根据一个实施例的显示装置包括：基底；第一晶体管和第二晶体管，位于基底上并且彼此间隔开；第一电极，连接到第一晶体管或第二晶体管；第二电极，与第一电极叠置；以及发光层，位于第一电极与第二电极之间。第一晶体管包括：第一半导体层，位于基底上；第一栅电极，位于第一半导体层上；以及第一源电极和第一漏电极，连接到第一半导体层。第二晶体管包括：第二半导体层，位于基底上；第二栅电极，位于第二半导体层上；以及第二源电极和第二漏电极，连接到第二半导体层。第一栅电极和第二半导体层位于同一层上。同一层上。同一层上。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置
[0001]本公开涉及一种显示装置。
技术介绍
[0002]通常，使用液晶显示器(LCD)、发光二极管(LED)显示器等作为显示装置。
[0003]发光二极管显示器包括两个电极和设置在两个电极之间的发光层，从作为一个电极的阴极注入的电子和从作为另一个电极的阳极注入的空穴在发光层中彼此结合以产生激子，激子发射能量以发光。
[0004]发光二极管显示器包括多个像素，多个像素包括发光二极管，发光二极管包括阴极、阳极和发光层，并且每个像素包括用于驱动发光二极管的多个晶体管和电容器。
[0005]晶体管包括栅电极、源电极、漏电极和半导体层。半导体层是决定晶体管特性的重要元件。半导体层主要由硅(Si)制成。硅根据晶体形式分为非晶硅和多晶硅。非晶硅具有简单的制造工艺，但具有低电荷迁移率，因此其在制造高性能晶体管方面具有局限性，而多晶硅具有高电荷迁移率，但需要使硅结晶的步骤，增加了制造成本并且使工艺复杂。近来，已经对使用氧化物半导体的晶体管进行了研究，氧化物半导体与非晶硅相比具有较高的电子迁移率和较高的导通/截止比，与多晶硅相比具有较低的成本和较高的均匀性。
技术实现思路
[0006]技术问题
[0007]实施例提供了一种显示装置，该显示装置可以通过简单的制造工艺来减少制造工艺所需的时间和成本。
[0008]技术方案
[0009]根据实施例的显示装置包括：基底；第一晶体管和第二晶体管，设置在基底上并且彼此间隔开；第一电极，连接到第一晶体管和第二晶体管中的一个；第二电极，与第一电极叠置；以及发光层，位于第一电极与第二电极之间，其中，第一晶体管可以包括：第一半导体层，位于基底上；第一栅电极，位于第一半导体层上；以及第一源电极和第一漏电极，连接到第一半导体层，并且第二晶体管可以包括：第二半导体层，位于基底上；第二栅电极，位于第二半导体层上；以及第二源电极和第二漏电极，连接到第二半导体层，并且第一栅电极和第二半导体层可以位于同一层上。
[0010]第一栅电极可以包括掺杂有杂质的多晶硅。
[0011]第二半导体层可以包括多晶硅。
[0012]第一半导体层可以包括氧化物半导体。
[0013]第一晶体管可以连接到第一电极。
[0014]显示装置还可以包括：缓冲层，位于基底上；以及第一栅极绝缘层，位于第一半导体层上，并且第一半导体层可以位于缓冲层与第一栅极绝缘层之间，同时第二半导体层和第一栅电极可以位于第一栅极绝缘层上。
[0015]显示装置还可以包括位于第二半导体层和第一栅电极上的第二栅极绝缘层，并且第二栅电极可以位于第二栅极绝缘层上。
[0016]根据另一实施例的显示装置包括：基底；第一晶体管和第二晶体管，设置在基底上并且彼此间隔开；第一电极，连接到第一晶体管和第二晶体管中的一个；第二电极，与第一电极叠置；以及发光层，位于第一电极与第二电极之间，其中，第一晶体管可以包括：第一半导体层，位于基底上；第一栅电极，位于第一半导体层上；以及第一源电极和第一漏电极，连接到第一半导体层，并且第二晶体管可以包括：第二半导体层，位于基底上；第二栅电极，位于第二半导体层上；以及第二源电极和第二漏电极，连接到第二半导体层，并且第一半导体层和第二栅电极可以位于同一层上。
[0017]第一半导体层可以包括多晶硅，并且第二半导体层可以包括氧化物半导体。
[0018]第二栅电极可以包括掺杂有杂质的多晶硅。
[0019]显示装置还可以包括：缓冲层，位于基底上；绝缘层，位于第二半导体层上；以及第一栅极绝缘层，位于第一半导体层上，并且第二半导体层可以位于缓冲层与绝缘层之间，同时第一半导体层可以位于绝缘层与第一栅极绝缘层之间。
[0020]第一栅电极可以位于第一栅极绝缘层上，并且第二栅电极可以位于绝缘层与第一栅极绝缘层之间。
[0021]根据另一实施例的显示装置包括：基底；第一晶体管和第二晶体管，设置在基底上并且彼此间隔开；第一电极，连接到第一晶体管和第二晶体管中的一个；第二电极，与第一电极叠置；以及发光层，位于第一电极与第二电极之间，其中，第一晶体管可以包括：第一栅电极，位于基底上；第一半导体层，位于第一栅电极上；以及第一源电极和第一漏电极，连接到第一半导体层，并且第二晶体管可以包括：第二半导体层，位于基底上；第二栅电极，位于第二半导体层上；以及第二源电极和第二漏电极，连接到第二半导体层，并且第一栅电极和第二半导体层可以位于同一层上。
[0022]第一栅电极可以包括掺杂有杂质的多晶硅。
[0023]第一半导体层可以包括氧化物半导体。
[0024]第二半导体层可以包括多晶硅。
[0025]显示装置还可以包括位于第一半导体层上的辅助金属层，其中，辅助金属层和第二栅电极可以位于同一层上。
[0026]辅助金属层可以位于第一半导体层与第一源电极之间并且位于第一半导体层与第一漏电极之间。
[0027]辅助金属层可以直接接触第一半导体层。
[0028]显示装置还可以包括：缓冲层，位于基底上；以及栅极绝缘层，位于缓冲层上，并且第一栅电极和第二半导体层可以位于缓冲层与栅极绝缘层之间。
[0029]有益效果
[0030]根据实施例，能够提供一种显示装置，该显示装置可以通过简单的制造工艺来减少制造工艺所需的时间和成本。
附图说明
[0031]图1示出了根据实施例的显示装置的局部区域的剖视图。
[0032]图2示出了根据实施例的显示装置的局部区域的剖视图。
[0033]图3示出了根据实施例的显示装置的局部区域的剖视图。
[0034]图4示出了根据实施例的显示装置的局部区域的剖视图。
[0035]图5、图6、图7和图8分别示出了根据制造工艺的显示装置的局部区域的剖视图。
[0036]图9示出了根据实施例的显示装置的一个像素的等效电路图。
具体实施方式
[0037]在下文中将参照附图更充分地描述本专利技术，在附图中示出了专利技术的实施例。如本领域技术人员将认识到的，在所有不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以以各种不同的方式对所描述的实施例进行修改。
[0038]将省略与描述无关的部分以清楚地描述本公开，并且在整个说明书中同样的附图标记表示同样的元件。
[0039]此外，在附图中，为了易于描述，任意地示出了每个元件的尺寸和厚度，并且本公开不一定限于附图中所示的那些。在附图中，为了清楚起见，夸大了层、膜、面板、区、区域等的厚度。在附图中，为了易于描述，夸大了一些层和区域的厚度。
[0040]将理解的是，当诸如层、膜、区、区域或基底的元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。此外，在本说明书中，词语“在
……
上”或“在
……
上方”表示定位(或设置)在对象部分上或下方，而不一本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种显示装置，所述显示装置包括：基底；第一晶体管和第二晶体管，设置在所述基底上并且彼此间隔开；第一电极，电连接到所述第一晶体管和所述第二晶体管中的一个；第二电极，与所述第一电极叠置；以及发光层，位于所述第一电极与所述第二电极之间，其中，所述第一晶体管包括：第一半导体层，位于所述基底上；第一栅电极，位于所述第一半导体层上；以及第一源电极和第一漏电极，电连接到所述第一半导体层，并且所述第二晶体管包括：第二半导体层，位于所述基底上；第二栅电极，位于所述第二半导体层上；以及第二源电极和第二漏电极，电连接到所述第二半导体层，并且所述第一栅电极和所述第二半导体层位于同一层上。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一栅电极包括掺杂有杂质的多晶硅。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二半导体层包括多晶硅。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一半导体层包括氧化物半导体。5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一晶体管连接到所述第一电极。6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：缓冲层，位于所述基底上；以及第一栅极绝缘层，位于所述第一半导体层上，并且其中，所述第一半导体层位于所述缓冲层与所述第一栅极绝缘层之间，同时所述第二半导体层和所述第一栅电极位于所述第一栅极绝缘层上。7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括位于所述第二半导体层和所述第一栅电极上的第二栅极绝缘层，并且其中，所述第二栅电极位于所述第二栅极绝缘层上。8.一种显示装置，所述显示装置包括：基底；第一晶体管和第二晶体管，设置在所述基底上并且彼此间隔开；第一电极，电连接到所述第一晶体管和所述第二晶体管中的一个；第二电极，与所述第一电极叠置；以及发光层，位于所述第一电极与所述第二电极之间，
其中，所述第一晶体管包括：第一半导体层，位于所述基底上；第一栅电极，位于所述第一半导体层上；以及第一源电极和第一漏电极，电连接到所述第一半导体层，并且所述第二晶体管包括：第二半导体层，位于所述基底上；第二栅电极，位于所述第二半导体层上；以及第二源电极和第二漏电极，连接到所述第二半导体层，并且所述第一半导体层和所述第二栅电极位于同一层上。9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第一半导体层包括多...
【专利技术属性】
技术研发人员：金恩贤，高殷慧，金岁玲，金亿洙，李善熙，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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