【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于化工，尤其涉及一种窄分布的193nm深紫外光刻胶用树脂及其制备方法和应用。
技术介绍
1、光刻胶作为集成电路微图形加工时的重要原材料之一，伴随着集成电路的集成度不断增加，微图形加工尺寸越来越小。而为了满足集成电路的持续发展，需要在光刻工艺中使用波长更短的光源，此时对光刻胶的光敏性、显影对比度、刻蚀速率等性能的要求也愈发苛刻。而光刻胶的性能优劣基本和光刻胶树脂的性能强相关，光刻胶树脂性能优越除了与自身分子链中侧链带的极性和非极性等功能基团相关外，还和分子量以及分子量分布相关，合适的分子量以及分子量分布体现了光刻胶树脂溶解性，过大的分子量部分溶解性不好，而过小的分子量部分溶解性又太好，这样就产生溶解度的差异性，过大的差异可能在曝光显影时，由于反应极性转变的速率以及自身溶解度差异大造成了显影对比度不好，从图形上看，有footing现象，或者边缘粗糙度(lwr)很差。而在传统的光刻胶树脂制备过程中，常规的工艺是在溶液中进行自由基聚合，在反应中期，基本靠引发剂受热分解产生活性自由基，在碰到单体后，促进单体双键打开进行链增长反应，形成...
【技术保护点】
1.一种窄分布的193nm深紫外光刻胶用树脂的制备方法，其特征在于，将树脂单体、主引发剂置于溶剂中溶解，得到单体-主引发剂混合溶液，加热升温，发生自由基聚合反应，在反应后期时，加入副引发剂，继续进行自由基聚合反应，得到反应液并冷却，对冷却反应液进行沉淀处理、固液分离、干燥，得到窄分布的193nm深紫外光刻胶用树脂。
2.如权利要求1所述的一种窄分布的193nm深紫外光刻胶用树脂的制备方法，其特征在于，所述溶剂为四氢呋喃。
3.如权利要求1所述的一种窄分布的193nm深紫外光刻胶用树脂的制备方法，其特征在于，所述主引发剂的质量为树脂单体总质量的2
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【技术特征摘要】
1.一种窄分布的193nm深紫外光刻胶用树脂的制备方法，其特征在于，将树脂单体、主引发剂置于溶剂中溶解，得到单体-主引发剂混合溶液，加热升温，发生自由基聚合反应，在反应后期时，加入副引发剂，继续进行自由基聚合反应，得到反应液并冷却，对冷却反应液进行沉淀处理、固液分离、干燥，得到窄分布的193nm深紫外光刻胶用树脂。
2.如权利要求1所述的一种窄分布的193nm深紫外光刻胶用树脂的制备方法，其特征在于，所述溶剂为四氢呋喃。
3.如权利要求1所述的一种窄分布的193nm深紫外光刻胶用树脂的制备方法，其特征在于，所述主引发剂的质量为树脂单体总质量的2％。
4.如权利要求1所述的一种窄分布的193nm深紫外光刻胶用树脂的制备方法，其特征在于，所述发生自由基聚合反应，在反应前期时，也加入副引发剂，是在反应0h-2h时加入副引发剂。
5.如权利要求1所述的一种窄分布的193nm深紫外光刻胶用树脂的制备方法，其特征在于，所述在反应后期时，加...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈鹏，卢汉林，李培源，张宇，沈博，顾大公，许从应，毛智彪，
申请(专利权)人：宁波南大光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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