一种晶圆备料间通风系统技术方案

本实用新型专利技术涉及空气净化通风设备领域，尤其是涉及一种晶圆备料间通风系统。包括设置在备料间顶壁上的出风机、设置在备料间侧壁中部的抽风机、与抽风机出风口管道连接的旋风除尘器、与旋风除尘器管道连接的喷淋塔、设置在喷淋塔内的喷淋装置、设置在喷淋塔底部的沉降池、与喷淋装置管道连接的清水池、设置在清水池内的水泵。本实用新型专利技术具有通风好、空气净化佳的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆备料间通风系统
本技术涉及空气净化通风设备领域，尤其是涉及一种晶圆备料间通风系统。
技术介绍
晶圆是制造半导体芯片的基本材料，半导体集成电路最主要的原料是硅，因此对应的就是硅晶圆。硅在自然界中以硅酸盐或二氧化硅的形式广泛存在于岩石、砂砾中，硅晶圆的制造可以归纳为三个基本步骤：硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型。首先是硅提纯，将沙石原料放入一个温度约为2000℃，并且有碳源存在的电弧熔炉中，在高温下，碳和沙石中的二氧化硅进行化学反应（碳与氧结合，剩下硅），得到纯度约为98%的纯硅，又称作冶金级硅，这对微电子器件来说不够纯，因为半导体材料的电学特性对杂质的浓度非常敏感，因此对冶金级硅进行进一步提纯：将粉碎的冶金级硅与气态的氯化氢进行氯化反应，生成液态的硅烷，然后通过蒸馏和化学还原工艺，得到了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.999999999%,成为电子级硅。晶圆制造厂把这些多晶硅融解，再在融液里种入籽晶，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一颗晶面取向确定的籽晶在熔融态的硅原料中逐渐生成，此过程称为“长晶”。硅晶棒再经过切段，滚磨，切片，倒角，抛光，激光刻，包装后，即成为集成电路工厂的基本原料——硅晶圆片，这就是“晶圆”。现有公告号为CN109718639A的申请文件公开了一种有害气体综合处理系统，包括：壳体，设有让有害气体流入的流入部、把净化的废气排放的排放部；洗涤除尘装置，由连接到上述流入部并且让有害气体贯穿的多个过滤构件、设有向上述过滤构件喷射清洗液的多个喷嘴的洗涤器构成，消除有害气体内的HF气体与HCl气体；电气集尘装置，设于上述洗涤除尘装置后端并且消除有害气体内的液滴及薄雾；催化反应装置，让通过了上述电气集尘装置的有害气体流入并且和分解催化剂或还原催化剂进行反应消除一氧化二氮气体后把消除了有害成分的废气予以排放。该技术方案的原理是将有害气体通入流入部，有害气体经过流入部流入到洗涤除尘装置内，洗涤除尘装置内的多个喷嘴的洗涤器向过滤构件喷射清洗液，消除有害气体内的HF气体与HCl气体；电气集尘装置消除有害气体内的液滴及薄雾；气体经过洗涤除尘装置和电气集尘装置之后进入催化反应装置，催化反应装置让有害气体和还原催化剂进行反应，消除有害气体中的一氧化二氮气体，之后把消除了有害成分的废气从排放部排出。上述中的现有技术方案存在以下缺陷：在晶圆制备过程中，除过有害气体的处理和净化，还伴随有硅粉尘的产生，硅粉尘悬浮在空气中会污染操作环境，操作人员长时间待在这种环境中，会对身体造成伤害。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足，本技术的目的是提供一种晶圆备料间通风系统，具有通风好、空气净化佳的效果。本技术的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：一种晶圆备料间通风系统，包括设置在备料间顶壁上的出风机、设置在备料间侧壁中部的抽风机、与抽风机出风口管道连接的旋风除尘器、与旋风除尘器管道连接的喷淋塔、设置在喷淋塔内的喷淋装置、设置在喷淋塔底部的沉降池、与喷淋装置管道连接的清水池、设置在清水池内的水泵。通过采用上述技术方案，抽风机将晶圆备料间的空气抽出来，被抽出来的空气进入到旋风除尘器中，旋风除尘器对空气中的硅粉尘进行处理，处理之后的空气被送入到喷淋塔内，清水池通过水泵为喷淋塔内的喷淋装置提供水，喷淋塔内的喷淋装置对空气进行水洗，使空气中的HF气体与HCl气体溶于水，吸收HF气体与HCl气体之后的水中还含有部分硅粉尘，流入到沉降池内进行沉降，实现对备料间空气中的硅粉尘、HF气体与HCl气体的处理净化；出风机对备料间吹风，保证备料间的通风舒畅，有效降低空气中的硅粉尘和有害气体含量。本技术在一较佳示例中可以进一步配置为：所述旋风除尘器出气管管道连接有缓冲罐，所述缓冲罐的出气管管道与喷淋塔管道连接。通过采用上述技术方案，旋风除尘器处理之后的空气进入到缓冲罐中，在缓冲罐中进行初步的储存，缓冲罐中的气体相对匀速的进入到喷淋塔内，使喷淋塔内的喷淋装置能够对空气进行充分的水洗，避免空气过快或者过多的进入喷淋塔，导致水洗不彻底，无法有效的去除空气中的HF气体与HCl气体。本技术在一较佳示例中可以进一步配置为：所述缓冲罐上设置有氮气接入管，所述氮气接入管管道连接有氮气压缩机。通过采用上述技术方案，氮气压缩机通过氮气接入管向缓冲罐内氮气，氮气能够降低空气中HF气体与HCl气体的含量，使HF气体与HCl气体进入到喷淋塔后与水充分接触，进而溶于水。本技术在一较佳示例中可以进一步配置为：所述沉降池上部与清水池管道连接。通过采用上述技术方案，沉降池中上部为HF气体与HCl气体溶于水的弱酸溶液，溶液浓度较低，不易于后期收集，使其流入到清水池内，再次进入到喷淋塔内对含有HF气体与HCl气体的空气进行水洗，不仅能提高溶液的浓度便于后期收集，而且实现了水的循环，节约水资源。本技术在一较佳示例中可以进一步配置为：所述喷淋装置包括铺设在喷淋塔内的喷淋管，所述喷淋管与水泵管道连接，所述喷淋管上设置有喷淋头。通过采用上述技术方案，喷淋管与清水池连通，且通过喷淋头对进入到喷淋塔内的空气进行水洗，使用便捷。本技术在一较佳示例中可以进一步配置为：所述喷淋塔内上端部竖向设置有喷淋安装架，所述喷淋管螺旋设置在喷淋安装架上。通过采用上述技术方案，喷淋管螺旋设置在喷淋安装架上，能够对进入到喷淋塔内的空气均匀进行水洗，能够使HF气体与HCl气体充分溶解在水中。本技术在一较佳示例中可以进一步配置为：所述喷淋塔内沿轴向均匀设置有多组导流板，所述导流板上开设有导流槽。通过采用上述技术方案，设置导流板用于延长水的停留时间，使HF气体与HCl气体与水充分接触，提高溶解效率。本技术在一较佳示例中可以进一步配置为：所述导流板设置为扇形，上下相邻的所述导流板交错分布。通过采用上述技术方案，设置多组导流板上下交错分布，进一步使HF气体与HCl气体与水接触，溶解效率高。综上所述，本技术包括以下至少一种有益技术效果：1.本技术中设置有出风机、抽风机、旋风除尘器、喷淋塔、沉降池和清水池，抽风机、旋风除尘器、喷淋塔、清水池通过管道依次连接，抽风机将含有硅粉尘、HF气体和HCl气体的空气送入到旋风除尘器中，旋风除尘器清除硅粉尘，喷淋塔对除去硅粉尘的空气进行水洗，使HF气体和HCl气体溶解在水中，水洗之后的水进入到沉降池内进行沉降，方便后期收集硅粉尘，过程简单，实操性强，能够对晶圆操作间内的空气进行有效的净化；出风机对操作间吹风，保证晶圆间操作空间通风顺畅，降低晶圆间硅粉尘、HF气体和HCl气体含量。2.本技术中设置有喷淋塔、喷淋塔内上部设置有喷淋安装架、喷淋安装架上螺旋安装有喷淋管，喷淋管上均匀设置有喷头，喷淋管与清水池管道连接，喷淋塔内侧壁上从上到下交错设置有导流板，含有HF气体和HCl气体的空气在在喷淋塔内进行水洗，导流板能够延长水流的停留时间，使含有HF气体和H本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆备料间通风系统，其特征在于：包括设置在备料间顶壁上的出风机(9)、设置在备料间侧壁中部的抽风机(1)、与抽风机(1)出风口管道连接的旋风除尘器(2)、与旋风除尘器(2)管道连接的喷淋塔(3)、设置在喷淋塔(3)内的喷淋装置、设置在喷淋塔(3)底部的沉降池(4)、与喷淋装置通过管道连接的清水池(5)、设置在清水池(5)内的水泵(6)。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆备料间通风系统，其特征在于：包括设置在备料间顶壁上的出风机(9)、设置在备料间侧壁中部的抽风机(1)、与抽风机(1)出风口管道连接的旋风除尘器(2)、与旋风除尘器(2)管道连接的喷淋塔(3)、设置在喷淋塔(3)内的喷淋装置、设置在喷淋塔(3)底部的沉降池(4)、与喷淋装置通过管道连接的清水池(5)、设置在清水池(5)内的水泵(6)。


2.根据权利要求1所述的一种晶圆备料间通风系统，其特征在于：所述旋风除尘器(2)出气管管道连接有缓冲罐(7)，所述缓冲罐(7)的出气管管道与喷淋塔(3)管道连接。


3.根据权利要求2所述的一种晶圆备料间通风系统，其特征在于：所述缓冲罐(7)上设置有氮气接入管，所述氮气接入管管道连接有氮气压缩机(8)。


4.根据权利要求2所述的一种晶圆备料间通风系统，其特征在于：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：于润泽，
申请(专利权)人：北京旭普科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11