低VOC的半导体芯片清洗剂及其制备方法技术

本发明专利技术揭示了一种低VOC的半导体芯片清洗剂及其制备方法，所述清洗剂的pH值为7.2‑8.5，所述清洗剂的VOC≤100g/L，其组成和重量份数为，醇醚溶剂3‑80份，N‑羟乙基‑2‑吡咯烷酮2‑10份，非离子表面活性剂0.6‑5份，缓蚀剂0.1‑0.8份，去离子水30‑100份。本发明专利技术的有益效果为：能够有效去除多种半导体电子器件上的焊锡膏、助焊剂、锡膏残留，对于倒装芯片、PCBA也有显著的清洗效果。适用于超声波清洗和喷淋清洗及浸泡清洗等多种清洗工艺，超声波适用精细的物件清洗，能得到非常理想的效果；喷淋清洗工艺则适用于大批量清洗PCBA。清洗后的表面离子残留物少、可靠性高，不含固体物质，被清洗件和清洗设备上无残留，无发白现象。

【技术实现步骤摘要】
低VOC的半导体芯片清洗剂及其制备方法
本专利技术涉及一种清洗剂，尤其涉及一种低VOC的半导体芯片清洗剂及其制备方法。
技术介绍
随着电子信息产业的高速发展，电子产品已经向微型化、智能化、多功能、高度集成发展。在集成电路芯片尺寸逐步缩小，集成度不断提高的情况下，电子工业对集成电路封装技术提出了越来越高的要求，而半导体芯片键合区的质量将直接影响到集成电路器件的可靠性。半导体芯片是通过在半导体片材上进行浸蚀-布线-制成的能实现某种功能的半导体器件。制造过程中需要在半导体芯片的表面电镀一层铝作为有源区金属层，参加电化学反应，在半导体芯片与框架键合步骤中，通常会采用锡铅焊料焊接，因此在真空回流焊后，芯片表面以及周边会残留大量助焊剂污染物；残留的助焊剂会导致芯片表面的铝层变色，表面张力降低，如不清洗将直接影响到后续金线和铝层的键合失效，降低后续封装过程的可靠性。于是半导体芯片清洗剂应运而生，现有技术中对半导体芯片的清洗，通常采用溶剂型清洗剂，在专利申请CN107611008A中公开了使用溴丙烷采用气相清洗技术用于清除芯片表面助焊剂残留；但溴丙烷为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.低VOC的半导体芯片清洗剂，其特征在于：所述清洗剂的pH值为7.2-8.5，所述清洗剂的VOC≤100g/L，其组成和重量份数为，/n

【技术特征摘要】
1.低VOC的半导体芯片清洗剂，其特征在于：所述清洗剂的pH值为7.2-8.5，所述清洗剂的VOC≤100g/L，其组成和重量份数为，





2.如权利要求1所述的低VOC的半导体芯片清洗剂，其特征在于：所述清洗剂的组成和重量份数为，





3.如权利要求2所述的低VOC的半导体芯片清洗剂，其特征在于：所述醇醚溶剂为丙二醇单甲醚、丙二醇丁醚、三丙二醇单丁醚中的一种或一种以上组合物。


4.如权利要求2所述的低VOC的半导体芯片清洗剂，其特征在于：所述醇醚溶剂为按重量份比丙二醇单甲醚0～5、丙二醇丁醚1～5、三丙二醇单丁醚0～3的混合溶剂。


5.如权利要求2所述的低VOC的半导体芯片清洗剂，其特征在于：所述缓蚀剂为丙酮肟、聚天冬氨酸、EDTA、苯丙三氮唑、柠檬...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈成勋，种光耀，黄继承，
申请(专利权)人：苏州柏越纳米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32