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本实用新型公开了多芯片并联的半桥型IGBT模块,包括壳体,所述壳体内腔的底部固定连接有支撑杆,所述支撑杆的顶端固定连接有导热板,所述壳体内腔底部的左侧固定连接有冷却箱,所述冷却箱的顶部与导热板相接触,所述导热板的顶部固定连接有模块本体,所述...该专利属于浙江天毅半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过浙江天毅半导体科技有限公司授权不得商用。
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本实用新型公开了多芯片并联的半桥型IGBT模块,包括壳体,所述壳体内腔的底部固定连接有支撑杆,所述支撑杆的顶端固定连接有导热板,所述壳体内腔底部的左侧固定连接有冷却箱,所述冷却箱的顶部与导热板相接触,所述导热板的顶部固定连接有模块本体,所述...