为掩膜刻蚀所述第一绝缘层，在所述第一有源层上方形成第二通孔以暴露所述第一有源层；对露出的第一有源层进行清洗。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】阵列基板及其制造方法
本公开属于显示
，具体涉及阵列基板及其制造方法。
技术介绍
随着显示技术的发展，采用弯折(padbending)和双SD(源漏极)技术的全屏无边框显示产品越来越受到用户的欢迎，市场前景巨大。
技术实现思路
本公开的一个实施例提供了一种阵列基板的制造方法，包括：提供衬底基板；在所述衬底基板的第一表面形成第一有源层，第二有源层；在所述第二有源层的远离所述衬底基板的一侧形成第二栅极；在所述第二栅极的远离所述衬底基板的一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层还覆盖所述第一有源层；对所述第一绝缘层图案化以在所述第二栅极的两侧形成第一通孔以暴露所述第二有源层；在所述第一通孔中以及所述第一绝缘层的远离所述衬底基板的表面上沉积第一金属层；对所述第一金属层图案化，去除所述第一金属层位于所述第一有源层上方的至少一部分，以暴露所述第一绝缘层；利用图案化的第一金属层作为掩膜刻蚀所述第一绝缘层，在所述第一有源层上方形成第二通孔以暴露所述第一有源层；以及对露出的第一有源层进行清洗。在一些实施例中，在形成第一有源层之后，该阵列基板的制造方法还包括：在所述第一有源层的远离所述衬底基板一侧形成第一栅极，并且对所述第一金属层图案化，去除所述第一金属层位于所述第一有源层上方的至少一部分进一步包括：对所述第一金属层图案化，以去除所述第一金属层位于所述第一有源层上方的两个部分，以及利用图案化的第一金属层作为掩膜刻蚀所述第一绝缘层，在所述第一有源层上方形成第二通孔以暴露所述第一有源层包括：利用图案化的第一金属层作为掩膜刻蚀所述第一绝缘层，在所述第一有源层上方且所述第一栅极两侧形成第二通孔以暴露所述第一有源层。在一些实施例中，对露出的第一有源层进行清洗后，该阵列基板的制造方法还包括：在所述第一通孔中以及所述第一绝缘层的远离所述衬底基板的表面上沉积第二金属层；以及对所述第一金属层和所述第二金属层进行图案化，去除所述第一栅极上方的第一金属层和第二金属层，以及去除所述第二栅极上方的第一金属层和第二金属层，以形成与所述第一有源层连接的第一源极和第一漏极，与所述第二有源层连接的第二源极和第二漏极，以及相邻的第一漏极和第二源极之间的连接导线。在一些实施例中，对所述第一金属层和所述第二金属层图案化，形成与所述第一有源层连接的第一源极和第一漏极，以及与所述第二有源层连接的第二源极和第二漏极还包括：去除所述第一栅极上方以及所述第二栅极上方的第一金属层和第二金属层；以及去除相邻的第一漏极和第二源极之间的第一金属层和第二金属层。在一些实施例中，在对所述第一金属层和所述第二金属层图案化，形成与所述第一有源层连接的第一源极和第一漏极，以及与所述第二有源层连接的第二源极和第二漏极之后，该阵列基板的制造方法还包括：在所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极、所述第二漏极以及第一漏极和第二源极之间的第一氧化层的远离所述衬底基板的一侧沉积第三金属层。在一些实施例中，在衬底基板的第一表面形成第一有源层包括：在所述衬底基板的第一表面形成第一阻挡层；在所述第一阻挡层的远离所述衬底基板的第一表面形成缓冲层；在所述缓冲层的远离所述衬底基板的第一表面形成所述第一有源层。在一些实施例中，在所述第一有源层的远离所述衬底基板一侧形成第一栅极包括：在所述第一有源层的远离所述衬底基板的第一表面上形成第一栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层的远离所述衬底基板的第一表面上形成所述第一栅极。在一些实施例中，在所述衬底基板的第一表面形成第二有源层包括：在所述第一栅极的远离所述衬底基板的第一表面形成第二缓冲层；以及在所述第二缓冲层的远离所述衬底基板的第一表面形成所述第二有源层。在一些实施例中，在所述第二有源层的远离所述衬底基板的一侧形成第二栅极包括：在所述第二有源层的远离所述衬底基板的第一表面形成第二栅极绝缘层；以及在所述第二栅极绝缘层的远离所述衬底基板的第一表面形成所述第二栅极。在一些实施例中，对露出的第一有源层进行清洗包括：利用氢氟酸对露出的第一有源层进行清洗。在一些实施例中，所述第一有源层的材料包括低温多晶硅，所述第二有源层的材料包括氧化物半导体。本公开的另一个实施例提供了一种阵列基板，包括衬底基板和设置在所述衬底基板的第一表面的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一有源层和所述第一源极和第一漏极之间设置有绝缘层，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第二有源层和所述第二源极和第二漏极之间设置有所述绝缘层，其中所述第一源极位于所述第一薄膜晶体管远离所述第二晶体管的一侧，并且包括第一源极部和第二源极部，所述第一源极部包括位于所述绝缘层中的通孔中并且从所述通孔中突出的第一本体部和从所述第一本体部沿远离所述第一漏极的方向延伸的第一延伸部，所述第二源极部位于所述第一延伸部与所述绝缘层之间并且与所述第一延伸部接触；所述第一漏极位于所述第一薄膜晶体管靠近所述第二晶体管的一侧，并且包括第一漏极部和第二漏极部，所述第一漏极部包括位于所述绝缘层中的通孔中并且从所述通孔中突出的第二本体部和从所述第二本体部沿远离所述第一源极的方向延伸的第二延伸部，所述第二漏极部位于所述第二延伸部与所述绝缘层之间并且与所述第二延伸部接触；所述第二源极包括第三源极部和第四源极部，所述第三源极部位于所述绝缘层中的通孔中并且在所述绝缘层表面上沿远离所述第二漏极的方向延伸，所述第四源极部位于所述第三源极部的远离所述衬底基板的表面上，且与所述第三源极部电连接；所述第二漏极包括第三漏极部和第四漏极部，所述第三漏极部位于所述绝缘层中的通孔中并且在所述绝缘层表面上沿远离所述第二源极的方向延伸，所述第四漏极部位于所述第三漏极部的远离所述衬底基板的表面上，且与所述第三漏极部电连接；并且其中，所述第二源极部、第二漏极部、第三源极部和第三漏极部的材料相同。在一些实施例中，该阵列基板还包括第五源极部、第五漏极部、第六源极部、第六漏极部以及连接部，所述第五源极部位于所述第一源极部的远离所述衬底基板的表面上，所述第五漏极部位于所述第一漏极部的远离所述衬底基板的表面上，所述第六源极部位于所述第五源极部的远离所述衬底基板的表面上，所述第六漏极部设置在所述第四漏极部的远离所述衬底基板的表面上，所述连接部设置在所述绝缘层的远离所述衬底基板的表面上、以及所述第五漏极部与所述第七源极部之间，分别与所述第一漏极部、第二漏极部、第五漏极部、第三源极部、第四源极部和第六源极部电连接。附图说明附图是用来提供对本公开的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本公开，但并不构成对本公开的限制。在附图中：图1至图5是示出相关技术中的不同制造阶段的阵列基板的结构示意图；图6是示出相关技术中的Ox本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制造方法，包括：/n提供衬底基板，/n在所述衬底基板的第一表面形成第一有源层；/n形成第二有源层；/n在所述第二有源层的远离所述衬底基板的一侧形成第二栅极；/n在所述第二栅极的远离所述衬底基板的一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层还覆盖所述第一有源层；/n对所述第一绝缘层图案化以在所述第二栅极的两侧形成第一通孔以暴露所述第二有源层；/n在所述第一通孔中以及所述第一绝缘层的远离所述衬底基板的表面上沉积第一金属层；/n对所述第一金属层图案化，去除所述第一金属层位于所述第一有源层上方的至少一部分，以暴露所述第一绝缘层；/n利用图案化的第一金属层作为掩膜刻蚀所述第一绝缘层，在所述第一有源层上方形成第二通孔以暴露所述第一有源层；/n对露出的第一有源层进行清洗。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】一种阵列基板的制造方法，包括：
提供衬底基板，
在所述衬底基板的第一表面形成第一有源层；
形成第二有源层；
在所述第二有源层的远离所述衬底基板的一侧形成第二栅极；
在所述第二栅极的远离所述衬底基板的一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层还覆盖所述第一有源层；
对所述第一绝缘层图案化以在所述第二栅极的两侧形成第一通孔以暴露所述第二有源层；
在所述第一通孔中以及所述第一绝缘层的远离所述衬底基板的表面上沉积第一金属层；
对所述第一金属层图案化，去除所述第一金属层位于所述第一有源层上方的至少一部分，以暴露所述第一绝缘层；
利用图案化的第一金属层作为掩膜刻蚀所述第一绝缘层，在所述第一有源层上方形成第二通孔以暴露所述第一有源层；
对露出的第一有源层进行清洗。


根据权利要求1所述的方法，在形成第一有源层之后，还包括：
在所述第一有源层的远离所述衬底基板一侧形成第一栅极，并且
对所述第一金属层图案化，去除所述第一金属层位于所述第一有源层上方的至少一部分进一步包括：
对所述第一金属层图案化，以去除所述第一金属层位于所述第一有源层上方的两个部分，以及
利用图案化的第一金属层作为掩膜刻蚀所述第一绝缘层，在所述第一有源层上方形成第二通孔以暴露所述第一有源层包括：
利用图案化的第一金属层作为掩膜刻蚀所述第一绝缘层，在所述第一有源层上方且所述第一栅极两侧形成第二通孔以暴露所述第一有源层。


根据权利要求1所述的方法，对露出的第一有源层进行清洗后，还包括：
在所述第一通孔中以及所述第一绝缘层的远离所述衬底基板的表面上沉积第二金属层；以及
对所述第一金属层和所述第二金属层进行图案化，去除所述第一栅极上方的第一金属层和第二金属层，以及去除所述第二栅极上方的第一金属层和第二金属层，以形成与所述第一有源层连接的第一源极和第一漏极，与所述第二有源层连接的第二源极和第二漏极，以及相邻的第一漏极和第二源极之间的连接导线。


根据权利要求3所述的方法，其中，对所述第一金属层和所述第二金属层图案化，形成与所述第一有源层连接的第一源极和第一漏极，以及与所述第二有源层连接的第二源极和第二漏极还包括：
去除所述第一栅极上方以及所述第二栅极上方的第一金属层和第二金属层；以及
去除相邻的第一漏极和第二源极之间的第一金属层和第二金属层。


根据权利要求4所述的方法，其中，在对所述第一金属层和所述第二金属层图案化，形成与所述第一有源层连接的第一源极和第一漏极，以及与所述第二有源层连接的第二源极和第二漏极之后，还包括：
在所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极、所述第二漏极以及第一漏极和第二源极之间的第一氧化层的远离所述衬底基板的一侧沉积第三金属层。


根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，在衬底基板的第一表面形成第一有源层包括：
在所述衬底基板的第一表面形成第一阻挡层；
在所述第一阻挡层的远离所述衬底基板的第一表面形成缓冲层；
在所述缓冲层的远离所述衬底基板的第一表面形成所述第一有源层。


根据权利要求2至6中任一项所述的方法，其中，在所述第一有源层的远离所述衬底基板一侧形成第一栅极包括：
在所述第一有源层的远离所述衬底基板的第一表面上形成第一栅极绝缘层；
在所述栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨维，袁广才，宁策，卢鑫泓，周天民，王利忠，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11