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本申请公开一种薄膜图形化工艺方法、复合薄膜及电子元器件，包括：由薄膜基体的离子注入面向薄膜基体内进行第一离子注入，在薄膜基体内形成薄膜层、分离层和余质层；将衬底基板与薄膜基体的离子注入面键合，得到第一键合体；对第一键合体热处理或机械拉扯处理...
该专利属于济南晶正电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过济南晶正电子科技有限公司授权不得商用。

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