制程方法及制程系统技术方案

本申请涉及一种制程方法及制程系统，制程方法包括建立第一制程配方及第二制程配方，第一制程配方包括处理制程及量测制程，第二制程配方包括处理制程；创建晶圆识别码与第一制程配方的第一对应关系或晶圆识别码与第二制程配方的第二对应关系；将符合第一对应关系或者第二对应关系的晶圆指派给机台；机台对第一对应关系对应的晶圆执行第一制程配方，对第二对应关系对应的晶圆执行第二制程配方。上述的制程方法能够实现同一个机台同时对晶圆进行处理操作和量测操作，并且可以根据需要选择晶圆进行量测，而不需对每个晶圆都进行量测，提高了机台的使用率，缩短了机台的制程时间。缩短了机台的制程时间。缩短了机台的制程时间。

【技术实现步骤摘要】
制程方法及制程系统


[0001]本申请涉及半导体制造
，特别涉及一种制程方法及制程系统。

技术介绍

[0002]半导体制程包括处理制程及量测制程。处理制程及量测制程分别由不同的机台执行。晶圆先进行处理制程再进行量测制程。目前，机台对每批晶圆的每一个均进行量测，导致占用机台时间过长，机台使用率低，生产成本高。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要针对现有机台对每批晶圆的每一个均进行量测，导致占用机台时间过长，机台使用率低，生产成本高的问题，提供一种制程方法及制程系统。
[0004]一种制程方法，包括：
[0005]建立第一制程配方及第二制程配方，所述第一制程配方包括处理制程及量测制程，所述第二制程配方包括处理制程；
[0006]创建晶圆识别码与所述第一制程配方的第一对应关系或晶圆识别码与所述第二制程配方的第二对应关系；
[0007]将符合所述第一对应关系或者所述第二对应关系的晶圆指派给机台；
[0008]所述机台对所述第一对应关系对应的晶圆执行所述第一制程配方，对所述第二对应关系对应的晶圆执行所述第二制程配方。
[0009]在其中一个实施例中，还包括：
[0010]获取所述机台执行处理制程的制程输出程序参数；
[0011]根据制程输出程序参数判断机台的制程输入程序参数设定是否合理。
[0012]在其中一个实施例中，还包括：
[0013]获取所述机台执行量测制程的量测结果；
[0014]根据所述量测结果判断所述晶圆是否符合预设规格。
[0015]在其中一个实施例中，所述处理制程包括沉积、移除、图案化及电气特性的调整。
[0016]在其中一个实施例中，所述量测制程包括膜厚度量测及尺寸量测。
[0017]一种制程系统，包括：
[0018]配方建立模块，用于建立第一制程配方及第二制程配方，所述第一制程配方包括处理制程及量测制程，所述第二制程配方包括处理制程；
[0019]指派模块，与所述配方建立模块连接，用于创建晶圆识别码与所述第一制程配方的第一对应关系或晶圆识别码与所述第二制程配方的第二对应关系；还用于将符合所述第一对应关系或者所述第二对应关系的晶圆指派给机台；及
[0020]制造执行模块，分别与所述配方建立模块及关系创建模块连接，用于控制所述机台对所述第一对应关系对应的晶圆执行所述第一制程配方，对所述第二对应关系对应的晶圆执行所述第二制程配方。
[0021]在其中一个实施例中，还包括：
[0022]故障检测模块，与所述制造执行模块连接，用于通过所述制造执行模块获取所述机台执行处理制程的制程输出程序参数，还用于根据制程输出程序参数判断机台的制程输入程序参数设定是否合理。
[0023]在其中一个实施例中，还包括：
[0024]统计分析模块，与所述制造执行模块连接，用于通过所述制造执行模块获取所述机台执行量测制程的量测结果，还用于根据所述量测结果判断所述晶圆是否符合预设规格。
[0025]上述的制程方法及制程系统，通过建立包括处理制程及量测制程的第一制程配方，包括处理制程的第二制程配方，创建晶圆识别码与第一制程配方的第一对应关系或晶圆识别码与第二制程配方的第二对应关系，并将符合第一对应关系或者第二对应关系的晶圆指派给机台，机台对第一对应关系对应的晶圆执行第一制程配方，对第二对应关系对应的晶圆执行第二制程配方，从而实现同一个机台同时对晶圆进行处理操作和量测操作，并且可以根据需要选择晶圆进行量测，而不需对每个晶圆都进行量测，提高了机台的使用率，缩短了机台的制程时间。
附图说明
[0026]图1为一实施例中的制程方法的流程图；
[0027]图2为另一实施例中的制程方法的流程图；
[0028]图3为另一实施例中的制程方法的流程图；
[0029]图4为一实施例中的制程系统的方块图；
[0030]图5为另一实施例中的制程系统的方块图；
[0031]图6为另一实施例中的制程系统的方块图。
具体实施方式
[0032]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
[0033]需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
[0034]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。
[0035]请参阅图1，图1为一实施例中的制程方法的流程图。该制程方法可适用于所有制程世代。制程方法包括以下步骤。
[0036]步骤S01，建立第一制程配方及第二制程配方，第一制程配方包括处理制程及量测
制程，第二制程配方包括处理制程。
[0037]第一制程配方及第二制程配方由同一机台执行。机台与制造执行系统电性连接。制造执行系统根据第一制程配方控制机台对晶圆进行处理操作和量测操作。制造执行系统根据第二制程配方控制机台对晶圆进行处理操作。
[0038]处理操作包括沉积、移除、图案化及电气特性的调整(即掺杂)。沉积是生长、涂覆或以其他方式将材料移送至晶圆上的制程。沉积制程或技术的一些实例包括物理气相沉积(physical vapor deposition；PVD)、化学气相沉积(chemicalvapor deposition；CVD)、电化学沉积(electrochemical deposition；ECD)、分子束磊晶(molecular beam epitaxy；MBE)、原子层沉积(atomic layer deposition；ALD)及类似者。移除是自晶圆成块地或选择性地移除材料的制程且包括蚀刻制程(etch)。图案化制程是成形或稍后所沉积材料的形状的显影制程。图案化亦称为光微影(lithography)。典型图案化制程包括使用光阻剂材料选择性地遮罩半导体装置的一些部分，使装置曝露于特定光波长中，及随后用显影液冲刷未曝光区域。另一方面，电气特性可通过扩散及/或离子植入使选定区域掺杂来改变，这些制程通常继之以退火制程，诸如熔炉退火或快速热退火(rapid thermal anneal；RTA)，以便活化所植入掺杂剂。
[0039]量测制程包括膜厚度量测及尺寸量测。
[0040]步骤S02，创建晶圆识别码与第一制程配方的第一对应关系或晶圆识别码与第二制程配方的第二对应关本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制程方法，其特征在于，包括：建立第一制程配方及第二制程配方，所述第一制程配方包括处理制程及量测制程，所述第二制程配方包括处理制程；创建晶圆识别码与所述第一制程配方的第一对应关系或晶圆识别码与所述第二制程配方的第二对应关系；将符合所述第一对应关系或者所述第二对应关系的晶圆指派给机台；所述机台对所述第一对应关系对应的晶圆执行所述第一制程配方，对所述第二对应关系对应的晶圆执行所述第二制程配方。2.根据权利要求1所述的制程方法，其特征在于，还包括：获取所述机台执行处理制程的制程输出程序参数；根据所述制程输出程序参数判断机台的制程输入程序参数设定是否合理。3.根据权利要求1所述的制程方法，其特征在于，还包括：获取所述机台执行量测制程的量测结果；根据所述量测结果判断所述晶圆是否符合预设规格。4.根据权利要求1所述的制程方法，其特征在于，所述处理制程包括沉积、移除、图案化及电气特性的调整。5.根据权利要求1所述的制程方法，其特征在于，所述量测制程包括膜厚度量测及尺寸量测。6.一种制程系统，其特征在于，包括：配方建立模块，用于建立第一制程配方及第二制程配方，所述第一制程配方包括处理制程及量测制程，所述第二制程...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈三城，李昇聪，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：