电压微调电路制造技术

提供了用于最小化或消除电压产生电路中微调电路的影响的方法和电路。通常，微调电路的开关的沟道电阻的影响通过利用与输出串联而不是如同在常规微调电路中那样与电阻器并联的开关来降低。由于开关没有与电阻器并联，因此当这些开关接通时，不会向由微调电路控制的有效电阻增加沟道电阻。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

Voltage trimming circuit

A method and circuit for minimizing or eliminating the influence of a fine tuning circuit in a voltage generating circuit are provided. In general, the influence of the channel resistance of the switch of the trimming circuit is reduced by using a switch in series with the output rather than in parallel with the resistor as in the conventional trimming circuit. Since the switch is not in parallel with the resistor, the channel resistance will not be increased to the effective resistor controlled by the trimming circuit when the switches are switched on.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体上涉及集成电路(IC)器件，更具体的说，涉及用于调节在这类器件内部产生的电压电平的微调电路。
技术介绍
集成电路(IC)器件通常使用多种内部产生的电压工作以努力降低对波动外部电压电源的敏感性。这类器件中使用的外部电压产生电路通常包括微调电路，用于调节所产生的电压，以便例如补偿由制作工艺所引入的变化。微调电路被调节用于使内部产生的电压尽可能地接近测试过程期间的目标电压。一般，微调电路通过一组一个或多个开关来调节，这些开关可以打开或闭合以增大或减小所产生的电压的电平。例如，图1示出了包括一组用于调节(即微调)电压产生电路144的输出电压VOUT的转换开关1520和1521的常规微调电路150的简化实例。如所示，VOUT可以被产生以作为参考电压VREF(由参考电压产生器142供给)和分压电路(由电阻器R0、R1、RA和RB构成)的函数。由于VOUT可以(例如通过电源总线)提供给分布在整个芯片中的很多个部件，因此VREF可以通过比较器145提供到p-mos驱动器147，该驱动器147一般具有比参考电压产生器142大的驱动能力。如所示，该组转换开关1520和1521可用于通过在电阻器RA和RB两端选择性地分流来改变节点NB和N0之间的有效电阻(下文称为RTRIM)从而改变VOUT。VOUT可以根据下面的公式表示为VREF和RTRIM的函数VOUT=(1+R1+RTRIMR0)·VREF]]>假定(暂时)转换开关不具有相关的沟道电阻，则RTRIM可以从零变到RA+RB。转换开关1520和1521一般由从一组熔丝160或寄存器中的位得到的一组控制信号C和C来控制，所述一组熔丝160或寄存器的位中的任一项一般在VOUT和外部提供的目标电压相比较的校准或测试过程期间设置。例如，可以切断(或熔断)一个或多个熔丝160来增大或减小VOUT的值，以努力尽可能接近地匹配目标电压。如所示，在基本设置中，在两个熔丝都完整(例如没有熔断或切断)的情况下，C＝0且C＝0，转换开关1521可以闭合，而转换开关1520可以打开，以有效地从RTRIM除去RB(用于基本设置的电流IBAsE的流动路径显示为虚线)。因而，通过修改上述方程式，VOUT的基本设置可以表示为VOUT=(1+R1+RAR0)·VREF]]>为了减小VOUT，可以切断第一熔丝，如图1的表110所示，也有效地从RTRIM除去RA，以使分子更小。因而，VOUT的减小设置可以表示为VOUT=(1+R1R0)·VREF.]]>作为选择，可以切断第二熔丝(C＝1)，使第一熔丝保持完整(C＝0)，以将RB有效地加到RTRIM上。因而，VOUT的增大设置可以表示为VOUT=(1+R1+RA+RBR0)·VREF]]>两个熔丝都切断可以增大或减小VOUT，这取决于RA和RB的值。换句话说，相对于基本设置，如果RA＞RB，则两个熔丝都切断将减小VOUT，如果RA＜RB，则两个熔丝都切断将增大VOUT。如上所述，以上列出的方程式假定转换开关具有零沟道电阻。然而，这不是有效的假定，因为存在与每个转换开关相关的某一有限的沟道电阻(RXFER)。因而，为了包括转换开关1521的串联沟道电阻的影响，VOUT的基本设置的方程式应当修改成下述VOUT=(1+R1+RA+RXFERR0)·VREF]]>不幸的是，沟道电阻的值受工艺变化的支配，并且已经观察到该值通常随温度而增大并随着工作电压的改变而改变。而且，在大多数电压产生器中，利用很多个熔丝和开关来获得所需的调节分辨率，这将增大沟道电阻的影响。作为实例，如果微调电路在任何给定的时刻都具有N个串联的转换开关，则沟道电阻将增大N倍，以至于VOUT=(1+R1+RA+RXFER·NR0)·VREF]]>因而，VOUT的电平会随着温度和工作电压的改变而显著改变，如果微调电路具有较多个开关时尤其如此。因此，存在以下需要，即与电压产生器一起使用的且优选对转换开关沟道电阻具有降低的敏感性的改进的微调电路。
技术实现思路
本专利技术总体上提供用于降低器件内部产生的电压对用于调节电压电平的开关的沟道电阻的敏感性的方法、电路、和器件。一个实施例提供用于降低电路器件内部产生的电压对用于调节电压电平的开关的沟道电阻的敏感性的方法。该方法通常包括提供具有多个串联连接的电阻器的分压电路，向该分压电路提供参考电压，结果在形成在串联连接的电阻器之间的分压电路的节点处产生不同的电压电平，以及提供多个开关，以选择性地将其上提供电压的输出节点与分压电路的单个节点耦接。另一个实施例提供用于调节在集成电路器件内部产生的电压的微调电路。该微调电路通常包括用于选择性地将其上提供电压的输出节点与分压电路的多个节点中的单独一个耦接的多个开关，其中每个节点处于不同的电压电平。另一个实施例提供通常包括外围电路、多个存储单元、电压产生电路、和多个开关的存储器件，该电压产生电路包括具有多个节点的分压电路，每个节点处于依赖于参考电压的不同电压电平。该多个开关通常被设置用于选择性地将电压产生电路的输出节点与分压电路节点中的单独一个节点耦接。附图说明因此，通过参考附图所示的本专利技术的实施例，可以得到和详细地理解以上简单概括的本专利技术的上述特征、优点和目的。然而，应当注意，附图仅示出了本专利技术的典型实施例，因此不应被认为是限制了本专利技术的范围，因为本专利技术可以允许其它同样有效的实施例。图1示出使用根据现有技术的微调电路的示例性电压产生电路。图2示出具有根据本专利技术的实施例的微调电路的示例性存储器件。图3示出使用根据本专利技术的一个实施例的微调电路的示例性电压产生电路。图4示出使用根据本专利技术的另一个实施例的微调电路的示例性电压产生电路。具体实施例方式本专利技术总体上提供改进的微调电路，其最小化或消除了电压产生电路中微调电路的影响。通常，开关的沟道电阻的影响通过利用与输出串联而不是如同常规微调电路中那样与电阻器并联的开关来减小。由于开关没有与电阻器并联，因此当开关接通时，不会向由微调电路控制的有效电阻增加沟道电阻。这里描述的微调电路可有利地用于采用内部产生电压的任意多个器件。然而，为了便于理解，以下描述将参考存储器件(例如动态随机存取存储器(DRAM)器件)作为其中可以利用微调电路的特定的但不是限制的器件实例。另外，尽管以下描述可以参考切断的(或保持完整的)熔丝来指示微调电路的设置，但是本领域的技术人员将认识到这类设置也可以存储在任何其它类型的适当非易失性存储元件中，例如存储在非易失性存储寄存器的位中。示例性存储器件图2示出了系统200，其中根据本专利技术的实施例的微调电路250可用于调节示例性存储器件220的电压产生电路244的输出电压VOUT。如所示，VOUT可以被产生以作为由参考电压产生器142产生的参考电压VREF的函数，并可被提供给用于访问(例如读、写或刷新)存储单元阵列222的一个或多个外围电路224。典型存储器件220(例如动态随机存取存储器(DRAM)器件)可以包括被配置用于产生宽本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于降低在集成电路器件内部产生的电压对用于调节电压电平的开关（１５４）的沟道电阻的敏感性的方法，该方法包括：提供具有多个串联连接的电阻器（Ｒ）的分压电路；向该分压电路提供参考电压（Ｖ↓［ＲＥＦ］），结果在形成在所述串联连 接的电阻器（Ｒ）之间的分压电路的节点（Ｎ）处产生不同的电压电平；以及提供多个开关（１５４），以选择性地将其上提供电压的输出节点（ＮＯＵＴ）与分压电路的单个节点（Ｎ）耦接。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：JP金，J芬，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]