含双鎓盐结构的光致产酸剂、制备方法及光刻胶组合物技术

本发明专利技术公开了一种含双鎓盐结构的光致产酸剂，其结构通式如下(I)所示：

【技术实现步骤摘要】
含双鎓盐结构的光致产酸剂、制备方法及光刻胶组合物
本专利技术属于光刻胶
，尤其涉及一种含双鎓盐结构的光致产酸剂、制备方法及光刻胶组合物。
技术介绍
光刻胶组合物是集成电路制造领域的关键材料之一，其主要成分为成膜树脂、光敏剂、酸抑制剂和溶剂等组成的对光敏感的混合液体。它在紫外光、深紫外光、电子束、离子束等光照或辐射照射下，成分的溶解度发生变化，经适当显影液处理，溶去可溶性部分，得到最终所需光刻胶图像。作为光刻胶中的光敏组分，光致产酸剂对于光化学反应起着重要作用。因此提高光致产酸剂的产酸效率，直接影响到光刻胶感度、对比度等性能。然而在相关技术中，光刻胶组合物中的光致产酸剂一般都是单一结构的硫鎓盐、碘鎓盐结构，只有一个产酸点，产酸效率低。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种含双鎓盐结构的光致产酸剂，以解决现有的光致产酸剂产酸效率低的技术问题。一种含双鎓盐结构的光致产酸剂，其特征在于：其结构通式如下(I)所示：其中，n＝0或1或2；R1-R6为H、碳原子数为1～20的烷基、芳本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种含双鎓盐结构的光致产酸剂，其特征在于：其结构通式如下(I)所示：/n

【技术特征摘要】
1.一种含双鎓盐结构的光致产酸剂，其特征在于：其结构通式如下(I)所示：



其中，n＝0或1或2，
R1-R6为H、碳原子数为1～20的烷基、芳基或含硫/氧/氮杂原子的取代基中的一种或多种；
M-阴离子和Q-阴离子为磺酸阴离子。


2.根据权利要求1所述的含双鎓盐结构的光致产酸剂，其特征在于：所述磺酸阴离子为氟代烷基磺酸阴离子、芳基磺酸阴离子或樟脑磺酸阴离子及其衍生物。


3.根据权利要求2所述的含双鎓盐结构的光致产酸剂，其特征在于：所述述磺酸阴离子为全氟丁基磺酸阴离子、全氟辛基磺酸阴离子、对甲苯磺酸阴离子或樟脑磺酸阴离子。


4.一种如权利要求1至3任意一项所述的含双鎓盐结构的光致产酸剂的制备方法，其特征在于：包括：
S11：在保护气体中，将二芳基亚砜和二芳基硫醚以一定的比例于反应釜中溶第一有机溶剂，得到混合溶液，并将所述反应釜冷却至一定温度；
S12：向所述反应釜中滴加磺酸酐，反应一段时间后，加入水停止反应，提取有机相，脱溶至恒重，得到化合物A；
S13：将所述化合物A和磺酸盐溶于第二有机溶剂中，混合后...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐国强，顾大公，毛智彪，许从应，余绍山，许东升，
申请(专利权)人：宁波南大光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33