一种自主适配上电时序的应用电路制造技术

本实用新型专利技术涉及集成电路领域，公开了一种自主适配上电时序的应用电路，解决了使用集成电路进行逻辑切换控制需要使用集成，成本相对较高的问题，其技术方案要点是包括对应连接的第一级开关控制电路和第二级开关控制电路，所述第一级开关控制电路为上电控制电路，所述上电控制电路为电流驱动型电路并使用NPN型三极管作为开关；所述第二级开关控制电路为延时控制电路，所述延时控制电路使用电阻

【技术实现步骤摘要】
一种自主适配上电时序的应用电路


[0001]本技术涉及集成电路领域，更具体地说，它涉及一种自主适配上电时序的应用电路。

技术介绍

[0002]当前社会，集成电路集成度越来越高，使用便捷性越来越突出，需要掌握的设计细节也越发需要注意。通常电源部分的设计和考虑呈两级分化现象，采用同时供电或使用集成电路进行逻辑切换。同时供电在某种小概率情况下可能会导致器件工作在一种非正常状态，此时问题的排查会非常困难，增加开发难度。使用集成电路进行逻辑切换控制需要使用集成，成本相对较高。

技术实现思路

[0003]本技术的目的是提供一种自主适配上电时序的应用电路，能够有效避免因杂讯信号而导致的开关误导通，可有效降低电源供电回路的接触阻抗，提高供电效率，具有综合成本低和实用性强的优点。
[0004]本技术的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：一种自主适配上电时序的应用电路，其特征是：包括对应连接的第一级开关控制电路和第二级开关控制电路，所述第一级开关控制电路为上电控制电路，所述上电控制电路为电流驱动型电路并使用NPN型三极管作为开关；所述第二级开关控制电路为延时控制电路，所述延时控制电路使用电阻-电容电路实现延时并采用MOS管作为开关。
[0005]所述应用电路的供电延时参数根据组成电路的分立器件的自身参数确定。
[0006]所述上电控制电路包括电阻R3、电阻R4、电容C4和三极管Q2，所述电阻R3串联于所述电源3V3和所述三极管Q2基极之间，所述电阻R4串联于所述三极管Q2基极和地GND之间，所述电容C4与所述电阻R4并联，所述三极管Q2发射极接地GND。
[0007]所述延时控制电路包括电容C1、电容C2、电容C3、电阻R1、电阻R2、电阻R5和MOS管Q1，所述电容C1串联在电源VDD50和地GND之间；所述电容C2串联在电源VDD50与所述MOS管Q1栅极之间；所述电容C3串联在电源 PWR50和地GND之间；所述电阻R1和所述电阻R2串联在电源VDD50和所述三极管Q2集电极之间，其中所述电阻R1接电源VDD50，所述电阻R2接所述三极管Q2集电极；所述电阻R5和所述电阻R2串联在所述MOS管Q1栅极和所述三极管Q2集电极之间，其中所述电阻R5接所述MOS管Q1栅极；所述 MOS管Q1源极与电源VDD50相接，所述MOS管Q1漏极与电源PWR50相接。
[0008]综上所述，本技术具有以下有益效果：应用电路由双开关电路共同完成，包括第一级开关控制电路和第二级开关控制电路，第一级开关控制电路中采用电流驱动型NPN型三极管，能够有效避免因杂讯信号而导致的开关误导通，第二级开关控制电路中采用电压驱动型MOS管，可有效降低电源供电回路的接触阻抗，提高供电效率，并且实际的延时效果是根式应用电路中的分立器件的自身参数来确定，便于对应用电路中的时序要求进行灵
活调整。
附图说明
[0009]图1是本技术应用电路的电路图。
具体实施方式
[0010]以下结合附图对本技术作进一步详细说明。
[0011]本技术提供一种自主适配上电时序的应用电路，是针对于集成电路需要实现上电时序控制而设计的一种完全由分立器件搭建，供电延时由分立器件自身的参数决定的应用电路。
[0012]应用电路包括对应连接的第一级开关控制电路和第二级开关控制电路，第一级开关控制电路为上电控制电路，上电控制电路为电流驱动型电路并使用NPN型三极管作为开关；第二级开关控制电路为延时控制电路，延时控制电路使用电阻-电容电路实现延时并采用MOS管作为开关。
[0013]应用电路由双开关电路共同完成，包括第一级开关控制电路和第二级开关控制电路，第一级开关控制电路中采用电流驱动型NPN型三极管，能够有效避免因杂讯信号而导致的开关误导通，第二级开关控制电路中采用电压驱动型MOS管，可有效降低电源供电回路的接触阻抗，提高供电效率，并且实际的延时效果是根式应用电路中的分立器件的自身参数来确定，便于对应用电路中的时序要求进行灵活调整。
[0014]具体的，应用电路的供电延时参数根据组成电路的分立器件的自身参数确定，可根据实际需要灵活调整，实用性强。
[0015]具体的，如图1所示，上电控制电路包括电阻R3、电阻R4、电容C4和三极管Q2，电阻R3串联于电源3V3和三极管Q2基极之间，电阻R4串联于三极管Q2基极和地GND之间，电容C4与电阻R4并联，三极管Q2发射极接地GND；电阻R3和电阻R4在电源上电后分压，使得三极管Q2得到足够导通的电压。电容C4可以起到延缓三极管Q2基极建压时间的作用，可根据实际需求选择是否焊接。同时该部分使用的是电流驱动型三极管，可以有效防止干扰杂波信号引起的误导通。
[0016]如图1所示，延时控制电路包括电容C1、电容C2、电容C3、电阻R1、电阻R2、电阻R5和MOS管Q1，电容C1串联在电源VDD50和地GND之间；电容C2串联在电源VDD50与MOS管Q1栅极之间；电容C3串联在电源PWR50 和地GND之间；电阻R1和电阻R2串联在电源VDD50和三极管Q2集电极之间，其中电阻R1接电源VDD50，电阻R2接三极管Q2集电极；电阻R5和电阻R2 串联在MOS管Q1栅极和三极管Q2集电极之间，其中电阻R5接MOS管Q1栅极；MOS管Q1源极与电源VDD50相接，MOS管Q1漏极与电源PWR50相接。
[0017]电容C1和电容C3起到电源滤波的作用，使电源平滑稳定。电阻R1、电阻R2和MOS管Q1共同实现供电回路的工作。当三极管Q2处于关断状态时，电阻R2与地GND之间处于高阻状态，MOS管Q1栅极通过电阻R5与电阻R2 连接，此时MOS管Q1栅极电位为5V，MOS管Q1的Vgs偏置电压为0V，MOS 管Q1关闭，电源PWR50处于失电状态。当三极管Q2处于导通状态时，电阻 R4与电阻R2之间的连接点电位为电源VDD50经过电阻R1和电阻R2接地后的分压。此时MOS管Q1的Vgs偏置电压为负压且足够MOS管Q1导通，电源 PWR50上电。此处使用电压驱动型MOS管
作为控制开关，以极低的接触阻抗实现电源的开关控制，降低电源损耗，提升供电效率。
[0018]信号型三极管Q2的导通时间通常在几十毫微秒，小功率MOS管Q1导通时间通常在几十毫微秒，电容C4和电阻C2可根据需要延时的长短选择适合容值。
[0019]以上所述仅是本技术的优选实施方式，本技术的保护范围并不仅局限于上述实施例，凡属于本技术思路下的技术方案均属于本技术的保护范围。应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理前提下的若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自主适配上电时序的应用电路，其特征是：包括对应连接的第一级开关控制电路和第二级开关控制电路，所述第一级开关控制电路为上电控制电路，所述上电控制电路为电流驱动型电路并使用NPN型三极管作为开关；所述第二级开关控制电路为延时控制电路，所述延时控制电路使用电阻-电容电路实现延时并采用MOS管作为开关。2.根据权利要求1所述的一种自主适配上电时序的应用电路，其特征是：所述应用电路的供电延时参数根据组成电路的分立器件的自身参数确定。3.根据权利要求2所述的一种自主适配上电时序的应用电路，其特征是：所述上电控制电路包括电阻R3、电阻R4、电容C4和三极管Q2，所述电阻R3串联于电源3V3和所述三极管Q2基极之间，所述电阻R4串联于所述三极管Q2基极和地GND之间，所述电容C4与所述电阻R4并联，所述三...

【专利技术属性】
技术研发人员：兰飞飞，束建强，马佳来，任斌，王琦，
申请(专利权)人：南京瀚元科技有限公司，
类型：新型
国别省市：