波导管缝隙天线制造技术

本发明专利技术提供一种基于供电部的构造和配置来保持良好的特性并且适合小型化的波导管缝隙天线。波导管缝隙天线构成为，在波导管设有在电介质基板的下表面与上表面之间贯通地形成的供电部(15)，该波导管由电介质基板(10)、形成于电介质基板的下表面的第1导体层(11)、形成于电介质基板的上表面并设有一个或多个缝隙(14)的第2导体层(12)、以及将第1导体层与第2导体层电连接并沿第1方向(X)延伸的1对侧壁部(W1、W2)构成。一个或多个缝隙包括沿着第1方向具有缝隙长(L)的第1缝隙(14a)，在从第2方向(Z)观察的俯视视角下，供电部配置于与第1缝隙重叠的位置，且供电部具有沿着第1方向不超出缝隙长的范围的构造。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】波导管缝隙天线
本专利技术涉及一种在使用电介质基板构成的波导管设有一个或多个缝隙的波导管缝隙天线。
技术介绍
以往，在使用微波段、毫米波段的高频信号的无线通信中，众所周知一种在波导管形成有多个缝隙，将从供电部供给的高频信号向波导管传播并作为电磁波从多个缝隙辐射的波导管缝隙天线。近年来，鉴于波导管缝隙天线的小型轻量化、加工的容易性，提出了一种具有如下构造的波导管缝隙天线，即：构成以包围电介质基板的方式形成有上下的导体层、侧面的通路导体群的波导管，在导体层的局部设有多个缝隙(例如参照专利文献1)。此外，关于这样的构造的波导管缝隙天线，提出了一种设有短路壁部的构造，该短路壁部成为与波导管的信号传输方向正交的短路面(例如参照专利文献2)。在专利文献2所公开的、构成了设有短路壁部的波导管缝隙天线的情况下，通常配置为，在从层叠基板的高度方向看时，供电部不与缝隙重叠，且配置为，从距缝隙较远的一侧的短路壁部的位置至供电部的位置为止的距离为管内波长的1/4倍。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2005-051331号公报专利文献2：日本特开2005-051330号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题为了使波导管缝隙天线小型化，需要极力缩短沿着信号传输方向的长度。但是，在上述以往的构造中，由于波导管内的驻波的周期性导致难以使供电部接近短路壁部，使供电部和缝隙接近会由于彼此的干扰而导致产生特性上的问题。因而，根据上述波导管缝隙天线的构造，不得不使短路壁部、供电部、缝隙分开地配置，波导管缝隙天线的沿着信号传输方向的长度不可避免地变长。除此之外，还具有这样的担忧：在供电部的上端部和形成于电介质基板的导体层之间产生的电容对特性产生影响。这样，根据以往的波导管缝隙天线的构造，具有这样的课题：在保持良好的特性并且谋求波导管缝隙天线的小型化上存在限度。本专利技术是为了解决上述的课题而完成的，能够提供一种基于供电部的构造和配置来保持良好的特性并且适合小型化的波导管缝隙天线。用于解决问题的方案为了解决上述课题，本专利技术的波导管缝隙天线的特征在于，构成为具有波导管，该波导管由电介质基板(10)、第1导体层(11)、第2导体层(12)以及1对侧壁部(W1、W2)构成，该第1导体层(11)形成于所述电介质基板的下表面，该第2导体层(12)形成于所述电介质基板的上表面，在该第2导体层(12)设有一个或多个缝隙(14)，该1对侧壁部(W1、W2)将所述第1导体层与所述第2导体层电连接，在作为信号传输方向的第1方向(X)上延伸，该波导管缝隙天线具有供电部(15)，该供电部(15)至少在所述电介质基板的下表面与上表面之间贯通地形成，向所述波导管供给输入信号，所述一个或多个缝隙包括沿着所述第1方向具有预定的缝隙长(L)的第1缝隙(14a)，在从与所述第2导体层垂直的第2方向(Z)观察的俯视视角下，所述供电部配置于与所述第1缝隙重叠的位置，且所述供电部沿着所述第1方向不超出所述缝隙长的范围。根据本专利技术的波导管缝隙天线，形成了将构成波导管的电介质基板的下表面和上表面贯通的供电部，将该供电部配置为，在从第2方向观察的俯视视角下，形成于与第1缝隙重叠的位置且不超出第1缝隙的缝隙长，因此，与使供电部和缝隙在第1方向上分开地配置的以往的构造相比，主要能够格外缩小波导管缝隙天线的第1方向的尺寸。在该情况下，第1缝隙和供电部的上端部作为具有一体的形状的1个天线进行作用，因此，能够抑制因彼此的干扰对天线特性产生的影响。此外，供电部为不以预定的间隔与第2导体层相对的构造，能够降低供电部与第2导体层之间的电容成分，因此高频特性提高。本专利技术的供电部能够构成为，包括：供电端子(15a)，其与第1导体层配置于同一平面内，不与第1导体层相接触；上端部(15b)，其与第2导体层配置于同一平面内，不与第2导体层相接触；以及供电用通路导体(15c)，其下端与供电端子相连接，其上端与上端部相连接。根据这样的构造，由于供电部的上端部与第2导体层配置于同一平面内，因此，尤其能够格外降低上端部与第2导体层之间的电容成分，并且能够与供电用通路导体的直径相应地适当调整阻抗匹配。在本专利技术中，还可以构成为，设有短路壁部(W3)，该短路壁部(W3)将第1导体层与第2导体层电连接，并成为波导管中的与第1方向正交的至少一个短路面，短路壁部与供电部之间的沿着第1方向的距离相当于波导管的管内波长的1/4倍。由此，关于波导管内的驻波，能够使电场的零点与短路壁部的位置一致，能够使电场的峰值与供电部的位置一致。在该情况下，1对侧壁部和短路壁部各自能够由分别将第1导体层与第2导体层连接的多个通路导体构成。由此，在制作电介质基板时应用层叠技术的情况下，能够容易地以所期望的形状形成波导管的侧壁部和短路壁部。在本专利技术中，也可以是，在从第2方向观察的俯视视角下，一个或多个缝隙排列于从1对侧壁部之间的与第1方向和第2方向正交的第3方向上的中心位置偏移的位置。由此，主要能够与波导管内的磁场分布相对应地将各个缝隙配置于最合适的位置。在该情况下，也可以是，一个或多个缝隙仅包括第1缝隙。或者也可以是，一个或多个缝隙包括第1缝隙以外的缝隙，一个或多个缝隙中的相邻的缝隙彼此排列于隔着第3方向上的中心位置在第3方向上对称的位置。专利技术的效果根据本专利技术，将电介质基板的下表面和上表面贯通的供电部配置为在俯视时与第1缝隙重叠，因此，能够实现波导管缝隙天线的小型化。此外，以供电部在第1方向上不超出第1缝隙的缝隙长的范围为前提，供电部和第1缝隙在不会彼此干扰的情况下作为一体的天线进行作用，也能够降低供电部与第2导体层之间的电容成分，因此，能够确保波导管缝隙天线的良好的特性。附图说明图1是示出应用了本专利技术的一实施例的波导管缝隙天线的构造例的图，图1的(A)是从上方看波导管缝隙天线而得到的俯视图，图1的(B)是图1的(A)的波导管缝隙天线的A-A剖面的剖视图，图1的(C)是从下方看图1的(A)的波导管缝隙天线而得到的仰视图。图2是表示用于说明本专利技术的效果的比较例的图，图2的(A)是与图1的(A)相对应的俯视图，图2的(B)是与图1的(B)相对应的剖视图，图2的(C)是与图1的(C)相对应的仰视图。图3是示出从天线特性的方面来说不优选的供电部15的第1配置例的图。图4是示出从天线特性的方面来说不优选的供电部15的第2配置例的图。图5是表示变更了供电部15的位置的第1变形例的图。图6是表示变更了缝隙14的个数的第2变形例的图。图7是说明本实施方式的波导管缝隙天线的制作方法的概要的图。具体实施方式以下参照附图来说明本专利技术的优选的实施方式。不过，以下所述的实施方式是应用了本专利技术的技术思想的方式的一个例子，本专利技术并不被本实施方式的内容限定。首先，使用图1来说明应用了本专利技术的一实施例的波导管缝隙天线的构造。图1的(A)是从上方看本实施方式的波导管缝隙天线而得到的俯视图，图1的(B)是图1的(A本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种波导管缝隙天线，其具有波导管，该波导管由电介质基板、第1导体层、第2导体层以及1对侧壁部构成，该第1导体层形成于所述电介质基板的下表面，该第2导体层形成于所述电介质基板的上表面，在该第2导体层设有一个或多个缝隙，该1对侧壁部将所述第1导体层与所述第2导体层电连接，在作为信号传输方向的第1方向上延伸，/n该波导管缝隙天线的特征在于，/n该波导管缝隙天线具有供电部，该供电部至少在所述电介质基板的下表面与上表面之间贯通地形成，向所述波导管供给输入信号，/n所述一个或多个缝隙包括沿着所述第1方向具有预定的缝隙长的第1缝隙，/n在从与所述第2导体层垂直的第2方向观察的俯视视角下，所述供电部配置于与所述第1缝隙重叠的位置，且所述供电部沿着所述第1方向不超出所述缝隙长的范围。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181126 JP 2018-2206701.一种波导管缝隙天线，其具有波导管，该波导管由电介质基板、第1导体层、第2导体层以及1对侧壁部构成，该第1导体层形成于所述电介质基板的下表面，该第2导体层形成于所述电介质基板的上表面，在该第2导体层设有一个或多个缝隙，该1对侧壁部将所述第1导体层与所述第2导体层电连接，在作为信号传输方向的第1方向上延伸，
该波导管缝隙天线的特征在于，
该波导管缝隙天线具有供电部，该供电部至少在所述电介质基板的下表面与上表面之间贯通地形成，向所述波导管供给输入信号，
所述一个或多个缝隙包括沿着所述第1方向具有预定的缝隙长的第1缝隙，
在从与所述第2导体层垂直的第2方向观察的俯视视角下，所述供电部配置于与所述第1缝隙重叠的位置，且所述供电部沿着所述第1方向不超出所述缝隙长的范围。


2.根据权利要求1所述的波导管缝隙天线，其特征在于，
所述供电部构成为，包括：
供电端子，其与所述第1导体层配置于同一平面内，不与所述第1导体层相接触；
上端部，其与所述第2导体层配置于同一平面内，不与所述第2导体层相接触；以及
供电用通路导体，其下端与所述供电...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥裕之，平野聪，森奈绪子，青木生朗，安达拓也，
申请(专利权)人：日本特殊陶业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP