【技术实现步骤摘要】
一种等离子体化学气相沉积工艺用基座
本技术涉及薄膜沉积设备用基座
,具体是一种等离子体化学气相沉积工艺用基座。
技术介绍
加热基座(铝件)在工业加工生产中应用比较广泛,尤其在液晶面板制造领域,往往需要在玻璃基板上等离子体化学气相沉积工艺,此工艺一般需要采用加热基座来提供一定的热量,以满足实施等离子体化学气相沉积工艺所需的温度条件。在加热过程中,温度可达360℃,加热基座会受热而发生膨胀。实施等离子体化学气相沉积工艺,是采用等离子体激活反应气体,促进在基体表面或近表面空间进行化学反应,生成固态膜。即在高频或直流电场作用下,源气体电离形成等离子体,利用低温等离子体作为能量源,通入适量的反应气体,利用等离子体放电,使反应气体激活并实现化学气相沉积。在上述过程中,往往会在金属基座的四周产生电弧,不仅给等离子体化学气相沉积工艺的正常进行造成了影响,而且也具有一定的安全隐患。
技术实现思路
本技术的目的是为了克服现有技术存在的缺陷和不足,提供一种等离子体化学气相沉积工艺用基座,在金属基座的四周设置环形台阶, ...
【技术保护点】
1.一种等离子体化学气相沉积工艺用基座,包括有金属基座,其特征在于:所述的金属基座的四周设有环形台阶,沿所述环形台阶的台阶面分别设有多个绝缘条块,每个绝缘条块的一端均具有呈台阶状的上搭接部,每个绝缘条块的另一端均具有呈台阶状的下搭接部,相邻二个绝缘条块的上搭接部与下搭接部分别搭接在一起;沿所述环形台阶的台阶面在每个绝缘条块的下方均分别设有定位孔和位于所述定位孔两侧的导向孔,每个绝缘条块的底部均分别连接有对应插入所述定位孔和导向孔中的定位销和导向销。/n
【技术特征摘要】
1.一种等离子体化学气相沉积工艺用基座,包括有金属基座,其特征在于:所述的金属基座的四周设有环形台阶,沿所述环形台阶的台阶面分别设有多个绝缘条块,每个绝缘条块的一端均具有呈台阶状的上搭接部,每个绝缘条块的另一端均具有呈台阶状的下搭接部,相邻二个绝缘条块的上搭接部与下搭接部分别搭接在一起;沿所述环形台阶的台阶面在每个绝缘条块的下方均分别设有定位孔和位于所述定位孔两侧的导向孔,每个绝缘条块的底部均分别连接有对应插入所述定位孔和导向孔中的定位销和导向销。
2.根据权利要求1所述的一种等离子体...
【专利技术属性】
技术研发人员:蔡广云,车午秉,余波,张乐乐,
申请(专利权)人:合肥微睿光电科技有限公司,
类型:新型
国别省市:安徽;34
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