多芯片并联的半桥型IGBT模块制造技术

本实用新型专利技术公开了多芯片并联的半桥型IGBT模块，包括壳体，所述壳体内腔的底部固定连接有支撑杆，所述支撑杆的顶端固定连接有导热板，所述壳体内腔底部的左侧固定连接有冷却箱，所述冷却箱的顶部与导热板相接触，所述导热板的顶部固定连接有模块本体，所述壳体内腔的右侧固定连接有风机，所述风机的出风管连通有分布管，所述分布管的左侧连通有散热罩，所述散热罩位于模块本体的右侧。本实用新型专利技术具备散热效果好的优点，解决了现有的多芯片并联的半桥型IGBT模块，在使用过程中，由于结构单一，通常不具有散热结构，导致模块在长时间工作时，容易产生高温，从而影响其使用寿命，且降低了半桥型IGBT模块适用性的问题。

【技术实现步骤摘要】
多芯片并联的半桥型IGBT模块
本技术涉及IGBT模块
，具体为多芯片并联的半桥型IGBT模块。
技术介绍
IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。现有的多芯片并联的半桥型IGBT模块，在使用过程中，由于结构单一，通常不具有散热结构，导致模块在长时间工作时，容易产生高温，从而影响其使用寿命，且降低了半桥型IGBT模块的适用性。
技术实现思路
本技术的目的在于提供多芯片并联的半桥型IGBT模块，具备散热效果好的优点，解决了现有的多芯片并联的半桥型IGBT模块，在使用过程中，由于结构单一，通常不具有散热结构，导致模块在长时间工作时，容易产生高温，从而影响其使用寿命，且降低了半桥型IGBT模块适用性的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：多芯片并联的半桥型IGBT模块，包括壳体，所述壳体内腔的底部固定连接有支撑杆，所述支撑杆的顶端固定连接有导热板，所述壳体内腔底部的左侧固定连接有冷却箱，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.多芯片并联的半桥型IGBT模块，包括壳体(1)，其特征在于：所述壳体(1)内腔的底部固定连接有支撑杆(2)，所述支撑杆(2)的顶端固定连接有导热板(3)，所述壳体(1)内腔底部的左侧固定连接有冷却箱(4)，所述冷却箱(4)的顶部与导热板(3)相接触，所述导热板(3)的顶部固定连接有模块本体(5)，所述壳体(1)内腔的右侧固定连接有风机(6)，所述风机(6)的出风管连通有分布管(7)，所述分布管(7)的左侧连通有散热罩(8)，所述散热罩(8)位于模块本体(5)的右侧，所述壳体(1)的右侧固定连接有过滤箱(9)，所述过滤箱(9)的内腔固定连接有隔板(10)，所述隔板(10)的右侧固定连接有过滤...

【技术特征摘要】
1.多芯片并联的半桥型IGBT模块，包括壳体(1)，其特征在于：所述壳体(1)内腔的底部固定连接有支撑杆(2)，所述支撑杆(2)的顶端固定连接有导热板(3)，所述壳体(1)内腔底部的左侧固定连接有冷却箱(4)，所述冷却箱(4)的顶部与导热板(3)相接触，所述导热板(3)的顶部固定连接有模块本体(5)，所述壳体(1)内腔的右侧固定连接有风机(6)，所述风机(6)的出风管连通有分布管(7)，所述分布管(7)的左侧连通有散热罩(8)，所述散热罩(8)位于模块本体(5)的右侧，所述壳体(1)的右侧固定连接有过滤箱(9)，所述过滤箱(9)的内腔固定连接有隔板(10)，所述隔板(10)的右侧固定连接有过滤板(11)，所述隔板(10)的左侧开设有方孔(12)，所述过滤箱(9)的右侧开设有进风孔(13)，所述风机(6)的进风管贯穿壳体(1)并与过滤箱(9)相连通，所述壳体(1)的左侧开设有排风孔(14)，所述壳体(1)内腔的顶部固定连接有温度传感器(15)。


2.根据权利要求1所述的多芯片并联的半桥型IGBT模块，其特征在于：所述壳体(1)内腔顶部的左侧固定连接有控制器(16)，所述控制器(16)分别与风机(6)和温度传感器(15)电性连接。


3.根据权利要求1所述的多芯片并联的半桥型I...

【专利技术属性】
技术研发人员：李志军，朱永斌，邱嘉龙，何祖辉，邱秀华，
申请(专利权)人：浙江天毅半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33