一种利用ITO废料制备氧化铟粉和氧化铟锡粉的方法技术

本发明专利技术涉及一种利用ITO废料制备氧化铟粉和氧化铟锡粉的方法，该方法将收集的ITO废料进行干燥去除水分，然后进行煅烧，去除有机物，将所得物料用盐酸溶解，然后过滤得到溶液，再利用氯化铟在300℃即可挥发的原理，将所得溶液进行多次蒸馏，得到氯化铟，然后再以氯化铟为原料，采用沉淀法，制备氧化铟粉和氧化铟锡粉。本发明专利技术由ITO靶材生产过程中产生的废料制得氯化铟，不仅节约了成本，进行了废物利用，同时较传统的废料再利用，略去将废料转化成精铟的步骤，由废料直接制备出金属盐，再制备粉，能有效减少回收成本，进一步降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种利用ITO废料制备氧化铟粉和氧化铟锡粉的方法
本专利技术涉及一种金属氧化物靶材的制备方法，特别涉及一种利用ITO废料制备氧化铟粉和氧化铟锡粉的方法。
技术介绍
氧化铟锡靶材（ITO靶材）是一种电子陶瓷材料，主要用于磁控溅射镀制ITO膜。ITO膜是一种透明的导电性薄膜，用于制作显示器、触摸屏、LED等需要透明电极的电子设备及元器件。氧化铟锡靶材由ITO粉体成型并高温烧结而成。氧化铟锡粉体的制作方法主要有两种，一种是由铟盐和锡盐溶液加碱共沉淀，生产氢氧化物，然后经过煅烧，得到ITO粉；另一种是由氧化铟和氧化锡物理混合而成。ITO靶材从成型到烧结，尺寸收缩率较大，通常在25%左右。大的收缩率导致靶材的烧结变形较大。在ITO靶材的生产过程中，需要将变形的产品进行机械加工，以保证其外形尺寸达到产品要求。在此过程中，有10-25%的ITO，甚至更多，被加工后变为废屑（如磨床的研磨屑和切割的切割屑）。这些废屑通常会重新提炼成精铟，作为ITO靶材的生产原料。要减少ITO靶材的生产成本，一方面要减少烧结变形，从而减少废屑的产生，另一方面，要减少废屑回本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种利用ITO废料制备氧化铟粉的方法，其特征在于：包括以下步骤：/n（1）收集ITO靶材生产过程中产生的ITO废料；/n（2）将收集的ITO废料加热到80-120℃，烘干水分，然后在氧化性气氛中，600-1400℃进行煅烧0.5-20小时，去除其中有机物杂质和易挥发、燃烧的杂质；/n（3）将煅烧后的ITO废粉在浓度为10%-38%的盐酸中溶解，过程中加入ITO废粉重量0-5%的双氧水，加快溶解速率；/n（4）将上述溶解后的混合物进行过滤，留取过滤后的清液待用；/n（5）将清液在80-120℃保温蒸干水分，然后升温至200-280℃，去掉其它在此温度气化的杂质，待重量不再变化后升温至300-...

【技术特征摘要】
1.一种利用ITO废料制备氧化铟粉的方法，其特征在于：包括以下步骤：
（1）收集ITO靶材生产过程中产生的ITO废料；
（2）将收集的ITO废料加热到80-120℃，烘干水分，然后在氧化性气氛中，600-1400℃进行煅烧0.5-20小时，去除其中有机物杂质和易挥发、燃烧的杂质；
（3）将煅烧后的ITO废粉在浓度为10%-38%的盐酸中溶解，过程中加入ITO废粉重量0-5%的双氧水，加快溶解速率；
（4）将上述溶解后的混合物进行过滤，留取过滤后的清液待用；
（5）将清液在80-120℃保温蒸干水分，然后升温至200-280℃，去掉其它在此温度气化的杂质，待重量不再变化后升温至300-310℃，并收集气化冷凝所得物质，即得氯化铟；
（6）将得到的氯化铟用水完全溶解，并加入碱控制pH值在8-10，得到氢氧化铟沉淀，然后将沉淀进行清洗过滤干燥，并在600-1000℃进行煅烧0.5-15小时，得到氧化铟粉末。


2.根据权利要求1所述的一种利用ITO废料制备氧化铟粉的方法，其特征在于：步骤（1）中所述的ITO废料包括ITO废粉和ITO废浆料。


3.根据权利要求1或2所述的一种利用ITO废料制备氧化铟粉的方法，其特征在于：步骤（6）中所述的碱是氨水、氢氧化钠、碳酸氢铵或尿素中的一种或几种。


4.根据权利要求1或2所述的一种利用ITO废料制备氧化铟粉的方法，其特征在于：步骤（3）中盐酸的加入量为ITO废粉与盐酸完全反应所需量的1.5-4倍。


5.一种利用ITO废料制备氧化铟锡粉...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆映东，黄作，张倍维，王凯，梁盈祥，宋春华，
申请(专利权)人：广西晶联光电材料有限责任公司，
类型：发明
国别省市：广西;45