一种LED芯片阵列模组及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种LED芯片阵列模组，包括基板，所述基板上阵列布设有若干LED芯片，形成LED芯片阵列，所述LED芯片阵列上方设置有透明胶状薄膜，透明胶状薄膜与LED芯片的出光面相接触，所述透明胶状薄膜上方设置有玻璃，玻璃上设置有微结构。本发明专利技术在玻璃上制作微结构实现对LED芯片出射的光进行散射，将光线均匀分布，且无需另加扩散膜即可以实现光线的均匀分布，简化了结构。本发明专利技术超薄的透明胶状薄膜与超薄玻璃配合可以实现超薄的模组厚度。玻璃既可以作为光线扩散的载体，同时也可以作为LED芯片阵列整个模组的支撑，增强LED芯片阵列模组的机械强度，同时玻璃的密封性极好，可以改善芯片阵列的密封性。善芯片阵列的密封性。

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片阵列模组及其制作方法


[0001]本专利技术涉及LED芯片制造
，具体涉及一种LED芯片阵列模组及其制作方法。

技术介绍

[0002]Mini LED显示作为新的显示技术，具有广阔的市场前景，在业界得到广泛关注。与OLED显示技术相比，Mini LED由于采用无机半导体材料，其在亮度和寿命等方面均优于OLED显示。
[0003]目前Mini LED显示的主流路线是在PCB基板上通过固晶的方式制作LED 芯片阵列，同时还需要在LED芯片阵列上设置扩散膜来实现光线的均匀分布。但是Mini LED在单位面积上会有更多的芯片焊接，由于PCB基板散热性的限制，热量密集度会更高，PCB基板就会存在翘曲变形的问题。同时由于是多层膜组合的设计，也导致了整个模组厚度偏厚。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是针对上述
技术介绍
中存在的不足，提供一种工艺简单，适合大面积制作的LED芯片阵列，以及该LED芯片阵列的制作方法。
[0005]为实现上述目的，本专利技术一种LED芯片阵列模组，采用了如下技术方案：<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片阵列模组，其特征在于：包括基板，所述基板上阵列布设有若干LED芯片，形成LED芯片阵列，所述LED芯片阵列上方设置有透明胶状薄膜，透明胶状薄膜与LED芯片的出光面相接触，所述透明胶状薄膜上方设置有玻璃，玻璃上设置有微结构。2.根据权利要求1所述的一种LED芯片阵列模组，其特征在于：所述玻璃的可见光透过率大于90％，厚度为10～2000μm。3.根据权利要求1所述的一种LED芯片阵列模组，其特征在于：所述微结构为凸起或凹槽，所述微结构的形状包括圆锥或者棱锥、圆台或者棱台以及圆球中的一种或多种。4.根据权利要求1所述的一种LED芯片阵列模组，其特征在于：所述微结构的高度为1～10μm，底部宽度为1～50μm，微结构之间的间距为1～100μm。5.根据权利要求1所述的一种LED芯片阵列模组，其特征在于：所述透明胶状薄膜的可见光透过率大于90％，厚度为10～2000μm。6.根据权利要求1所述的一种LED芯片阵列模组，...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴俊，李志聪，王国宏，王恩平，
申请(专利权)人：扬州中科半导体照明有限公司，
类型：发明
国别省市：