【技术实现步骤摘要】
一种改性PTFE高热导率低介电常数复合介质材料及其制备方法
[0001]本专利技术属于功能材料领域，具体涉及制备一种高热导率复合介质材料及复合介质板，利用BN良好的导热性能改善复合介质板的导热性能，满足高频电子元件高集成度要求同时保证低介电常数，可以应用于高频领域。
技术介绍
[0002]随着无线网路、卫星雷达、5G通讯以及通讯信息网络化的快速发展，新型态的电子通讯、智能驾驶、物联网等服务逐步走进人类生活。为了提高传输速度和处理大容量的信息，电路设计日趋复杂，计算频率升高，这对低介电常数的复合介质板的性能提出了更高的要求。
[0003]PTFE具有优异的化学惰性、热稳定性(长期使用温度可为
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50℃至260℃)及介电特性(低介电常数及低介质损耗)，且不可燃烧，在低介电常数复合介质材料领域应用具有独特的优势。但PTFE热传导系数小，热膨胀系数比较大，易产生变形破坏电路的问题。因此，还是需要从改善复合介质板的热导率和热膨胀系数着手，改善PTFE复合介质材料的导热性能。
[0004]现有技术常通过...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种改性PTFE的复合介质材料，其特征在于所述复合介质材料包括氮化硼(BN)陶瓷粉、SiO2陶瓷粉和基于复合介质材料50wt％
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70wt％的PTFE。2.根据权利要求1所述的改性PTFE的复合介质材料，其特征在于，BN陶瓷粉在复合介质材料中的含量为5wt％
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20wt％。3.根据权利要求2所述的改性PTFE的复合介质材料，其特征在于，还包括选自十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、十二烷基硫酸钠(SDS)或十二烷基二甲基甜菜碱(BS
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12)中的一种或多种的表面改性剂，其含量为PTFE的1wt％
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10wt％。4.根据权利要求1所述的改性PTFE的复合介质材料，其中所述BN陶瓷粉为六方氮化硼，粒径为微米级，优选平均粒径为5微米至40微米。5.根据权利要求1所述的改性PTFE的复合介质材料，其中所述SiO2陶瓷粉为微米级，优选平均粒径为5微米至15微米，优选含量为20wt％
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35wt％。6.一种改性PTFE复合介质板，其特征在于，是由权利要求1
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5所述的任一复合介质材料制成。7.一种权利要求6所述改性PTFE复合介质板的制备方法，其特征在于，包括如下制备步骤：(1)乳液配制：将BN陶瓷粉与50wt％
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70wt％的聚四氟乙烯乳液进行双中心混合，双中心搅拌速度...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈杰，唐阳衡，周静，韩坤昆，李强志，祁琰媛，陈文，赵利军，
申请(专利权)人：武汉理工大学，
类型：发明
国别省市：
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