【技术实现步骤摘要】
发光装置及其制造方法
本专利技术是有关于一种发光装置,且特别是有关于一种具有发光二极管的发光装置及其制造方法。
技术介绍
发光二极管显示器具有高亮度、低能耗、高解析度与高色彩饱和度等优点。因此,许多厂商致力于发展发光二极管显示器的相关技术。目前,发光二极管显示器的发展还有许多技术瓶颈待克服,其中又以「巨量转移」(MassTransfer)技术最为关键。巨量转移技术是将微型发光二极管自生长基板上转移至主动元件基板上的技术。由于要同时转移大量的微型发光二极管,微型发光二极管对位的准确性格外的重要。在现有技术中,微型发光二极管时常在转置的过程中偏移,导致画素阵列基板上的微型发光二极管不能正常运作。
技术实现思路
本专利技术提供一种发光装置,可以改善发光二极管容易在转移过程中出现断路或短路的问题。本专利技术提供一种发光装置的制造方法,可以改善发光二极管容易在转移过程中出现断路或短路的问题。本专利技术的至少一实施例提供一种发光装置。发光装置包括主动元件基板、第一接垫、第二接垫、焊料、异方性导电胶层以 ...
【技术保护点】
1.一种发光装置,其特征在于,包括:/n一主动元件基板;/n一第一接垫与一第二接垫,位于该主动元件基板上;/n一焊料,覆盖该第一接垫;/n一异方性导电胶层,覆盖该第二接垫;以及/n一发光二极管,设置于该异方性导电胶层以及该焊料上,并分别通过该异方性导电胶层以及该焊料而电性连接至该第二接垫以及该第一接垫。/n
【技术特征摘要】
20200526 TW 1091174821.一种发光装置,其特征在于,包括:
一主动元件基板;
一第一接垫与一第二接垫,位于该主动元件基板上;
一焊料,覆盖该第一接垫;
一异方性导电胶层,覆盖该第二接垫;以及
一发光二极管,设置于该异方性导电胶层以及该焊料上,并分别通过该异方性导电胶层以及该焊料而电性连接至该第二接垫以及该第一接垫。
2.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该发光二极管包括:
一第一半导体层;
一第二半导体层,重叠于该第一半导体层,其中该第一半导体层的面积大于该第二半导体层的面积;
一第一电极,位于该第一半导体层上,且接触该焊料;以及
一第二电极,位于该第二半导体层上,且接触该异方性导电胶层,其中该第一电极与该第二电极皆位于该发光二极管朝向该主动元件基板的一侧。
3.如权利要求2所述的发光装置,其特征在于,该第一半导体层为N型半导体,且该第二半导体层为P型半导体。
4.如权利要求2所述的发光装置,其特征在于,该第二电极的面积大于该第一电极的面积。
5.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该异方性导电胶层具有一开口,且该焊料设置于该开口中。
6.如权利要求5所述的发光装置,其特征在于,该异方性导电胶层包括胶材以及分布于该胶材中的多个导电粒子,其中该第二接垫的边缘与该开口的侧壁之间的间距大于该些导电粒子的直径。
7.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,更包括:
一阻障层,设置于该异方性导电胶层与该焊料之间。
8.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员:罗国隆,刘品妙,陈昭文,
申请(专利权)人:友达光电股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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