半导体装置及制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种具备半导体基板的半导体装置，半导体基板具有含有氢的含氢区域，含氢区域在至少一部分区域含有氦，含氢区域的深度方向上的氢化学浓度分布具有1个以上的氢浓度谷部，在各氢浓度谷部中，氢化学浓度是氧化学浓度的1/10以上。在至少一个氢浓度谷部中，氢化学浓度可以是氦化学浓度以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及制造方法
本专利技术涉及半导体装置及制造方法。
技术介绍
以往，已知通过向半导体基板注入氢来形成N型区域(例如，参照专利文献1及专利文献2)。专利文献1：日本特表2017-47285号公报专利文献2：日本特表2017-146148号公报
技术实现思路
技术问题优选能够高精度地控制载流子浓度分布的形状。技术方案为了解决上述课题，在本专利技术的第1方式中，提供具备半导体基板的半导体装置。半导体基板可以具有含有氢的含氢区域。含氢区域可以在至少一部分区域含有氦。含氢区域的深度方向上的氢化学浓度分布可以具有1个以上的氢浓度谷部，在各氢浓度谷部中，氢化学浓度可以是氧化学浓度的1/10以上。在各氢浓度谷部中，氢化学浓度可以是碳化学浓度以上。含氢区域的深度方向上的氢化学浓度分布可以具有1个以上的氢浓度峰。在氢浓度峰中，氢化学浓度可以是氧化学浓度的1/2以上。在至少一个氢浓度谷部中，氢化学浓度可以是氦化学浓度以上。含氢区域的深度方向上的氦化学浓度分布可以具有氦本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，是具备半导体基板的半导体装置，/n所述半导体基板具有包含氢的含氢区域，/n所述含氢区域在至少一部分区域包含氦，/n所述含氢区域的深度方向上的氢化学浓度分布具有1个以上的氢浓度谷部，在各所述氢浓度谷部中，氢化学浓度是氧化学浓度的1/10以上。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181116 JP 2018-2155481.一种半导体装置，其特征在于，是具备半导体基板的半导体装置，
所述半导体基板具有包含氢的含氢区域，
所述含氢区域在至少一部分区域包含氦，
所述含氢区域的深度方向上的氢化学浓度分布具有1个以上的氢浓度谷部，在各所述氢浓度谷部中，氢化学浓度是氧化学浓度的1/10以上。


2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
在各所述氢浓度谷部中，所述氢化学浓度是碳化学浓度以上。


3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述含氢区域的所述深度方向上的所述氢化学浓度分布具有1个以上的氢浓度峰，
在所述氢浓度峰中，所述氢化学浓度是所述氧化学浓度的1/2以上。


4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
在至少一个所述氢浓度谷部中，所述氢化学浓度是氦化学浓度以上。


5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述含氢区域的所述深度方向上的氦化学浓度分布具有氦浓度峰，
在设置于比所述氦浓度峰更深的位置的所述氢浓度谷部中，所述氢化学浓度是氦化学浓度以上。


6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
所述氢化学浓度分布具有多个氢浓度峰，
所述氦化学浓度分布的所述氦浓度峰的半峰全宽大于各所述氢...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿形泰典，田村隆博，安喰彻，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP