薄膜晶体管及其制备方法和显示器技术

本发明专利技术提供了一种薄膜晶体管及其制备方法和显示器。该薄膜晶体管的制备方法包括提供半导体层，半导体层包括第一区域，第一区域与栅极在半导体层上的正投影重合；将第一导电离子注入到第一区域，以形成多个导电区域，通过调节多个导电区域的大小和密度，能够调节半导体层的导电性，等效地调节薄膜晶体管的载流子迁移率。

Thin film transistor and its preparation method and display

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制备方法和显示器
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种薄膜晶体管及其制备方法和显示器。
技术介绍
随着信息技术的快速发展，有机电致发光二极管的显示器因其具有视角广，清晰度高，厚度薄，可制备柔性器件等优点在显示面板行业有很好的发展。显示器中薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)的电学参数会极大地影响面板质量，其中TFT的载流子迁移率是一项十分重要的指标。传统调节载流子迁移率的方法包括调节离子注入剂量，调节活化退火温度，调节器件尺寸及结构等，然而这些方法较为复杂，因此，亟待提供更多且更简便的方法来调节薄膜晶体管的载流子迁移率。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法和显示器，以解决现有的薄膜晶体管中载流子迁移率调节方法复杂的问题。本专利技术第一方面提供了一种薄膜晶体管的制备方法，包括：提供半导体层，半导体层包括第一区域，第一区域与栅极在半导体层上的正投影重合；将第一导电离子注入到第一区域，以形成多个导电区域。在本专利技术一实施例中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：/n提供半导体层，所述半导体层包括第一区域，所述第一区域与栅极在所述半导体层上的正投影重合；/n将第一导电离子注入到所述第一区域，以形成多个导电区域。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
提供半导体层，所述半导体层包括第一区域，所述第一区域与栅极在所述半导体层上的正投影重合；
将第一导电离子注入到所述第一区域，以形成多个导电区域。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述将第一导电离子注入到所述第一区域，包括：
以孔状部件为遮罩，将所述第一导电离子注入到所述第一区域。


3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述孔状部件包括掩膜板、带孔的栅极或带孔的离子阻挡层。


4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，当所述孔状部件为所述带孔的栅极时，所述在以孔状部件为遮罩，将第一导电离子注入到所述第一区域之前，还包括：
在所述半导体层上制备栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上制备所述带孔的栅极，所述栅极绝缘层在所述半导体层上的正投影不小于所述带孔的栅极在所述半导体层上的正投影。


5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述在所述栅极绝缘层上制备所述带孔的栅极，包括：
在所述栅极绝缘层的第二区域上均匀生长纳米颗粒，所述第二区域与所述带孔的栅极在所述栅极绝缘层...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘哲钦，
申请(专利权)人：合肥维信诺科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34