【技术实现步骤摘要】
可聚合型含双鎓盐结构的光致产酸剂、制备方法及光刻胶
本专利技术属于光刻胶领域，尤其涉及一种可聚合型含双鎓盐结构的光致产酸剂、该可聚合型含双鎓盐结构的光致产酸剂的制备方法、及应用该可聚合型含双鎓盐结构的光致产酸剂的光刻胶。
技术介绍
随着高集成度、超高速、超高频集成电路及器件的研制开发，大规模集成电路、超大规模集成电路的特征尺寸越来越细，集成电路的进一步发展需要相应的曝光技术的支持，光刻胶技术是曝光技术的重要组成部分。高性能的曝光工具需要与之相配套的高性能的光刻胶才能真正获得高分辨率的加工能力。光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一，是将图像转移到基底上的光敏膜。光刻胶的主要成分是聚合物树脂、光致产酸剂(photoacidgenerator，PAG)以及相应的添加剂和溶剂。光致产酸剂是光刻胶体系中的重要组分，在光照下分解产生酸(H+)，在曝光后烘烤过程中，这些酸会作为催化剂使得聚合物上悬挂的酸不稳定基团脱落，并产生新的酸，悬挂基团的脱落改变了聚合物的极性，有足够多的悬挂基团脱落后，光刻胶就能溶于显影液。...
【技术保护点】
1.一种可聚合型含双鎓盐结构的光致产酸剂，其具有如下结构通式(I)：/n
【技术特征摘要】
1.一种可聚合型含双鎓盐结构的光致产酸剂，其具有如下结构通式(I)：
其中，n为大于等于1的整数；R1～R4为H、碳原子数为1～20的烷基、芳基或含硫/氧/氮杂原子的取代基中的一种或多种；阴离子M-为磺酸阴离子。
2.如权利要求1所述的可聚合型含双鎓盐结构的光致产酸剂，其特征在于：所述磺酸阴离子为全氟丁基磺酸阴离子、全氟辛基磺酸阴离子、对甲苯磺酸阴离子或樟脑磺酸阴离子。
3.如权利要求1～2任意一项所述的可聚合型含双鎓盐结构的光致产酸剂的制备方法，其包括如下步骤：
将取代二苯基亚砜和取代二苯硫醚以一定的比例溶于第一有机溶剂中，然后置于反应釜中，将反应釜的温度降低至温度T，然后滴加磺酸酐，反应一段时间后，提取有机相，脱溶，得到光致产酸剂单体前驱体；
将光致产酸剂单体前驱体、磺酸盐、甲基丙烯酸2-乙磺酸酯盐溶于第二有机溶剂，混合后搅拌，加入水，继续搅拌，脱溶得到浑浊水相，萃取，再脱溶，得到含双鎓盐结构的光致产酸剂单体；
将甲基丙烯酸环戊酯、1-金刚烷基甲基丙烯酸酯及含双鎓盐结构的光致产酸剂单体加入反应釜中，向反应釜内加入第三有机溶剂，搅拌后将反应釜升温至聚合反应温度，接着向反应釜内滴加第三有机溶剂与引发剂的混合液，在聚合反应温度下反应一段时间，得到含有可聚合型含双鎓盐结构的光致产酸剂的聚合溶液；
清洗所述聚合物溶液，得到可聚合型含双鎓盐结构的光致产酸剂。
4.如权利要求3所述的可聚合型含双鎓盐结构的光致产酸剂的制备方法，其特征在于：所述取代二苯基亚砜、取代二苯硫醚及磺酸酐的质量比的范围为(1.5～2.5):(0.5～1.5):(1～2)。
5.如权利要求3所述的可聚合...
【专利技术属性】
技术研发人员：齐国强，顾大公，毛智彪，许从应，余绍山，许东升，
申请(专利权)人：宁波南大光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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