一种薄膜图形化工艺方法、复合薄膜及电子元器件技术

本申请公开一种薄膜图形化工艺方法、复合薄膜及电子元器件，包括：由薄膜基体的离子注入面向薄膜基体内进行第一离子注入，在薄膜基体内形成薄膜层、分离层和余质层；将衬底基板与薄膜基体的离子注入面键合，得到第一键合体；对第一键合体热处理或机械拉扯处理，使余质层从第一键合体上剥离，得到第二键合体，第二键合体包括层叠的薄膜层和衬底基板；按照目标图形，对第二键合体中薄膜层进行刻蚀处理，得到具有目标图形的薄膜层；对经过刻蚀处理后的第二键合体退火处理。利用薄膜层内存在晶格损伤，从而薄膜层的物理特性有所衰减，因此，在退火处理前，按照目标图形，对第二键合体中薄膜层进行刻蚀处理，可以大大降低刻蚀难度，提高刻蚀速率。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜图形化工艺方法、复合薄膜及电子元器件
本申请涉及半导体制备
，尤其涉及一种薄膜图形化工艺方法、复合薄膜及电子元器件。
技术介绍
铌酸锂或钽酸锂等晶体材料由于具有居里温度高、自发极化强、机电耦合系数高、优异的电光效应等优点，而被广泛的应用于非线性光学、铁电、压电、电光等领域，尤其在薄膜体声波器件、滤波器、调制器等领域受到越来越广泛的关注和应用。如果利用铌酸锂或钽酸锂等晶体材料制备薄膜体声波器件、滤波器、调制器等电子器件，为满足电子器件不同应用场景的需求，一般需要采用具有特定图形的薄膜层。目前，制备具有图形的薄膜层的方法主要包括如下步骤：首先，利用离子注入法和键合法，制备得到包括衬底层和薄膜层的键合体；然后，对键合体进行高温退火处理，以恢复离子注入时薄膜层被离子轰击产生的晶格损伤；最后对经过高温退火处理后的薄膜层进行刻蚀处理，得到具有目标图形的薄膜层。但是，由于铌酸锂和钽酸锂本身具有物理和化学性质都非常稳定的特性，因此，在薄膜层上刻蚀图形非常困难，并会对薄膜层造成一定的损伤，从而影响应用的电子器件的信噪比、啁啾、耦合效本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜图形化工艺方法，其特征在于，包括：/n由薄膜基体的离子注入面向所述薄膜基体内进行第一离子注入，在所述薄膜基体内形成薄膜层、分离层和余质层；/n将衬底基板与薄膜基体的离子注入面键合，得到第一键合体；/n对所述第一键合体热处理或机械拉扯处理，使所述余质层从所述第一键合体上剥离，得到第二键合体，所述第二键合体包括层叠的薄膜层和衬底基板；/n按照目标图形，对所述第二键合体中薄膜层进行刻蚀处理，得到具有目标图形的薄膜层；/n对经过刻蚀处理后的第二键合体退火处理，其中，所述退火处理的退火温度大于对所述第一键合体热处理的温度。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜图形化工艺方法，其特征在于，包括：
由薄膜基体的离子注入面向所述薄膜基体内进行第一离子注入，在所述薄膜基体内形成薄膜层、分离层和余质层；
将衬底基板与薄膜基体的离子注入面键合，得到第一键合体；
对所述第一键合体热处理或机械拉扯处理，使所述余质层从所述第一键合体上剥离，得到第二键合体，所述第二键合体包括层叠的薄膜层和衬底基板；
按照目标图形，对所述第二键合体中薄膜层进行刻蚀处理，得到具有目标图形的薄膜层；
对经过刻蚀处理后的第二键合体退火处理，其中，所述退火处理的退火温度大于对所述第一键合体热处理的温度。


2.根据权利要求1所述的薄膜图形化工艺方法，其特征在于，在所述将衬底基板与薄膜基体的离子注入面键合步骤之前，还包括：
由薄膜基体的离子注入面向所述薄膜基体内进行第二离子注入，所述第二离子注入的注入离子质量大于所述第一离子注入的注入离子质量，且，所述第二离子注入的注入深度大于所述第一离子注入的注入深度。


3.根据权利要求1所述的薄膜图形化工艺方法，其特征在于，在所述对所述第一键合体热处理或机械拉扯处理，使所述余质层从所述第一键合体上剥离，得到第二键合体步骤之后，还包括：
由所述薄膜层向所述衬底基板进行第二离子注入，所述第二离子注入的注入离子质量大于所述第一离子注入的注入离子质量，且，所述第二离子注入的注入深度大于所述第一离子注...

【专利技术属性】
技术研发人员：李真宇，张秀全，李洋洋，杨超，韩智勇，
申请(专利权)人：济南晶正电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37