【技术实现步骤摘要】
;^Hf内容涉Ai勤生调节器。
技术介绍
图1用图说明了IW技术中的幾性调节器100。该调节器100包括前置放大器 级102和输出级104。前置放大器级102包括前置放大器106,该前置力文大器可包 括一组分离的组件，或者可以完全地实现为M电路。将输入信号提供给前置放大 器106的输入端101。前置》文大器106的输出提供到一对布置为4斜免式结构的分立 的功率晶体管108、 110。晶体管108、 110的固有偏压(直流工作点)由一对调节 电压产生电路114、 116^是供。电路114、 116产生的电压被选择，以消除处于^^ 入电压电平时晶体管108、 110的非工作输入电压区(non-active input voltage region )。 晶体管108、 110为相^^类型。晶体管108为n型功率场效应晶体管(FET)或npn 型功率双极型晶体管，则晶体管110为p型功率FET或pnp型功率双极型晶体管。 输出端103设在晶体管108和晶体管110之间的接点。反馈线112为前置放大器106 提供反馈信号，使前置放大器106放大输入和输出电压之间的差值...
【技术保护点】
一种调节器，包含： 线性调节器，其包含： 前置放大器级； 第一射频（ＲＦ）晶体管；以及 第二ＲＦ晶体管，其中所述第一ＲＦ晶体管和所述第二ＲＦ晶体管串联地电连接在正电源电压和负电源电压之间，并且其中所述前置放大器级的输 出被提供给所述第一ＲＦ晶体管的偏置端和所述第二ＲＦ晶体管的偏置端。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：皮奥特马科斯基，王林国，
申请(专利权)人：雅达电子国际有限公司，
类型：发明
国别省市：HK[中国|香港]
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