一种离子交换玻璃基掩埋型分段式模斑转换器制造技术

一种离子交换玻璃基掩埋型分段式模斑转换器，这种模斑转换器由n段(n≥2)玻璃基锥形波导芯片依次级联而成；每一段玻璃基锥形波导芯片均由玻璃基板(100)及其内部的掩埋型锥形离子掺杂区(101)构成；其中第n段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)粗端的横截面尺寸与第n‑1段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)细端的横截面尺寸相匹配，第n段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)细端作为模斑转换器的输出端。这种玻璃基掩埋型分段式模斑转换器通过n段玻璃基锥形波导芯片级联的方式，可以实现更大幅度的模斑尺寸转换，提高器件性能，同时降低设计和制作的难度。

【技术实现步骤摘要】
一种离子交换玻璃基掩埋型分段式模斑转换器
本技术涉及一种离子交换玻璃基掩埋型分段式模斑转换器，属于集成光学、光电子学领域。
技术介绍
自从1969年美国贝尔实验室的Miller博士提出“集成光学”的概念以来，集成光学的理论与技术得到了快速发展。一些集成光学器件，譬如半导体激光器、光分路器、光调制器和光开关等，已经广泛应用于光通信、光传感、光计算和光互连等诸多领域，尤其是这种器件在光互连方面的应用，推进了微电子技术的快速发展。SOI(SiliconOnInsulator)材料的芯层与包层之间的折射率差大，光限制能力强，因此采用SOI材料可以实现更小的器件尺寸，实现大规模的光器件集成。因此，硅基集成光电子器件成了当前微电子和集成光学领域的研究热点之一。光纤与SOI波导的耦合问题是影响硅基光子学发展和应用的关键问题。单模光纤的芯径一般为8～10μm，而SOI波导的尺寸一般为450nm×220nm，因此光在光纤中传输时的模斑尺寸和在SOI波导中传输时的模斑尺寸相差悬殊，这种巨大的模场失配导致从光纤到SOI波导的端面耦合损耗高达20dB以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种离子交换玻璃基掩埋型分段式模斑转换器，其特征在于：这种模斑转换器由n段玻璃基锥形波导芯片依次级联而成，其中n≥2；每一段玻璃基锥形波导芯片均由玻璃基板(100)及其内部的掩埋型锥形离子掺杂区(101)构成；其中，第1段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)粗端的横截面尺寸与光纤芯部相匹配，作为模斑转换器的输入端；第2段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)粗端的横截面尺寸与第1段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)细端的横截面尺寸相匹配；依此类推；第n段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)粗端的横截面尺寸与第n-1段玻璃基锥形...

【技术特征摘要】
1.一种离子交换玻璃基掩埋型分段式模斑转换器，其特征在于：这种模斑转换器由n段玻璃基锥形波导芯片依次级联而成，其中n≥2；每一段玻璃基锥形波导芯片均由玻璃基板(100)及其内部的掩埋型锥形离子掺杂区(101)构成；其中，第1段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)粗端的横截面尺寸与光纤芯部相匹配，作为模斑转换器的输入端；第2段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)粗端的横截面尺寸与第1段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)细端的横截面尺寸相匹配；依此类推；第n段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)粗端的横截面尺寸与第n-1段玻...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝寅雷，蒋建光，邓鑫宸，牛梦华，周柯江，车录锋，杨建义，
申请(专利权)人：浙江大学绍兴微电子研究中心，浙江大学，绍兴市科技创业投资有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33