【技术实现步骤摘要】
一种测试腔及气压测试装置
本申请涉及半导体
,更具体地说,涉及一种测试腔及气压测试装置。
技术介绍
随着集成电路技术和MEMS(Micro-Electro-MechanicalSystem,微机电系统)技术的飞速发展,各种芯片类产品层出不穷。为了保证产品能够有效地适应各种条件工作,就需要对产品进行可靠性测试。现有的产品可靠性测试主要针对封装后的单颗芯片进行,这种可靠性测试只能针对单颗芯片进行逐一测试,导致测试效率低下。
技术实现思路
为解决上述技术问题,本申请提供一种测试腔及气压测试装置,以实现提高可靠性测试的效率的目的。为实现上述目的,本申请提供如下技术方案:一种测试腔,包括:载片平台、通气孔、气体分配装置和至少一个连接端;其中,所述气体分配装置设置于所述连接端与所述通气孔之间,所述载片平台设置于所述气体分配装置与所述通气孔之间,所述载片平台用于承托晶圆的周缘;所述晶圆包括多个芯片单元。可选的,所述测试腔除所述通气孔和所述连接端外均为密封结构。可选的,所述气体分配装置包括分流板;所述分流板包括多个通孔。可选的,所述多个通孔均匀分布在所述分流板表面。可选的,所述多个通孔的总面积与所述分流板的面积的比值的取值范围为1/3~1/2。可选的,所述通孔的直径的取值范围为1mm~10mm。可选的,所述载片平台包括至少一个载片单元,每个所述载片单元包括至少一个圆环形的载片结构。可选的,所述载片单元包括多个 ...
【技术保护点】
1.一种测试腔,其特征在于,包括:载片平台、通气孔、气体分配装置和至少一个连接端;其中,/n所述气体分配装置设置于所述连接端与所述通气孔之间,所述载片平台设置于所述气体分配装置与所述通气孔之间,所述载片平台用于承托晶圆的周缘;/n所述晶圆包括多个芯片单元。/n
【技术特征摘要】
1.一种测试腔,其特征在于,包括:载片平台、通气孔、气体分配装置和至少一个连接端;其中,
所述气体分配装置设置于所述连接端与所述通气孔之间,所述载片平台设置于所述气体分配装置与所述通气孔之间,所述载片平台用于承托晶圆的周缘;
所述晶圆包括多个芯片单元。
2.根据权利要求1所述的测试腔,其特征在于,所述测试腔除所述通气孔和所述连接端外均为密封结构。
3.根据权利要求1所述的测试腔,其特征在于,所述气体分配装置包括分流板;
所述分流板包括多个通孔。
4.根据权利要求3所述的测试腔,其特征在于,所述多个通孔均匀分布在所述分流板表面。
5.根据权利要求3所述的测试腔,其特征在于,所述多个通孔的总面积与所述分流板的面积的比值的取值范围为1/3~1/2。
6.根据权利要求3所述的测试腔,其特征在于,所述通孔的直径的取值范围为1mm~10mm。
7.根据权利要求1所述的测试腔,其特征在于,所述载片平台包括至少一个载片单元,每个所述载片单元包括至少一个圆环形的载片结构。
8.根据权利要求7所述的测试腔,其特征在于,所述载片单元包括多个不同尺寸的载片结构;多个所述载片结构按照直径从小到大,自下而上设置。
9.根据权利要求7所述的测试腔,其特征在于,所述载片平台包括多个阵列排布的载片单元。
10.根据权利要求7所述的气压测试装置,其特征在于,所述载片结构的宽度的取值范围为3~5mm;
所述载片结构的外圆直径大于所述晶圆的直径。
11.根据权利要求1所述的测试腔,其特征在于,还包括:
相对设置的第一盖和第二盖,所述第一盖和第二盖相对贴合时构成容纳空腔;
所述第一盖内部包括所述气体分配装置;
所述第二盖背离所述第一盖一侧表面具有所述通气孔,所述第二盖内部包括所述载片平台。
12.根据权利要求11所述的测试腔,其特征在于,所述第一盖还包括:设置于所述第一盖的第一方向侧壁上的第一把手;
所述第二盖还包括:设置于所述第二盖的所述第一方向侧壁上的第二把手。
13.根据权利要求11所述的测试腔,其特征在于,还包括:
设置于所述第一盖和所述第二盖的第二方向侧壁上的合页。
14.根据权利要求11所述的测试腔,其特征在于,所述测试腔还包括:密封圈,所述密封圈设置于所述第一盖与所述第二盖的接触面。
15.根据权利要求11所述的测试腔,其特征在于,所述测试腔还包括卡扣;
所述卡扣设置于所述第一盖或第二盖的外部表面,所述卡扣用于在处于扣紧状态时箍紧所述第一盖和第二盖,在处于打开状态时释放所述第一盖和所述第二盖。
16.根据权利要求1所述的测试腔,其特征在于,所述芯片单元为硅麦克风芯片。
17.一种气压测试装置,其特征在于,包括:气体供给装置和测试腔;其中,
所述气体供给装置包括至少一个出气口,所述测试腔包括载片平台、通气孔、气体分配装置和与所述出气口一一对应的连接端,所述通气孔设置于背离所述连接端一侧;
所述气体分配装置设置于所述连接端与所述通气孔之间,所述载片平台设置于所述气体分配装置与所述通气孔之间,所述载片平台用于承托晶圆的周缘;
所述气体供给装置通过所...
【专利技术属性】
技术研发人员:金文超,闻永祥,孙福河,李佳,
申请(专利权)人:杭州士兰集昕微电子有限公司,
类型:新型
国别省市:浙江;33
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