【技术实现步骤摘要】
功率模块及具有其的电子设备、键合金属片的制备方法
本专利技术一般涉及半导体
，具体涉及功率模块及具有其的电子设备、键合金属片的制备方法。
技术介绍
随着IGBT模块朝向高功率、大电流方向发展，芯片与引线框架之间采用引线键合工艺和铜片键合工艺进行互连。铜片键合工艺为通过键合铜片对芯片和引线框架进行互连，引线键合工艺为通过键合引线对芯片和引线框架进行互连。芯片上的引线键合点设置于芯片上异于被键合铜片所覆盖的区域，以使键合铜片和键合引线之间相互错开。随着IGBT模块的功能发展需求，需要芯片的部分引线键合点的位置调整到指定位置，如此会出现芯片被键合铜片覆盖的部分存在引线键合点的情况。由于键合铜片与芯片之间留有的间隙小，导致出现被键合铜片覆盖的引线键合点与引线框架之间无法通过正常的引线互连工艺进行互连的问题。目前，为了解决上述的问题，则需要重新设计IGBT模块的封装工艺和封装结构以使芯片的引线键合点和芯片被键合铜片所覆盖的区域相互错开，如此不仅增加了IGBT模块的加工设计成本，还增加了IGBT模块的加工时间。
【技术保护点】
1.一种功率模块，其特征在于，包括引线框架、芯片和键合金属片，所述芯片设置于所述引线框架，所述芯片和所述引线框架的第一引脚部通过所述键合金属片互连，所述键合金属片的部分覆盖所述芯片，且所述芯片被所述键合金属片所覆盖的部分具有第一引线键合部；/n其中，所述键合金属片设有露出所述第一引线键合部的避让通孔，且所述第一引线键合部和所述引线框架的第二引脚部通过穿过所述避让通孔的第一键合引线互连。/n
【技术特征摘要】
1.一种功率模块，其特征在于，包括引线框架、芯片和键合金属片，所述芯片设置于所述引线框架，所述芯片和所述引线框架的第一引脚部通过所述键合金属片互连，所述键合金属片的部分覆盖所述芯片，且所述芯片被所述键合金属片所覆盖的部分具有第一引线键合部；
其中，所述键合金属片设有露出所述第一引线键合部的避让通孔，且所述第一引线键合部和所述引线框架的第二引脚部通过穿过所述避让通孔的第一键合引线互连。
2.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述芯片包括位于顶端中部的门极端，所述第一引线键合部位于所述门极端，其中所述第一引脚部和所述第二引脚部绝缘设置。
3.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述第一引线键合部的边界位于所述避让通孔的边界范围内。
4.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述第一引线键合部的数量为两个以上，所述避让通孔的数量为两个以上，且每个所述避让通孔至少露出一个所述第一引...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄金鑫，黄晓梦，成秀清，石海忠，
申请(专利权)人：通富微电子股份有限公司技术研发分公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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