一种通过高硅铝比分子筛膜进行氪氙分离的方法技术

本发明专利技术涉及一种通过高硅铝比分子筛膜进行氪氙分离的方法，该发明专利技术属于气体分离技术领域。本发明专利技术中，在多孔陶瓷载体上制备了用于Kr/Xe分离的SSZ

【技术实现步骤摘要】
一种通过高硅铝比分子筛膜进行氪氙分离的方法


[0001]本专利技术涉及一种通过高硅铝比分子筛膜进行氪氙分离的方法，属于气体分离


技术介绍

[0002]核电厂提供的电力约占全球电力的10％，2017年核电厂提供的电力为2636TWh。相对于迄今为止最清洁的天然气发电技术，核电每年可以减少二氧化碳排放23.88亿吨。使用过的核燃料(UNF)具有很高的放射性，必须进行后处理以回收钚和铀用于燃料循环、隔离放射性废料，以最大程度地减少对环境的影响。核燃料辐照过程中产生的挥发性放射性核素(主要为
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Kr)在后处理过程中释放到工厂废气，最终释放到环境中。
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Kr是一种惰性气体，只能通过自然衰变而消除放射性，然而其半衰期长达10.76年，导致
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Kr在大气中累积。例如，中欧地区，大气中
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Kr活性浓度在过去50年间上升了15倍，从1959年的0.1Bq
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m
‑3增加到目前的1.45Bq
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‑3。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SSZ
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13分子筛膜的合成方法，其特征在于，包括以下步骤：第1步，依次将NaOH、TMAdaOH、NaAlO2和硅源加入去离子水中，充分老化溶解，并以其为合成液，进行水热合成反应，通过离心收集晶体，用去离子水洗涤晶体后对其球磨，得到晶种溶液；第2步，使用浸渍提拉法将多孔氧化铝载体的表面涂覆晶种，烘干后，进行煅烧；第3步，将第2步中涂晶后的载体置于合成液中，进行水热合成，反应完毕后，清洗膜表面，并用NH4F溶液去除膜表面的无定形二氧化硅，干燥后通过煅烧脱除模板剂，得到SSZ
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13分子筛膜。2.根据权利要求1所述的SSZ
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13分子筛膜的合成方法，其特征在于，在一个实施方式中，所述的第1步中，硅源是气相二氧化硅；原料的摩尔比折算为SiO2：Al2O3：Na2O：TMAdaOH：H2O=70
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120：0.5
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1.5：5
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15：15
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25：3000
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6000；水热反应温度350
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550 K，反应时间1
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10 d；球磨后晶种粒径小于200 nm。3.根据权利要求1所述的SSZ
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13分子筛膜的合成方法，其特征在于，在一个实施方式中，所述的第2步中，煅烧条件是850
‑
950 K条件下煅烧5
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10 h。4.根据权利要求1所述的SSZ
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13分子筛膜的合成方法，其特征在于，在一个实施方式中，所述的第3步中，水热...

【专利技术属性】
技术研发人员：王学瑞，周韬，顾学红，
申请(专利权)人：南京工业大学，
类型：发明
国别省市：