显示面板及其制造方法和电子设备技术

本发明专利技术实施例提供一种显示面板及其制造方法和电子设备，显示面板制造方法包括，提供基底以及位于所述基底上的第一介质层，在所述第一介质层上形成第二介质层，所述第二介质层内具有贯穿所述第二介质层的开口，所述第二介质层的相对介电常数大于所述第一介质层的相对介电常数，以所述第二介质层为掩模，沿所述开口刻蚀所述第一介质层，在所述第一介质层内形成预设沟槽。利用第二介质层相对于第一介质层具有较高的刻蚀选择比的特性，在获得具有高深宽比的沟槽的同时，降低了工艺难度，提升了显示面板的良品率。

【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制造方法和电子设备
本专利技术实施例涉及显示
，特别涉及一种显示面板及其制造方法和电子设备。
技术介绍
随着显示技术中对像素密度(PixelsPerInch，PPI)需求的提高，为了提高开口率，子像素结构可能向着高度或深度方向发展，因而需要在显示面板内形成具有高深宽比的沟槽。针对上述需求，现有的显示面板制造工艺有待提高。
技术实现思路
本专利技术提供一种显示面板及其制造方法和电子设备，解决在显示面板中难以获得具有高深宽比沟槽的问题。为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种显示面板的制造方法，包括：提供基底以及位于所述基底上的第一介质层；在第一介质层上形成第二介质层，第二介质层内具有贯穿所述第二介质层的开口，第二介质层的相对介电常数大于第一介质层的相对介电常数；以第二介质层为掩模，沿开口刻蚀第一介质层，在第一介质层内形成预设沟槽。以第二介质层为硬掩模，利用刻蚀工艺对第一介质层和第二介质层的高选择比的特性进行刻蚀，能够获得具有高深宽比的沟槽；此外，由于第二介质层的良好绝缘性，在完成刻蚀后本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：/n提供基底以及位于所述基底上的第一介质层；/n在所述第一介质层上形成第二介质层，所述第二介质层内具有贯穿所述第二介质层的开口，所述第二介质层的相对介电常数大于所述第一介质层的相对介电常数；/n以所述第二介质层为掩模，沿所述开口刻蚀所述第一介质层，在所述第一介质层内形成预设沟槽。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：
提供基底以及位于所述基底上的第一介质层；
在所述第一介质层上形成第二介质层，所述第二介质层内具有贯穿所述第二介质层的开口，所述第二介质层的相对介电常数大于所述第一介质层的相对介电常数；
以所述第二介质层为掩模，沿所述开口刻蚀所述第一介质层，在所述第一介质层内形成预设沟槽。


2.根据权利要求1所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述刻蚀为干法刻蚀；优选地，所述干法刻蚀采用的气体包括碳氟化合物气体；优选地，所述干法刻蚀的工艺参数包括：气压为6～15mT，功率为5～10KW，碳氟化合物气体流量为200～500sccm，温度为10～20℃。


3.根据权利要求2所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述干法刻蚀对所述第一介质层与所述第二介质层的刻蚀选择比大于或等于30；优选地，所述干法刻蚀对所述第一介质层的刻蚀速率为所述干法刻蚀对所述第二介质层的刻蚀速率为


4.根据权利要求3所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述沟槽具有预设深度；在进行所述干法刻蚀之前，所述预设深度与所述第二介质层的厚度的比值小于或等于所述刻蚀选择比。


5.根据权利要求1所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述在所述第一介质层上形成第二介质层，具体包括：在所述第一介质层上形成初始层；在所述初始层上形成图形层；利用所述图形层刻蚀所述初始层直至暴露出所述第一介质层，剩余所述初始...

【专利技术属性】
技术研发人员：马应海，俞凤至，刘少伟，候旭，
申请(专利权)人：云谷固安科技有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13