显示装置及其操作方法制造方法及图纸

一种显示装置包括：基板；和放置在基板上的晶体管，其中晶体管包括：半导体层；与半导体层重叠的栅电极；与沟道区重叠并且与栅电极接触的第一栅接触重叠层，栅电极和半导体层在沟道区处重叠；和与沟道区重叠并且与半导体层接触的半导体接触重叠层，并且第一栅接触重叠层和半导体接触重叠层在沟道区内由间隙物理地分开。分开。分开。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置及其操作方法


[0001]本专利技术的实施例涉及显示装置及其驱动方法。更具体地，本专利技术涉及包括具有改善的特性的晶体管的显示装置及其驱动方法。

技术介绍

[0002]显示装置是用于显示图像的装置，并且近来，有机发光二极管显示器已引起了关注。
[0003]有机发光二极管显示器具有自发射特性，并且与液晶显示器不同，它不需要单独的光源，因此可以减小其厚度和重量。另外，有机发光二极管显示器展现出诸如低功耗、高亮度和高反应速度的高质量特性。
[0004]通常，有机发光二极管显示器包括基板、设置在基板上的多个晶体管和连接到晶体管的有机发光元件。晶体管是开关元件，并且是显示装置的基本配置。
[0005]具有诸如大数据范围和在导通状态下流动的大电流的特性的晶体管有利于提高显示装置的显示质量。
[0006]在本
技术介绍
部分中公开的上述信息仅用于增强对本专利技术背景的理解，并且因此，它可能包含不构成本领域普通技术人员在本国已经知道的现有技术的信息。

技术实现思路

[0007]本专利技术的实施例提供了显示装置及其驱动方法，该显示装置包括具有诸如大数据范围和在导通状态下流动的大电流的特性的晶体管。
[0008]根据本专利技术的实施例的显示装置包括：基板；和放置在基板上的晶体管，其中晶体管包括：半导体层；与半导体层重叠的栅电极；与沟道区重叠并且与栅电极接触的第一栅接触重叠层，栅电极和半导体层在沟道区处重叠；和与沟道区重叠并且与半导体层接触的半导体接触重叠层，并且第一栅接触重叠层和半导体接触重叠层在沟道区内由间隙物理地分开。
[0009]晶体管可以进一步包括与沟道区重叠并且与栅电极接触的第二栅接触重叠层，并且在平面上，半导体接触重叠层设置在第一栅接触重叠层和第二栅接触重叠层之间。
[0010]在平面上，包括第一栅接触重叠层、半导体接触重叠层、第二栅接触重叠层和间隙的整个区域的宽度可以大于沟道区的宽度。
[0011]在平面上，包括第一栅接触重叠层、半导体接触重叠层、第二栅接触重叠层和间隙的整个区域的宽度可以小于沟道区的宽度。
[0012]晶体管可以进一步包括与沟道区重叠并且与半导体层和栅电极绝缘而不连接的浮置重叠层。
[0013]半导体接触重叠层可以包括：与沟道区重叠的第一重叠部；与沟道区重叠的第二重叠部；与半导体层接触而不与栅电极重叠的接触部；以及将第一重叠部、第二重叠部和接触部彼此连接的延伸部。
[0014]第一栅接触重叠层可以设置在第一重叠部和第二重叠部之间。
[0015]在平面上，包括第一栅接触重叠层、第一重叠部、第二重叠部和间隙的整个区域的宽度可以大于沟道区的宽度。
[0016]在平面上，包括第一栅接触重叠层、第一重叠部、第二重叠部和间隙的整个区域的宽度可以小于沟道区的宽度。
[0017]晶体管可以进一步包括与沟道区重叠并且与半导体层和栅电极绝缘而不连接的浮置重叠层。
[0018]第一栅接触重叠层的宽度可以与半导体接触重叠层的宽度相同。
[0019]第一栅接触重叠层的宽度和半导体接触重叠层的宽度可以彼此不同。
[0020]根据本专利技术的另一实施例的显示装置包括多个像素，其中，多个像素中的每一个包括：发光二极管(LED)；和驱动晶体管，控制从第一电源电压流到发光二极管(LED)的电流量，并且驱动晶体管包括：连接到第一节点的栅电极；施加有第一电源电压的第一电极；电连接到发光二极管(LED)的第二电极；与驱动晶体管的沟道区重叠并且连接到栅电极的栅接触重叠层；和与沟道区重叠并且连接到第一电极的半导体接触重叠层，并且栅接触重叠层和半导体接触重叠层由间隙物理地分开。
[0021]多个像素中的每一个可以进一步包括连接在数据线和驱动晶体管之间的开关晶体管，并且开关晶体管包括：连接到第一栅线的栅电极；和与开关晶体管的沟道区重叠并且连接到开关晶体管的栅电极的栅接触重叠层。
[0022]多个像素中的每一个可以进一步包括连接在驱动晶体管的第二电极和栅电极之间的补偿晶体管，并且补偿晶体管包括：连接到第一栅线的栅电极；和与补偿晶体管的沟道区重叠并且连接到补偿晶体管的栅电极的栅接触重叠层。
[0023]多个像素中的每一个可以进一步包括将初始化电压施加到驱动晶体管的栅电极的初始化晶体管，并且初始化晶体管可以包括：连接到第二栅线的栅电极；和与初始化晶体管的沟道区重叠并且连接到初始化晶体管的栅电极的栅接触重叠层。
[0024]根据本专利技术的另一实施例的包括控制从第一电源电压流到发光二极管(LED)的电流量的驱动晶体管、根据施加到第一栅线的第一栅信号将施加到数据线的数据电压传输到驱动晶体管的开关晶体管、根据第一栅信号将驱动晶体管二极管连接的补偿晶体管和根据施加到第二栅线的第二栅信号将初始化电压施加到驱动晶体管的栅电极的初始化晶体管的显示装置的驱动方法包括：将第一电源电压施加到驱动晶体管的第一电极；响应于驱动晶体管的栅电极连接至的第一节点的电压，使电流从第一电源电压流到发光二极管(LED)；将第一电源电压施加到与驱动晶体管的沟道区重叠并且连接到驱动晶体管的第一电极的半导体接触重叠层；以及将第一节点的电压施加到与驱动晶体管的沟道区重叠并且连接到驱动晶体管的栅电极的栅接触重叠层。
[0025]可以进一步包括：将第一栅信号作为栅导通电压施加到开关晶体管的栅电极以导通开关晶体管；并且将第一栅信号施加到与开关晶体管的沟道区重叠并且连接到开关晶体管的栅电极的栅接触重叠层。
[0026]可以进一步包括：将第一栅信号作为栅导通电压施加到补偿晶体管的栅电极以导通补偿晶体管；并且将第一栅信号施加到与补偿晶体管的沟道区重叠并且连接到补偿晶体管的栅电极的栅接触重叠层。
时，不存在居间元件。此外，词语“在
……
上”或“在
……
上方”表示放置在对象部分上或上方，并且不一定表示基于重力方向放置在对象部分的上侧。
[0052]另外，除非被明确地描述为相反，否则词语“包括”及诸如“包含”或“含有”的变体将被理解为意指包括所陈述的元件但不排除任何其他元件。
[0053]此外，在说明书中，短语“在平面图中”是指当从上方观察对象部分时，而短语“在截面图中”是指当从侧面观察通过垂直切割对象部分而截取的截面时。
[0054]现在，参照图1和图2描述根据本专利技术的实施例的显示装置中包括的晶体管。
[0055]图1是示出根据本专利技术的实施例的晶体管的俯视图。图2是沿图1的线II
‑
II'截取的晶体管的截面图。
[0056]参见图1和图2，显示装置包括放置在基板110上的多个晶体管。多个晶体管分别包括重叠层ML、半导体层120、栅电极130、第一电极151和第二电极153。
[0057]基板110可以包括诸如玻璃、塑料或聚酰亚胺(PI)的材料。阻挡层111放置在基板110上，并且由具有导电性的金属或具有与其等效的导电特性的半导体材料制成的重叠层ML放置在阻挡层111上。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种显示装置，包括：基板；和放置在所述基板上的晶体管，其中所述晶体管包括：半导体层；与所述半导体层重叠的栅电极；与沟道区重叠并且与所述栅电极接触的第一栅接触重叠层，所述栅电极和所述半导体层在所述沟道区处重叠；和与所述沟道区重叠并且与所述半导体层接触的半导体接触重叠层，并且所述第一栅接触重叠层和所述半导体接触重叠层在所述沟道区内由间隙物理地分开。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述晶体管进一步包括：与所述沟道区重叠并且与所述栅电极接触的第二栅接触重叠层，并且在平面上，所述半导体接触重叠层设置在所述第一栅接触重叠层和所述第二栅接触重叠层之间。3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，在平面上，包括所述第一栅接触重叠层、所述半导体接触重叠层、所述第二栅接触重叠层和所述间隙的整个区域的宽度大于所述沟道区的宽度。4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，在平面上，包括所述第一栅接触重叠层、所述半导体接触重叠层、所述第二栅接触重叠层和所述间隙的整个区域的宽度小于所述沟道区的宽度。5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述晶体管进一步包括与所述沟道区重叠并且与所述半导体层和所述栅电极绝缘而不连接的浮置重叠层。6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述半导体接触重叠层包括：与所述沟道区重叠的第一重叠部；与所述沟道区重叠的第二重叠部；与所述半导体层接触而不与所述栅电极重叠的接触部；和将所述第一重叠部、所述第二重叠部和所述接触部彼此连接的延伸部。7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一栅接触重叠层设置在所述第一重叠部和所述第二重叠部之间。8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，在平面上，包括所述第一栅接触重叠层、所述第一重叠部、所述第二重叠部和所述间隙的整个区域的宽度大于所述沟道区的宽度。9.根据权利要求6所述的显示装置，其中，在平面上，包括所述第一栅接触重叠层、所述第一重叠部、所述第二重叠部和所述间隙的整个区域的宽度小于所述沟道区的宽度。10.根据权利要求6所述的显示装置，其中，
所述晶体管进一步包括与所述沟道区重叠并且与所述半导体层和所述栅电极绝缘而不连接的浮置重叠层。11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一栅接触重叠层的宽度与所述半导体接触重叠层的宽度相同。12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一栅接触重叠层的宽度和所述半导体接触重叠层的宽度彼此不同。13.一种显示装置，包括：多个像素，其中，所述多个像素中的每一个包括：发光二极管；和驱动晶体管，控制从第一电源电压流到所述发光二极管的电流量，并且所述驱动晶体管包括：连接到第一节点的栅电极；施加有所述第一电源电压的第一电极；电连接到所述发光二极管的第二电极；与所述驱动晶体管的沟道区重叠并且连接到所述栅电极的栅接触重叠层；和与所述沟道区重叠并且连接到所述第一电...

【专利技术属性】
技术研发人员：金建熙，朴常镐，全珠姬，郑荣哲，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：