微型发光二极管显示面板及制作方法、显示设备技术

本申请实施例提供了一种微型发光二极管显示面板及制作方法、显示设备。在该微型发光二极管显示面板的制作方法中，将制备有多个微型发光二极管晶粒的供体基板直接与第一基板的粘结层贴合，同时在各供体基板和微型发光二极管晶粒远离第一基板的一侧依次制备遮光层和驱动电路层，并使得各微型发光二极管晶粒与驱动电路层电连接，然后再将各微型发光二极管晶粒与供体基板剥离。相比于先将微型发光二极管晶粒与供体基板剥离、再转移微型发光二极管晶粒的过程，本申请实施例的方案，能够避免微型发光二极管晶粒与驱动电路层之间出现位置偏差的情况，能够提升微型发光二极管晶粒与驱动电路层之间的对位精度，从而提高转移精度以及转移效率。

【技术实现步骤摘要】
微型发光二极管显示面板及制作方法、显示设备
本申请涉及显示
，具体而言，本申请涉及一种微型发光二极管显示面板及制作方法、显示设备。
技术介绍
微型发光二极管(μLED、包括MiniLED和MicroLED)显示面板是新一代显示技术，相较于现有的显示面板而言，具有亮度更高、发光效率更好和功耗更低的优点。目前，在微型发光二极管显示面板的制备过程中，在微型发光二极管晶粒制备完成后，需要将微型发光二极管晶粒与生长衬底分离，然后通过巨量转移技术将微型发光二极管晶粒转移至驱动基板上。现有的巨量转移过程中，由于微型发光二极管晶粒的尺寸小，微型发光二极管晶粒与驱动基板的预设安装位置容易出现偏差，同时，转移过程中，多个微型发光二极管晶粒之间为间距也容易出现变动，从而导致转移效率低，转移精度低的问题。
技术实现思路
本申请针对现有方式的缺点，提出一种微型发光二极管显示面板及制作方法、显示设备，用以解决现有技术存在的微型发光二极管晶粒转移效率低或转移精度低的技术问题。第一个方面，本申请实施例提供了一种微型发光二极管显示面板的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微型发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，包括：/n在至少一个供体基板中的每个所述供体基板的一侧，制备多个微型发光二极管晶粒；/n在第一基板的一侧制备粘结层；/n将至少一个所述供体基板与所述粘结层相贴合，使得所述微型发光二极管晶粒位于所述供体基板远离所述粘结层的一侧；/n在各所述供体基板和所述微型发光二极管晶粒远离所述第一基板的一侧制备遮光层；/n在所述遮光层远离所述第一基板的一侧制备驱动电路层，使得各所述微型发光二极管晶粒与所述驱动电路层电连接；/n将各所述微型发光二极管晶粒与所述供体基板剥离。/n

【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
在至少一个供体基板中的每个所述供体基板的一侧，制备多个微型发光二极管晶粒；
在第一基板的一侧制备粘结层；
将至少一个所述供体基板与所述粘结层相贴合，使得所述微型发光二极管晶粒位于所述供体基板远离所述粘结层的一侧；
在各所述供体基板和所述微型发光二极管晶粒远离所述第一基板的一侧制备遮光层；
在所述遮光层远离所述第一基板的一侧制备驱动电路层，使得各所述微型发光二极管晶粒与所述驱动电路层电连接；
将各所述微型发光二极管晶粒与所述供体基板剥离。


2.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，所述在各所述供体基板和所述微型发光二极管晶粒远离所述第一基板的一侧制备遮光层，包括：
在各所述供体基板远离所述第一基板一侧的未被所述微型发光二极管晶粒覆盖的区域，制备缓冲层；
在所述缓冲层和所述微型发光二极管晶粒远离所述第一基板的一侧制备遮光层，使得所述遮光层覆盖所述微型发光二极管晶粒。


3.根据权利要求2所述的微型发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，所述将各所述微型发光二极管晶粒与所述供体基板剥离，包括：
对各所述微型发光二极管晶粒与所述供体基板的连接部分进行激光烧蚀，使各所述微型发光二极管晶粒与所述供体基板分离；
对所述缓冲层进行激光烧蚀，使所述遮光层与所述供体基板分离。


4.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，所述将各所述微型发光二极管晶粒与所述供体基板剥离之后，还...

【专利技术属性】
技术研发人员：张英，沙金，冉博，曾凡建，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，重庆京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11