微电子装置和微电子装置制造制造方法及图纸

本申请涉及微电子装置和微电子装置制造。所述设备包括：传导区段，所述传导区段包括不均匀形貌，所述不均匀形貌包括所述传导区段的在下面的材料的上表面上方突出的上表面；第一钝化材料，所述第一钝化材料基本上共形地位于所述传导区段上面；以及第二钝化材料，所述第二钝化材料位于所述第一钝化材料上面。所述第二钝化材料比所述第一钝化材料相对较厚。所述设备还包括结构元件，所述结构元件位于所述第二钝化材料上面。所述第二钝化材料的厚度足以至少在支撑所述结构元件的区域中在下面的传导区段的不均匀形貌上方提供基本上平坦的表面。还公开了微电子装置、存储器装置和相关方法。

【技术实现步骤摘要】
微电子装置和微电子装置制造优先权要求本申请要求2019年8月29日提交的针对“表现出增强的应力抗性和平面性的设备以及相关的微电子装置、存储器装置和方法的装置(APPARATUSEXHIBITINGENHANCEDSTRESSRESISTANCEANDPLANARITy，ANDRELATEDMICROELECTRONICDEVICES，MEMORYDEVICES，ANDMETHODS)”的美国专利申请序列号16/554,986的提交日期的权益。
本公开的实施例涉及微电子装置和微电子装置制造。更具体地，本公开的实施例涉及一种表现出增强的应力抗性和平面性的设备，并且涉及相关的方法、存储器装置和电子系统。
技术介绍
增加电路密度是微电子装置制造商的一个持续目标。一种有利的配置是竖直堆叠的半导体管芯的三维(3D)组合件，所述半导体管芯中的至少一些半导体管芯电互连，并且堆叠的管芯组合件机械地且电气地连接到更高级别的封装，如带有传导迹线的内插件或其它基底材料(例如，衬底)。采用堆叠的管芯的一种配置是微柱栅阵列封装(“MPGA”)。这种本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种设备，其包括：/n传导区段，所述传导区段包括不均匀形貌，所述不均匀形貌包括所述传导区段的在下面的材料的上表面上方突出的上表面；/n第一钝化材料，所述第一钝化材料基本上共形地位于所述传导区段上面；/n第二钝化材料，所述第二钝化材料位于所述第一钝化材料上面，其中所述第二钝化材料比所述第一钝化材料相对较厚；以及/n结构元件，所述结构元件位于所述第二钝化材料上面，所述第二钝化材料的厚度足以至少在支撑所述结构元件的区域中在下面的传导区段的不均匀形貌上方提供基本上平坦的表面。/n

【技术特征摘要】
20190829 US 16/554,9861.一种设备，其包括：
传导区段，所述传导区段包括不均匀形貌，所述不均匀形貌包括所述传导区段的在下面的材料的上表面上方突出的上表面；
第一钝化材料，所述第一钝化材料基本上共形地位于所述传导区段上面；
第二钝化材料，所述第二钝化材料位于所述第一钝化材料上面，其中所述第二钝化材料比所述第一钝化材料相对较厚；以及
结构元件，所述结构元件位于所述第二钝化材料上面，所述第二钝化材料的厚度足以至少在支撑所述结构元件的区域中在下面的传导区段的不均匀形貌上方提供基本上平坦的表面。


2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括凹入区域，所述凹入区域位于所述传导区段的侧向邻近部分之间，所述第二钝化材料的部分介于所述传导区段的所述侧向邻近部分之间并且基本上完全填充其之间的所述凹入区域。


3.根据权利要求1或权利要求2所述的设备，其中所述第一钝化材料包括氧化物材料，并且所述第二钝化材料包括氮化物材料，所述第一钝化材料和所述第二钝化材料的组合厚度介于所述结构元件的厚度的约20％与约50％之间。


4.根据权利要求1或权利要求2所述的设备，其中所述第一钝化材料和所述第二钝化材料中的至少一种包括聚酰亚胺材料。


5.根据权利要求1或权利要求2所述的设备，其中所述结构元件包括柱，所述柱中的至少一些柱包括位于另一种传导材料上面的焊料材料。


6.根据权利要求1或权利要求2所述的设备，其中所述第二钝化材料包括下部区域和上部区域，所述上部区域的支撑结构包括与所述结构元件的侧壁直接物理接触的离散部分。


7.根据权利要求6所述的设备，其中所述第二钝化材料的所述上部区域的所述支撑结构包括环形环，所述环形环至少基本上围绕所述结构元件的圆柱形基部部分。


8.根据权利要求1或权利要求2所述的设备，其中所述结构元件中的至少一些结构元件包括传导材料的细长条，所述细长条由所述第二钝化材料的细长区段支撑在相对侧上。


9.一种设备，其包括：
传导区段；
至少一种钝化材料，所述至少一种钝化材料位于所述传导区段上面；
至少一个基板，所述至少一个基板位于所述至少一种钝化材料上面；以及
结构元件，所述结构元件位于所述至少一个基板上面，所述至少一个基板的厚度足以在不均匀形貌上方提供基本上平坦的表面，所述不均匀形貌包括下面的传导区段的在下面的材料的上表面上方的突出部分。


10.根据权利要求9所述的设备，其进一步包括晶种材料，所述晶种材料位于所述至少一种钝化材料与所述至少一个基板之间，其中所述至少一种钝化材料包含位于下部钝化材料上面的上部钝化材料，所述上部钝化材料包括氮化硅材料，所述下部钝化材料包括氧化硅材料。


11.根据权利要求9所述的设备，其中所述至少一个基板包括铝、铜、钨、钛或氮化钛中的至少一种。


12.根据权利要求9到11中任一权利要求所述的设备，其进一步包括至少一排接合焊盘、定位于所述至少一排接合焊盘之上的触点以及延伸到与所述结构元件基本上相同的高度的传导元件，所述传导元件通过所述触点与传导接合焊盘电接触。


13.根据权利要求9到11中任一权利要求所述的设备，其中所述至少一个基板和所述结构元件包括相同的材料，所述基板的上表面耦接到所述结构元件，并且所述基板的底表面适形于下面的传导区段的不均匀形貌。


14.根据权利要求9到11中任一权利要求所述的设备，其中所述至少一种钝化材料的厚度足以在所述下面的传导区段的所述不均匀形貌的至少一部分上方提供基本上平坦的表面，所述至少一种钝化材料包括邻近所述至少一个基板的基本上共面的上表面和适形于所述下面的传导区段的所述不均匀形貌的底表面。


15.一种微电子装置，其包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：K·K·柯比，王钊文，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US