本发明公开了一种用于测量SiC基芯片背面金属层厚度样品的制备方法，包括如下步骤：(1)裂片；(2)研磨平整观察面截面；(3)干燥；(4)离子束切削裂片得到观测样品。本发明利用精密切割研磨仪和离子束研磨仪，规定相应的制备参数，能在较简便，...