发光器件制造技术

本实用新型专利技术提供了发光器件。该发光器件包括多个第一基底和多个发光单元，各第一基底上具有并联设置的多个发光单元，且相邻第一基底上的发光单元之间串联设置。采用本实用新型专利技术的上述发光器件，通过不同第一基底上的发光单元进行串联，能够构成高压结构来提升器件的调制带宽，从而直接提升器件的传输速度；同时，进一步使位于同一第一基底上的发光单元并联能够构成高压高流结构，通过增加发光单元的数量直接提升器件亮度，从而提升器件的传输距离并增加了器件的传输速率；并且，通过控制并联发光单元和串联基底的尺寸与数量，保证整体器件的发光强度与调制带宽可控，从而满足不同使用条件下的性能要求。

【技术实现步骤摘要】
发光器件
本技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种发光器件。
技术介绍
现阶段，单个LED芯片性能受尺寸效应影响，使其发光功率与调制带宽呈负相关关系，进而导致以其为发射器的可见光通信系统难以同时满足高传输速率与长传输距离的性能要求。针对上述问题，目前有研究显示，采用高压结构的发光器件能够在维持调制带宽的情况下提高发光功率，然而为满足长距离传输对发光功率的要求，上述模组结构对可见光通信系统的电学驱动，放大器和T型偏压器等原件的电压要求过高，限制了此结构的应用。基于此，目前亟需提供一种适合可见光通信系统且同时满足高发光功率、高调制带宽的发光器件。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种发光器件，以解决现有技术中基于LED的发光器件无法在满足高发光功率、高调制带宽的同时适用于可见光通信系统的问题。为了实现上述目的，提供了一种发光器件，包括多个第一基底和多个发光单元，各第一基底上具有并联设置的多个发光单元，且相邻第一基底上的发光单元之间串联设置。进一步地，发光器件包括多个LED结构，各LED结构由一个第一基底以及位于其上的发光单元构成。进一步地，各LED结构独立地选自正装LED结构和倒装LED结构中的任一种。进一步地，LED结构的发光种类独立地选自可见光、红外光和紫外光中的任一种或多种。进一步地，发光单元包括N型半导体层、金属层、P型半导体层、P型接触层和有源层，N型半导体层、有源层、P型半导体层和P型接触层沿远离第一基底的方向顺序层叠设置，金属层与N型半导体层接触设置。进一步地，有源层为量子阱层。进一步地，一个第一基底上的发光单元的负极与相邻的另一个第一基底上的发光单元的正极通过金属层连接。进一步地，同一第一基底上的发光单元的负极通过与N型半导体层接触的金属层中的部分并联设置，同一第一基底上的发光单元的正极通过与P型接触层接触的金属层中的部分并联。进一步地，任意一个第一基底上的发光单元的数量小于第一基底的数量。进一步地，发光器件还包括第二基底，各第一基底在第二基底上任意排列，发光单元位于第一基底远离第二基底的一侧。应用本技术的技术方案，提供了一种发光器件，包括多个第一基底和多个发光单元，各第一基底上具有并联设置的多个发光单元，且相邻第一基底上的发光单元之间串联设置。采用本技术的上述发光器件，通过不同第一基底上的发光单元进行串联，能够构成高压结构来提升器件的调制带宽，从而直接提升器件的传输速度；同时，进一步使位于同一第一基底上的发光单元并联能够构成高压高流结构，通过增加发光单元的数量直接提升器件亮度，从而提升器件的传输距离并增加了器件的传输速率；并且，通过控制并联发光单元和串联基底的尺寸与数量，保证整体器件的发光强度与调制带宽可控，从而满足不同使用条件下的性能要求。并且，通过保证并联发光单元数量不大于串联基底的数量，减小RC时间常数，从而保证上述结构的发光器件在满足同等亮度的前提下，能够进一步降低电容，增加带宽，突破了单独LED单元的尺寸限制，极大提升LED的发光强度，从而提升以其为发送器的可见光通信系统的传输距离和传输速率。此外，还可以通过进一步使并联的LED芯片的数量不大于串联的LED芯片的数量，以降低器件的整体电容，从而进一步提高调制带宽。附图说明构成本技术的一部分的说明书附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：图1为根据本申请一种实施例中发光器件的俯视结构示意图；以及图2示出了图1所示的发光器件的剖面结构示意图。其中，上述附图包括以下附图标记：10、第一基底；20、发光单元；210、N型半导体层；220、金属层；230、P型半导体层；240、P型接触层；250、有源层；260、绝缘层；30、第二基底。具体实施方式需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本技术。为了使本
的人员更好地理解本技术方案，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本技术保护的范围。需要说明的是，本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本技术的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。正如
技术介绍
部分所描述的，目前亟需提供一种适合可见光通信系统且同时满足高发光功率、高调制带宽的发光器件。基于此，本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。本申请的技术人针对上述问题进行研究，提出了一种发光器件，如图1和图2所示，包括多个第一基底10和多个发光单元20，各第一基底10上具有并联设置的多个发光单元20，且相邻第一基底10上的发光单元20之间串联设置。采用本技术的上述发光器件，通过不同第一基底上的发光单元进行串联，能够构成高压结构来提升器件的调制带宽，从而直接提升器件的传输速度；同时，进一步使位于同一第一基底上的发光单元并联能够构成高压高流结构，通过增加发光单元的数量直接提升器件亮度，从而提升器件的传输距离并增加了器件的传输速率；并且，通过控制并联发光单元和串联基底的尺寸与数量，保证整体器件的发光强度与调制带宽可控，从而满足不同使用条件下的性能要求。并且，通过保证并联发光单元数量不大于串联基底的数量，减小RC时间常数，从而保证上述结构的发光器件在满足同等亮度的前提下，能够进一步降低电容，增加带宽，突破了单独LED单元的尺寸限制，极大提升LED的发光强度，从而提升以其为发送器的可见光通信系统的传输距离和传输速率。本技术的上述发光器件包括多个LED结构，各LED结构可以由一个第一基底10以及位于其上的发光单元20构成，由不同第一基底10及其上的发光单元20构成的LED结构之间串联设置，上述发光单元20可以成阵列分布，在此不作限制。在一个可选的实施例，上述各LED结构独立地选自正装LED结构、倒装和LED结构中的任一种。在一个可选的实施例，上述LED结构的发光种类独立地选自可见光、红外光和紫外光中的任一种或多种。在一个可选的实施例，如图2所示，上述发光单元20包括N型半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光器件，其特征在于，包括多个第一基底(10)和多个发光单元(20)，各所述第一基底(10)上具有并联设置的多个所述发光单元(20)，且相邻所述第一基底(10)上的所述发光单元(20)之间串联设置。/n

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括多个第一基底(10)和多个发光单元(20)，各所述第一基底(10)上具有并联设置的多个所述发光单元(20)，且相邻所述第一基底(10)上的所述发光单元(20)之间串联设置。


2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件包括多个LED结构，各所述LED结构由一个所述第一基底(10)以及位于其上的所述发光单元(20)构成。


3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，各所述LED结构独立地选自正装LED结构和倒装LED结构中的任一种。


4.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述LED结构的发光种类独立地选自可见光、红外光和紫外光中的任一种或多种。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，其特征在于，所述发光单元(20)包括N型半导体层(210)、金属层(220)、P型半导体层(230)、P型接触层(240)和有源层(250)，所述N型半导体层(210)、所述有源层(250)、所述P型半导体层(230)和所述P型接触层(240)沿远离所述第一基底(10)的方向顺序层叠设置，所述金属层(220)与所述N型半导体层(210...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱斌斌，王智灵，孙雷蒙，
申请(专利权)人：深圳华创芯光科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44