一种储存式离子源制造技术

本申请涉及真空电子学技术领域，具体而言，涉及一种储存式离子源，包括阴极、电子聚焦系统、电离室以及电子收集极，其中：电子聚焦系统设置在阴极的上方，阴极产生的电子通过电子聚焦系统形成电子束流；电离室设置在电子聚焦系统与电子收集极之间，电离室的两侧设置有栅网，电离室与栅网之间形成均匀电场；电子束流通过均匀电场电离后，被电子收集极接收。本申请利用电子的空间电荷效应囚禁储存离子，使得离子的初始状态具有良好一致性，在引出离子源时，离子束的稳定性和均匀性得到很大提升。

【技术实现步骤摘要】
一种储存式离子源
本申请涉及真空电子学
，具体而言，涉及一种储存式离子源。
技术介绍
离子源广泛应用于质谱计、表面镀膜、离子推进器等领域，提高离子束流稳定性和均匀性成为技术发展的重要趋势，例如，对于飞行时间质谱计而言，离子能量和空间均匀性直接影响仪器分辨本领、灵敏度等性能参数。离子源种类很多，传统电子碰撞型离子源通常应用于气体分子的电离，电子能量通常达到70eV左右，电子在电场、磁场等作用下，在电离室中振荡运动，最终通过与分子碰撞发生电离，电离产生的离子均匀分布于整个电离空间中，当施加引入电压或者增加推斥电压时，离子被拉出电离室，形成离子束流，用于质谱计、表面镀膜、离子推进器等。储存式离子源则是利用空间电荷效应将低能离子囚禁于电离室中，可以保证良好的离子初始状态，解决各类离子源在瞬时电离和瞬时引出过程中存在的状态差异。传统电子碰撞型离子源电子束聚焦引入的轨迹可控性较差，电子碰撞产生的初始离子的初始位置分散性较大，在引出电离室时，离子的能量差异较大，且存在较大空间和时间差异。这些问题限制了离子源技术的发展，也限制了其在高端测本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种储存式离子源，其特征在于，包括阴极、电子聚焦系统、电离室以及电子收集极，其中：/n所述电子聚焦系统设置在所述阴极的上方，所述阴极产生的电子通过所述电子聚焦系统形成电子束流；/n所述电离室设置在所述电子聚焦系统与所述电子收集极之间，所述电离室的两侧设置有栅网，所述电离室与所述栅网之间形成均匀电场；/n所述电子束流通过所述均匀电场电离后，被所述电子收集极接收。/n

【技术特征摘要】
1.一种储存式离子源，其特征在于，包括阴极、电子聚焦系统、电离室以及电子收集极，其中：
所述电子聚焦系统设置在所述阴极的上方，所述阴极产生的电子通过所述电子聚焦系统形成电子束流；
所述电离室设置在所述电子聚焦系统与所述电子收集极之间，所述电离室的两侧设置有栅网，所述电离室与所述栅网之间形成均匀电场；
所述电子束流通过所述均匀电场电离后，被所述电子收集极接收。


2.如权利要求1所述的储存式离子源，其特征在于，所述阴极表面设置有门极，所述门极平行安装在所述阴极表面上。


3.如权利要求2所述的储存式离子源，其特征在于，所述电子聚焦系统包括减速电极和聚焦电极，所述减速电极设置在所述门极的上方，所述聚焦电极设置在所述减速电极的上方，所述聚焦电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：张虎忠，李得天，成永军，习振华，裴晓强，董猛，侯颖杰，魏建平，范栋，陈会颖，郭睿，
申请(专利权)人：兰州空间技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：甘肃;62